公开(公告)号：CN1220731C

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN01133846.6

申请日：2001-12-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中田义弘 ,  铃木克己 ,  杉浦严 ,  矢野映

IPC: C08L83/06 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L21/76807 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76835 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S428/901 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/249978 ,  Y10T428/249979 ,  Y10T428/2839 ,  C08L83/00 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种组合物，包含硅氧烷树脂、基本上由硅、碳和氢构成的硅化合物，其中在一分子的主链中形成-X-键的碳与硅原子数之比范围为2∶1～12∶1，其中X是(C)m，其中m是1～3的整数，或者9个或更少碳原子的取代或未取代的芳香族基团，和溶剂，对该组合物进行热处理以形成低介电常数膜。因此，提供了一种具有优异的耐化学品性和优异的耐潮性的低介电常数膜。通过采用该膜可制造出能快速响应的半导体集成电路。

公开(公告)号：CN1376740A

公开(公告)日：2002-10-30

申请号：CN01133846.6

申请日：2001-12-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中田义弘 ,  铃木克己 ,  杉浦严 ,  矢野映

IPC: C08L83/06 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L21/76807 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76835 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S428/901 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/249978 ,  Y10T428/249979 ,  Y10T428/2839 ,  C08L83/00 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种组合物,包含硅氧烷树脂、基本上由硅、碳和氢构成的硅化合物,其中在一分子的主链中形成－X－键的碳与硅原子数之比范围为2∶1～12∶1,其中X是(C)m,其中m是1～3的整数,或者9个或更少碳原子的取代或未取代的芳香族基团和溶剂,对该组合物进行热处理以形成低介电常数膜。因此,提供了一种具有优异的耐化学品性和优异的耐潮性的低介电常数膜。通过采用该膜可制造出能快速响应的半导体集成电路。