公开(公告)号：CN101045820B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200610106004.3

申请日：2006-07-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘 ,  矢野映

IPC: C08L83/16 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31695

Abstract: 一种形成绝缘膜的组合物以及制造半导体器件的方法，其中该方法包括以下步骤：在衬底(10)上形成多孔材料的第一绝缘膜(38)；在第一绝缘膜(38)上形成第二绝缘膜(40)，该第二绝缘膜(40)包含，该硅化合物含30-90％的Si-CH3结合物；向形成在第一绝缘膜(38)上的第二绝缘膜(40)照射紫外线，以固化第一绝缘膜(38)。因此，具有消除CH3基的波长的紫外线被第二绝缘膜充分吸收，从而第一绝缘膜通过紫外线固化被优先高度强化，并且第一绝缘膜在不增加介电常数的情况下可使膜密度增加。

公开(公告)号：CN100557778C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200710141756.8

申请日：2007-08-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘 ,  矢野映

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：形成绝缘膜，该绝缘膜包含具有Si-CH3和Si-OH键的材料；以及用紫外线照射该绝缘膜，其中：在紫外线照射后，通过X射线电光子分光光谱确定的C浓度降低率不大于30%，并且绝缘膜中从C-H键、O-H键和Si-OH的Si-O键中选出的一个或多个键的减少率不小于10%。本发明提供一种低介电常数绝缘膜，其具有高模强度并可以避免因为吸收湿气而导致的介电常数增大；一种半导体器件，其可以避免因寄生电容增大而造成的器件响应速度的延迟以及可靠性降低；以及其制造方法。

公开(公告)号：CN101127295A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710091528.4

申请日：2007-03-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  富士通株式会社 ,  株式会社荏原制作所

Inventor： 三好秀典 ,  石川健治 ,  泷川幸雄 ,  中田义弘 ,  立石秀树

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

Abstract: 一种基板处理方法，所述基板上带有绝缘膜和金属层，该方法包括向基板提供羧酸酐、和在向基板提供羧酸酐的过程中加热基板的步骤。

公开(公告)号：CN101045820A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200610106004.3

申请日：2006-07-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘 ,  矢野映

IPC: C08L83/16 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31695

Abstract: 一种形成绝缘膜的组合物以及制造半导体器件的方法，其中该方法包括以下步骤：在衬底(10)上形成多孔材料的第一绝缘膜(38)；在第一绝缘膜(38)上形成第二绝缘膜(40)，该第二绝缘膜(40)包含，该硅化合物含30－90％的Si－CH3结合物；向形成在第一绝缘膜(38)上的第二绝缘膜(40)照射紫外线，以固化第一绝缘膜(38)。因此，具有消除CH3基的波长的紫外线被第二绝缘膜充分吸收，从而第一绝缘膜通过紫外线固化被优先高度强化，并且第一绝缘膜在不增加介电常数的情况下可使膜密度增加。

公开(公告)号：CN104062851B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201310611191.0

申请日：2013-11-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今纯一 ,  中田义弘

IPC: G03F7/038 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0757 ,  C07F7/0838 ,  G03F7/0043 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组合物和用于形成图案的方法。所述抗蚀剂组合物包含：溶剂；和在所述溶剂中的树脂，所述树脂通过在酸或碱的存在下水解并缩合包含与硅原子或锗原子相结合的烷氧基的含烷氧基化合物来制备，其中利用能量辐射辐照的所述抗蚀剂组合物的一部分在显影液中是不可溶的。

公开(公告)号：CN104064590B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201410066965.0

申请日：2014-02-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今纯一 ,  中田义弘 ,  牧山刚三

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/28587 ,  H01L23/5222 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有包括衬底、形成在衬底的主平面的一部分之上的第一绝缘膜、形成在第一绝缘膜的表面之上的导电部分、以及第二绝缘膜的结构的半导体器件，其中第二绝缘膜覆盖衬底的主平面、第一绝缘膜和导电部分，并且第二绝缘膜的耐湿性高于第一绝缘膜的耐湿性。第一绝缘膜置于衬底与导电部分之间以防止寄生电容的产生。第一绝缘膜用耐湿性高于第一绝缘膜的耐湿性的第二绝缘膜覆盖。第二绝缘膜防止第一绝缘膜吸收水分。

公开(公告)号：CN102969299B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201210258784.9

申请日：2012-07-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 神吉刚司 ,  须田章一 ,  中田义弘

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49156 ,  Y10T29/49165 ,  Y10T428/12993 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24463 ,  Y10T428/31515 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种布线结构及其制造方法以及电子设备及其制造方法。该布线结构包括：形成在衬底之上的绝缘膜；形成在绝缘膜上的多个布线；以及诱导层，所述诱导层被形成在所述多个布线之间的区域中的绝缘膜上，布线的构成原子在诱导层中扩散。

公开(公告)号：CN101641767B

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN200780052187.8

申请日：2007-03-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小林靖志 ,  吉川浩太 ,  中田义弘 ,  今田忠纮 ,  尾崎史朗

IPC: H01L21/3065 ,  C09D9/00 ,  C11D9/36 ,  H01L21/304

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D3/042 ,  C11D3/044 ,  C11D3/162 ,  C11D3/2075 ,  C11D3/30 ,  C11D3/3742 ,  C11D7/08 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明使用硅系绝缘膜的蚀刻后处理剂，该蚀刻后处理剂含有：由氨系碱和胺化合物组成的组中选出的至少一种含氮物质；酸；至少含有一种硅、碳和氢而成的含硅化合物；以及，任意的表面活性剂。根据本发明，能够抑制因蚀刻引起的硅系绝缘膜介电常数的增加。

公开(公告)号：CN101043005A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200610127475.2

申请日：2006-09-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中田义弘

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835

Abstract: 本发明提供金属还原方法，多层互连结构及制法，半导体器件及制法。具体提供一种在制造多层互连结构、半导体器件等时使用的用于还原氧化金属的可靠、高效的方法。用这种方法，通过水蒸汽来水解至少包含羧酸酯的蒸汽，以还原氧化金属。本发明的多层互连制造方法至少包括膜形成步骤、互连形成步骤，以及使用本发明的金属还原方法的还原步骤。本发明的多层互连结构通过本发明的多层互连结构制造方法制造。本发明的半导体器件制造方法至少包括膜形成步骤、图案化步骤、互连形成步骤、以及使用该金属还原方法的还原步骤。本发明的半导体器件至少包括本发明的多层互连结构，并使用本发明的半导体器件制造方法形成。

公开(公告)号：CN1891757A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200510128973.4

申请日：2005-12-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中田义弘 ,  矢野映

IPC: C08L83/04 ,  H01L21/32

CPC classification number: H01L21/3122 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/76801 ,  Y10T428/31663

Abstract: 一种包含硅酮聚合物的二氧化硅膜形成材料，该硅酮聚合物包括作为聚合物部分结构的CHx，Si－O－Si键，Si－CH3键和Si－CHx－键，其中x代表0－2的整数。