公开(公告)号：CN103035702B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201210269621.0

申请日：2012-07-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉 ,  牧山刚三 ,  多木俊裕 ,  美浓浦优一 ,  尾崎史朗 ,  宫岛丰生

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/49 ,  H01L21/335 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28581 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/432 ,  H01L29/475 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层叠结构、形成在化合物半导体层叠结构上并且具有通孔的钝化膜和形成在钝化膜上以填塞通孔的栅电极。在栅电极中形成有不同的晶体取向之间的晶界，晶界的起点设置成与钝化膜的平坦表面上的通孔间隔开。

公开(公告)号：CN103943676A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201310698719.2

申请日：2013-12-18

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/0254 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了半导体装置及其制造方法、电源装置和高频放大器。该半导体装置包括：化合物半导体堆结构，包括堆叠在半导体衬底之上的多个化合物半导体层；以及覆盖所述化合物半导体堆结构的表面的第一绝缘膜，所述第一绝缘膜为氮化硅膜，所述氮化硅膜在顶侧上包括含有超出化学计量比的氮元素的第一区域。

公开(公告)号：CN103035703A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210270679.7

申请日：2012-07-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三 ,  冈本直哉 ,  多木俊裕 ,  美浓浦优一 ,  尾崎史朗 ,  宫岛丰生

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/408 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H02M7/537

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种HEMT包括：在SiC衬底上的化合物半导体层、具有开口并且覆盖化合物半导体层的氮化硅(SiN)保护膜、以及形成于化合物半导体层上以填塞开口的栅电极。在保护膜中，在下层部分6a处形成有从开口的侧表面突出的突出部分。

公开(公告)号：CN103035522B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201210270691.8

申请日：2012-07-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 美浓浦优一 ,  冈本直哉 ,  吉川俊英 ,  牧山刚三 ,  多木俊裕

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H02M1/4225 ,  H02M3/33569 ,  H02M2001/007 ,  Y02B70/126

Abstract: 在化合物半导体层叠结构上形成钝化膜，通过干蚀刻来使钝化膜的电极形成预定位置变薄，通过湿蚀刻来穿透钝化膜的变薄部分以形成开口，并且在钝化膜上形成栅电极，使得电极材料嵌入该开口。

公开(公告)号：CN103022122B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201210353262.7

申请日：2012-09-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28 ,  H02M5/10 ,  H03F3/189

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/28593 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H02M1/4225 ,  H02M3/33592 ,  Y02B70/126 ,  Y02B70/1475

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。公开一种化合物半导体器件，其中为均质的并且由单一材料(在这种情况下，SiN)构成并且因此具有均匀的介电常数的第一保护膜连续地覆盖化合物半导体层；作为由氧化物构成的第二保护膜的含氧保护部形成为覆盖形成于第一保护膜中的开口的一个边缘部分；以及栅电极形成为填充开口并且形成为其中包含第二保护膜。

公开(公告)号：CN103943675A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201310657098.3

申请日：2013-12-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H03F3/16 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/408 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/0002 ,  H02M3/335 ,  H03F1/3247 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了半导体装置及其制造方法、电源装置和高频放大器，该半导体装置包括：化合物半导体堆结构，包括堆叠在半导体基板之上的多个化合物半导体层；第一绝缘膜，覆盖化合物半导体堆结构的表面；以及导电膜，设置在第一绝缘膜的表面上。

公开(公告)号：CN103151370A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210458928.5

申请日：2012-11-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H03F3/04

CPC classification number: H01L29/42316 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。化合物半导体器件的一个实施方案包括：衬底；形成在衬底上或上方的氮化物化合物半导体堆叠结构；以及形成在化合物半导体堆叠结构上或上方的栅电极、源电极和漏电极。在化合物半导体堆叠结构的表面处形成有在俯视图中位于栅电极与漏电极之间的凹部。

公开(公告)号：CN103035702A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210269621.0

申请日：2012-07-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉 ,  牧山刚三 ,  多木俊裕 ,  美浓浦优一 ,  尾崎史朗 ,  宫岛丰生

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/49 ,  H01L21/335 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28581 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/432 ,  H01L29/475 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层叠结构、形成在化合物半导体层叠结构上并且具有通孔的钝化膜和形成在钝化膜上以填塞通孔的栅电极。在栅电极中形成有不同的晶体取向之间的晶界，晶界的起点设置成与钝化膜的平坦表面上的通孔间隔开。

公开(公告)号：CN102544088A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110342602.1

申请日：2011-10-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51 ,  H01L21/335 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 公开了一种化合物半导体器件及其制造方法，其中该器件设置有：化合物半导体层；以及栅电极，经栅极绝缘膜而形成在该化合物半导体层上；其中，该栅极绝缘膜是包含SixNy作为绝缘材料的一种膜；该SixNy满足0.638≤x/y≤0.863，并且氢终端基团浓度被设定为不小于2×1022/cm3且不大于5×1022/cm3的范围内的值。采用本发明的器件及方法，制造出了高度可靠的化合物半导体器件，其中，栅极绝缘膜中的电荷陷阱显著减少，并且电特性的改变受到抑制。

公开(公告)号：CN104112672B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201410132262.3

申请日：2014-04-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  冈本直哉 ,  牧山刚三 ,  多木俊裕

IPC: H01L21/441 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/283 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/315 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/408 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H02M5/458 ,  H03F3/19 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体设备，包括：第一电极；第二电极；由多孔绝缘材料制成并且形成在第一电极和第二电极之上的层间绝缘膜；以及分别电连接到第一电极和第二电极的连接部，其中在层间绝缘膜与第一电极的表面、第二电极的表面以及连接部的部分表面之间形成空腔。