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公开(公告)号：CN102738070B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201210104837.1
申请日：2012-04-06
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/4846 , H01L23/49822 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L2224/04105 , H01L2224/24137 , H01L2924/01029 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 本技术方案涉及一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成绝缘层；在所述绝缘层中形成凹部；在所述绝缘层上形成掩模图案，所述掩模图案具有暴露所述凹部的第一开口，以及设置在所述第一开口的外部并且不暴露所述凹部的第二开口；通过分别在所述第一开口和所述第二开口中沉积导电材料形成第一导电部件和第二导电部件；以及抛光和去除所述绝缘层上侧上的所述第一导电部件和所述第二导电部件以便留下所述凹部中的所述第一导电部件。本技术方案能够形成具有最佳形状的重布线层。
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公开(公告)号：CN104064550B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201310631444.0
申请日：2013-11-29
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 神吉刚司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76852 , H01L21/76849 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/53238 , H01L2224/16225 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311
Abstract: 一种半导体器件包括：设置在绝缘膜的沟槽中的铜互连体；沿绝缘膜与铜互连体之间的边界设置在绝缘膜上的金属膜；设置在沟槽的内壁与铜互连体之间并在金属膜上方延伸的阻挡金属；覆盖铜互连体和位于金属膜上方的阻挡金属的第一金属盖件；以及连续地覆盖第一金属盖件、阻挡金属和金属膜的第二金属盖件。
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公开(公告)号：CN103050477B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201210370333.4
申请日：2012-09-28
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76883 , H01L21/7684 , H01L21/76849 , H01L21/7685 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及电子器件及其制造方法。所述电子器件包括：第一绝缘膜；在第一绝缘膜的表面上的互连沟槽；由Cu构成的互连图案，该互连图案填充互连沟槽；在互连图案的表面上的金属膜，该金属膜具有比Cu高的弹性模量；在第一绝缘膜上的第二绝缘膜；以及由Cu构成并且布置在第二绝缘膜中的通路塞，该通路塞与金属膜接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102969299B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210258784.9
申请日：2012-07-24
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L23/49816 , H01L24/19 , H01L2224/12105 , H01L2924/01029 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , Y10T29/49126 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156 , Y10T29/49165 , Y10T428/12993 , Y10T428/24355 , Y10T428/24463 , Y10T428/31515 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种布线结构及其制造方法以及电子设备及其制造方法。该布线结构包括：形成在衬底之上的绝缘膜；形成在绝缘膜上的多个布线；以及诱导层，所述诱导层被形成在所述多个布线之间的区域中的绝缘膜上，布线的构成原子在诱导层中扩散。
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公开(公告)号：CN104064550A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201310631444.0
申请日：2013-11-29
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 神吉刚司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76852 , H01L21/76849 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/53238 , H01L2224/16225 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311
Abstract: 一种半导体器件包括：设置在绝缘膜的沟槽中的铜互连体；沿绝缘膜与铜互连体之间的边界设置在绝缘膜上的金属膜；设置在沟槽的内壁与铜互连体之间并在金属膜上方延伸的阻挡金属；覆盖铜互连体和位于金属膜上方的阻挡金属的第一金属盖件；以及连续地覆盖第一金属盖件、阻挡金属和金属膜的第二金属盖件。
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公开(公告)号：CN103050477A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210370333.4
申请日：2012-09-28
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L23/528 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76883 , H01L21/7684 , H01L21/76849 , H01L21/7685 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及电子器件及其制造方法。所述电子器件包括：第一绝缘膜；在第一绝缘膜的表面上的互连沟槽；由Cu构成的互连图案，该互连图案填充互连沟槽；在互连图案的表面上的金属膜，该金属膜具有比Cu高的弹性模量；在第一绝缘膜上的第二绝缘膜；以及由Cu构成并且布置在第二绝缘膜中的通路塞，该通路塞与金属膜接触。
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公开(公告)号：CN102969299A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210258784.9
申请日：2012-07-24
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L23/49816 , H01L24/19 , H01L2224/12105 , H01L2924/01029 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , Y10T29/49126 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156 , Y10T29/49165 , Y10T428/12993 , Y10T428/24355 , Y10T428/24463 , Y10T428/31515 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种布线结构及其制造方法以及电子设备及其制造方法。该布线结构包括：形成在衬底之上的绝缘膜；形成在绝缘膜上的多个布线；以及诱导层，所述诱导层被形成在所述多个布线之间的区域中的绝缘膜上，布线的构成原子在诱导层中扩散。
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公开(公告)号：CN102738070A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210104837.1
申请日：2012-04-06
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/4846 , H01L23/49822 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L2224/04105 , H01L2224/24137 , H01L2924/01029 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 本技术方案涉及一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成绝缘层；在所述绝缘层中形成凹部；在所述绝缘层上形成掩模图案，所述掩模图案具有暴露所述凹部的第一开口，以及设置在所述第一开口的外部并且不暴露所述凹部的第二开口；通过分别在所述第一开口和所述第二开口中沉积导电材料形成第一导电部件和第二导电部件；以及抛光和去除所述绝缘层上侧上的所述第一导电部件和所述第二导电部件以便留下所述凹部中的所述第一导电部件。本技术方案能够形成具有最佳形状的重布线层。
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