公开(公告)号：CN1802606B

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN02802632.2

申请日：2002-08-12

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 野崎耕司 ,  小泽美和 ,  并木崇久 ,  今纯一 ,  矢野映

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/11526 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/095 ,  G03F7/40 ,  H01L21/31138 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11543

Abstract: 本发明提供了一种利用真空紫外光的光蚀刻法实施构图的技术来形成显微图形的方法，抗蚀图形膨胀用材料是由混合包含树脂、交联剂和任何一种非离子表面活性剂及有机溶剂的水溶性或碱溶性组合物所构成的，其中有机溶剂选自醇、直链酯或环酯、酮、直链醚或环醚。

公开(公告)号：CN1477447A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN03149913.9

申请日：2003-07-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小泽美和 ,  野崎耕司 ,  並木崇久 ,  今纯一

IPC: G03F7/038 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/11526 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  G11B5/17 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3163 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11543 ,  Y10S430/11

Abstract: 本发明提供一种光刻胶图案增厚材料，此光刻胶图案增厚材料可以增厚待增厚光刻胶图案以形成精细的中空图案，超过了现有光源的曝光极限，而不管待增厚光刻胶图案的材料或其尺寸如何。所述的光刻胶图案增厚材料包含：树脂；交联剂；以及含氮化合物。在本发明的用于形成光刻胶图案的工艺中，光刻胶图案增厚材料被施加到待增厚光刻胶图案的表面，由此形成光刻胶图案。本发明的用于制造半导体器件的工艺包括：将增厚材料施加到已形成于下层之上的待增厚光刻胶图案的表面，以增厚待增厚光刻胶图案并形成光刻胶图案；以及通过利用光刻胶图案刻蚀而对下层进行制图。

公开(公告)号：CN103165556B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201210410626.0

申请日：2012-10-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今纯一

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/31 ,  H01L23/36 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/36 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/564 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体器件、半导体器件制造方法和电子器件。所述半导体器件包括：绝缘层、设置在绝缘层内的第一半导体元件和第二半导体元件、具有比绝缘层更高的热导率并经由绝缘层围绕第一半导体元件和第二半导体元件的框以及设置在绝缘层上并包括电连接到第一半导体元件和第二半导体元件的电极的布线层。

公开(公告)号：CN104064590A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410066965.0

申请日：2014-02-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今纯一 ,  中田义弘 ,  牧山刚三

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/28587 ,  H01L23/5222 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有包括衬底、形成在衬底的主平面的一部分之上的第一绝缘膜、形成在第一绝缘膜的表面之上的导电部分、以及第二绝缘膜的结构的半导体器件，其中第二绝缘膜覆盖衬底的主平面、第一绝缘膜和导电部分，并且第二绝缘膜的耐湿性高于第一绝缘膜的耐湿性。第一绝缘膜置于衬底与导电部分之间以防止寄生电容的产生。第一绝缘膜用耐湿性高于第一绝缘膜的耐湿性的第二绝缘膜覆盖。第二绝缘膜防止第一绝缘膜吸收水分。

公开(公告)号：CN102651308A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210042246.6

申请日：2012-02-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  武田正行 ,  中村哲一 ,  今纯一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/335 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/67057 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法和清洁半导体衬底的方法，所述制造半导体器件的方法包括：以表面相对于垂直方向和水平方向倾斜的方式保持半导体衬底；以及将半导体衬底浸没在含有酸的清洁溶液中。

公开(公告)号：CN1421743A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02124689.0

申请日：2002-03-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 野崎耕司 ,  小澤美和 ,  並木崇久 ,  今纯一 ,  矢野映

IPC: G03F7/038 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/11526 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  G11B5/17 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3163 ,  H01L21/0273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11543

Abstract: 抗蚀剂图形增厚材料含有树脂、交联剂和水溶性芳香化合物。抗蚀剂图形包括在下层抗蚀剂图形上的上层，下层抗蚀剂图形与上层的腐蚀率(/s)的比(下层抗蚀剂图形/上层)为1.1或更高，或包括在下层抗蚀剂图形上的含有芳香化合物的上层。形成抗蚀剂图形的方法包括在形成下层抗蚀剂图形之后在图形的表面涂覆抗蚀剂图形增厚材料。半导体器件包括由抗蚀剂图形形成的图形。半导体器件的制造方法包括在底层上形成下层抗蚀剂图形之后，在图形的表面涂覆抗蚀剂图形增厚材料以增厚图形，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。

公开(公告)号：CN104062851B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201310611191.0

申请日：2013-11-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今纯一 ,  中田义弘

IPC: G03F7/038 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0757 ,  C07F7/0838 ,  G03F7/0043 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及抗蚀剂组合物和用于形成图案的方法。所述抗蚀剂组合物包含：溶剂；和在所述溶剂中的树脂，所述树脂通过在酸或碱的存在下水解并缩合包含与硅原子或锗原子相结合的烷氧基的含烷氧基化合物来制备，其中利用能量辐射辐照的所述抗蚀剂组合物的一部分在显影液中是不可溶的。

公开(公告)号：CN104064590B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201410066965.0

申请日：2014-02-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今纯一 ,  中田义弘 ,  牧山刚三

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/28587 ,  H01L23/5222 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有包括衬底、形成在衬底的主平面的一部分之上的第一绝缘膜、形成在第一绝缘膜的表面之上的导电部分、以及第二绝缘膜的结构的半导体器件，其中第二绝缘膜覆盖衬底的主平面、第一绝缘膜和导电部分，并且第二绝缘膜的耐湿性高于第一绝缘膜的耐湿性。第一绝缘膜置于衬底与导电部分之间以防止寄生电容的产生。第一绝缘膜用耐湿性高于第一绝缘膜的耐湿性的第二绝缘膜覆盖。第二绝缘膜防止第一绝缘膜吸收水分。

公开(公告)号：CN102646587B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201210037725.9

申请日：2012-02-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今纯一

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/02 ,  C11D7/32 ,  C11D7/26 ,  C11D10/02

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D7/5013 ,  C11D7/5022 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及一种制造化合物半导体器件的方法和洗涤剂，所述方法包括：形成化合物半导体叠层结构；除去化合物半导体叠层结构的一部分，以便形成凹形部分；使用洗涤剂清洁凹形部分的内部，其中所述洗涤剂包含与凹形部分中存在的残留物相容的基础树脂和溶剂。

公开(公告)号：CN102610557B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201210024955.1

申请日：2012-01-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今纯一

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76829 ,  C09D129/04 ,  C09D129/14 ,  C09D139/06 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  C08L25/18 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种表面覆盖方法，其以覆盖层叠体的至少绝缘膜表面的方式涂布表面覆盖材料，从而在所述绝缘膜表面形成覆膜，其中，所述表面覆盖材料含有水溶性树脂、有机溶剂和水，所述层叠体具有在表面上露出的绝缘膜和在表面上露出的被图案化的金属布线。