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公开(公告)号：CN1421743A
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN02124689.0
申请日：2002-03-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/038 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/11526 , G03F7/0035 , G03F7/40 , G11B5/17 , G11B5/313 , G11B5/3163 , H01L21/0273 , H01L27/115 , H01L27/11543
Abstract: 抗蚀剂图形增厚材料含有树脂、交联剂和水溶性芳香化合物。抗蚀剂图形包括在下层抗蚀剂图形上的上层，下层抗蚀剂图形与上层的腐蚀率(/s)的比(下层抗蚀剂图形/上层)为1.1或更高，或包括在下层抗蚀剂图形上的含有芳香化合物的上层。形成抗蚀剂图形的方法包括在形成下层抗蚀剂图形之后在图形的表面涂覆抗蚀剂图形增厚材料。半导体器件包括由抗蚀剂图形形成的图形。半导体器件的制造方法包括在底层上形成下层抗蚀剂图形之后，在图形的表面涂覆抗蚀剂图形增厚材料以增厚图形，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。
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公开(公告)号：CN1477447A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN03149913.9
申请日：2003-07-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/038 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/11526 , G03F7/0035 , G03F7/40 , G11B5/17 , G11B5/313 , G11B5/3163 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L27/105 , H01L27/11543 , Y10S430/11
Abstract: 本发明提供一种光刻胶图案增厚材料，此光刻胶图案增厚材料可以增厚待增厚光刻胶图案以形成精细的中空图案，超过了现有光源的曝光极限，而不管待增厚光刻胶图案的材料或其尺寸如何。所述的光刻胶图案增厚材料包含：树脂；交联剂；以及含氮化合物。在本发明的用于形成光刻胶图案的工艺中，光刻胶图案增厚材料被施加到待增厚光刻胶图案的表面，由此形成光刻胶图案。本发明的用于制造半导体器件的工艺包括：将增厚材料施加到已形成于下层之上的待增厚光刻胶图案的表面，以增厚待增厚光刻胶图案并形成光刻胶图案；以及通过利用光刻胶图案刻蚀而对下层进行制图。
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公开(公告)号：CN1475530A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03149911.2
申请日：2003-07-29
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: C08K9/08
Abstract: 本发明提供了一种生物可降解树脂复合物，其中生物可降解树脂复合物具有优异的物理性能，如强度、耐水性、成型可加工性、耐热性，并适合于用于各种电器产品的模塑制品。本发明的生物可降解树脂复合物包含生物可降解树脂和用生物可降解包覆树脂包覆的填料，其中将用生物可降解包覆树脂包覆的填料包含在生物可降解树脂之中。优选的方案为：填料是云母、滑石和蒙脱土中的至少一种；生物可降解树脂的填料含量在质量含量5％至50％的范围中；填料的平均直径在0.01μm至200μm的范围中；以及生物可降解树脂是聚乳酸。
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公开(公告)号：CN100516135C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN03149911.2
申请日：2003-07-29
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: C08K9/08
Abstract: 本发明提供了一种生物可降解树脂复合物，其中生物可降解树脂复合物具有优异的物理性能，如强度、耐水性、成型可加工性、耐热性，并适合于用于各种电器产品的模塑制品。本发明的生物可降解树脂复合物包含生物可降解树脂和用生物可降解包覆树脂包覆的填料，其中将用生物可降解包覆树脂包覆的填料包含在生物可降解树脂之中。优选的方案为：填料是云母、滑石和蒙脱土中的至少一种；生物可降解树脂的填料含量在质量含量5%至50%的范围中；填料的平均直径在0.01μm至200μm的范围中；以及生物可降解树脂是聚乳酸。
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公开(公告)号：CN100478780C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN02152770.9
申请日：2002-11-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/095 , G03F7/038 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 抗蚀图增厚材料含有树脂、交联剂和具有环状结构的化合物或部分具有环状结构的树脂。抗蚀图包括在要增厚的抗蚀图上的表面层，在相同条件下，要增厚的抗蚀图与表面层的腐蚀率(nm/s)之比(要增厚的抗蚀图/表面层)为1.1或更大，或包括在要增厚的抗蚀图上的表面层。形成抗蚀图的工艺包括在形成要增厚的抗蚀图之后在表面涂覆抗蚀图增厚材料。半导体器件包括由抗蚀图形成的图形。半导体器件的制造工艺包括在底层上形成要增厚的抗蚀图之后，在图形的表面涂覆增厚材料来增厚，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1421744A
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN02152770.9
申请日：2002-11-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/095 , G03F7/038 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 抗蚀图增厚材料含有树脂、交联剂和具有环状结构的化合物或部分具有环状结构的树脂。抗蚀图包括在要增厚的抗蚀图上的表面层，在相同条件下，要增厚的抗蚀图与表面层的腐蚀率(nm/s)之比(要增厚的抗蚀图/表面层)为1.1或更大，或包括在要增厚的抗蚀图上的表面层。形成抗蚀图的工艺包括在形成要增厚的抗蚀图之后在表面涂覆抗蚀图增厚材料。半导体器件包括由抗蚀图形成的图形。半导体器件的制造工艺包括在底层上形成要增厚的抗蚀图之后，在图形的表面涂覆增厚材料来增厚，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。
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公开(公告)号：CN101034256B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200710005436.X
申请日：2002-11-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/00 , H01L21/027 , H01L21/00
CPC classification number: H01L27/11526 , G03F7/0035 , G03F7/40 , G11B5/17 , G11B5/313 , G11B5/3163 , H01L21/0273 , H01L27/115 , H01L27/11543
Abstract: 抗蚀图增厚材料含有树脂、交联剂和具有环状结构的化合物或部分具有环状结构的树脂。抗蚀图包括在要增厚的抗蚀图上的表面层，在相同条件下，要增厚的抗蚀图与表面层的腐蚀率(nm/s)之比(要增厚的抗蚀图/表面层)为1.1或更大，或包括在要增厚的抗蚀图上的表面层。形成抗蚀图的工艺包括在形成要增厚的抗蚀图之后在表面涂覆抗蚀图增厚材料。半导体器件包括由抗蚀图形成的图形。半导体器件的制造工艺包括在底层上形成要增厚的抗蚀图之后，在图形的表面涂覆增厚材料来增厚，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。
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公开(公告)号：CN101034256A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710005436.X
申请日：2002-11-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/00 , H01L21/027 , H01L21/00
CPC classification number: H01L27/11526 , G03F7/0035 , G03F7/40 , G11B5/17 , G11B5/313 , G11B5/3163 , H01L21/0273 , H01L27/115 , H01L27/11543
Abstract: 抗蚀图增厚材料含有树脂、交联剂和具有环状结构的化合物或部分具有环状结构的树脂。抗蚀图包括在要增厚的抗蚀图上的表面层，在相同条件下，要增厚的抗蚀图与表面层的腐蚀率(nm/s)之比(要增厚的抗蚀图/表面层)为1.1或更大，或包括在要增厚的抗蚀图上的表面层。形成抗蚀图的工艺包括在形成要增厚的抗蚀图之后在表面涂覆抗蚀图增厚材料。半导体器件包括由抗蚀图形成的图形。半导体器件的制造工艺包括在底层上形成要增厚的抗蚀图之后，在图形的表面涂覆增厚材料来增厚，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。
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公开(公告)号：CN1311304C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN03149913.9
申请日：2003-07-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/11526 , G03F7/0035 , G03F7/40 , G11B5/17 , G11B5/313 , G11B5/3163 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L27/105 , H01L27/11543 , Y10S430/11
Abstract: 本发明提供一种光刻胶图案增厚材料，此光刻胶图案增厚材料可以增厚待增厚光刻胶图案以形成精细的中空图案，超过了现有光源的曝光极限，而不管待增厚光刻胶图案的材料或其尺寸如何。所述的光刻胶图案增厚材料包含：树脂；交联剂；以及含氮化合物。在本发明的用于形成光刻胶图案的工艺中，光刻胶图案增厚材料被施加到待增厚光刻胶图案的表面，由此形成光刻胶图案。本发明的用于制造半导体器件的工艺包括：将增厚材料施加到已形成于下层之上的待增厚光刻胶图案的表面，以增厚待增厚光刻胶图案并形成光刻胶图案；以及通过利用光刻胶图案刻蚀而对下层进行制图。
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