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公开(公告)号：CN1068951C
公开(公告)日：2001-07-25
申请号：CN96117959.7
申请日：1996-12-25
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 渡部庆二 , 野崎耕司 , 五十岚美和 , 仓光庸子 , 矢野映 , 並木崇久 , 白泷博 , 大塚庆太 , 金峰理明 , 上源裕二
IPC: G11B5/39
Abstract: 本发明的制造磁致电阻磁头的方法包括在构成磁致电阻器件的多层薄膜上形成有机薄膜、在有机薄膜上形成由抗蚀剂或无机薄膜组成的上面的薄膜、制作有机薄膜和上面的薄膜的图形，使有机薄膜图形的边缘从上面的薄膜图形的边缘向内凹入，从而使在上面的薄膜和多层薄膜上形成的薄的薄膜的颗粒不与有机薄膜图形的侧面部分接触的步骤。
