公开(公告)号：CN1189927C

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN02118438.0

申请日：2002-04-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中田义弘 ,  铃木克己 ,  杉浦岩 ,  矢野映

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 多孔绝缘膜28、40、50由一种绝缘膜形成材料形成，该材料包括具有含C-C键骨架的硅化合物，被热处理分解或蒸发的孔形成材料以及溶解硅化合物和孔形成材料的溶剂，由此多孔绝缘膜可以具有良好的机械强度和较低的介电常数。

公开(公告)号：CN1416158A

公开(公告)日：2003-05-07

申请号：CN02118438.0

申请日：2002-04-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中田义弘 ,  铃木克己 ,  杉浦岩 ,  矢野映

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 多孔绝缘膜28、40、50由一种绝缘膜形成材料形成，该材料包括具有含C－C键骨架的硅化合物，被热处理分解或蒸发的孔形成材料以及溶解硅化合物和孔形成材料的溶剂，由此多孔绝缘膜可以具有良好的机械强度和较低的介电常数。