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公开(公告)号：CN118028967A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410347379.7
申请日：2024-03-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种重掺单晶自动放肩的控制方法、装置和可读介质，属于拉晶电气控制技术领域，通过实时采集的实际直径对拉速进行反馈调节，并进行功率干预，以使放肩过程中按照预定的先进行纵向生长，再进行稳定生长，最后进行横向生长，进而重掺放肩过程中拉速的控制精度提高，并适当通过功率进行温度补偿，使得放肩过程中稳定性提高。
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公开(公告)号：CN117418302A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311399827.X
申请日：2023-10-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供改善IGBT氧含量面内分布的拉晶方法及单晶晶棒，在化料步骤中，通过石英加料器进行加料，降低初始氧含量；当化料结束后，调节加热器的高度，使得加热器的发热区处于硅液的液面位置以下，并且调节水平磁场的位置，使得磁场中心位于液面下方；在等径时，在预定磁场强度下，调节磁场与石英坩埚上升的速度，以抑制坩埚熔体内垂直切割磁力线的热对流，以达到降低流体高速运动的目的，使得产生的涡流减小，同时熔体中的强迫对流方向与磁场分量的方向垂直，强迫对流也被减弱，而靠近坩埚内熔体表面的对流几乎被完全抑制，而平行与磁场发现的对流流动速度加快，利于借助自然对流改善熔体内的氧浓度分布，使氧含量的面内分布均匀。
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公开(公告)号：CN116479517A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310436939.1
申请日：2023-04-21
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 , 北方民族大学
Abstract: 本发明提供用于IGBT的低氧单晶硅的制备方法，涉及单晶硅制备方法的技术领域，当拉制200mm以上直径的晶棒时，在化料步骤中，加热器的发热区的底部与硅溶液的液面位于同一水平线，进行多次加料，当化料结束后，在整个拉晶阶段，调节加热器上升第一预定距离，使得加热器的发热区位于所述硅溶液的液面上方，使得拉晶前期氧含量降低；在加热器上升的过程中，施加水平磁场，并调节水平磁场下降至第二预定距离，使磁场中心位于液面下方，以抑制坩埚底部对流，降低石英坩埚溶解时间，进一步降低氧含量；在等径步骤中，根据石英坩埚的上升速度降低水平磁场的强度，进行拉晶，得到晶棒氧含量小于5ppma，以得到能够用于IGBT所需的硅片。
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公开(公告)号：CN114836820A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210460897.0
申请日：2022-04-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种能够提高重掺磷低电阻整棒率的方法，包括：提供单晶炉；提供安装在上述单晶炉内的分体式加热器；在单晶拉制过程中，主加热器和辅助加热器以预设比例功率进行加热。采用主加热器和辅助加热器的上下分体结构、以及以上述预设比例功率进行加热的方法，在拉晶过程中随着坩埚逐渐抬升，通过辅助加热器的发热量来加大对坩埚内一边减少一边逐渐随坩埚逐渐抬升的熔体液面的辐射，更重要的是对固液界面附近的辐射，改善熔体对流，从而增大掺杂剂在硅熔体中的扩散，避免分凝作用产生的组分过冷现象，使晶体生长界面变得稳定，利于单晶生长,使拉晶的整棒率得以提升。
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公开(公告)号：CN113564691A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110794760.4
申请日：2021-07-14
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种重掺砷硅单晶收尾方法及装置，属于重掺杂硅单晶生产技术领域。方法根据等径结束后的埚跟比，首先计算理论拉速上调比例X，以该理论拉速上调比例调节进入收尾时的单晶拉速，进行收尾工序。收尾过程中，根据收尾长度，计算拉速上调比例X，逐级调大单晶拉速，直至收尾结束。实践表明，通过本发明提供的重掺砷硅单晶收尾方法能够有效替代人工主观调整，降低劳动强度，减缓重掺砷硅单晶收尾过程对技术人员的主观依赖。同时，采用本发明提供的重掺砷硅单晶收尾方法能够有效降低重掺砷硅单晶晶棒的尾部NG率，提高重掺砷硅单晶晶棒的良率，收尾NG率由传统技术人员进行调整的45%降低至15%，减少硅原料损失，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN119145040A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411353496.0
申请日：2024-09-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种降低重掺超低阻引放次数的方法，涉及重掺单晶拉晶方法技术领域，包括依次进行的掺杂步骤、氧化步骤、试温步骤，在所述掺杂步骤与所述试温步骤之间增加氧化步骤，通过在掺杂结束后，在预定坩埚转速、预定氩气流量、预定炉压下氧化预定时间，一方面，掺杂剂挥发量最小进而掺杂剂最大程度进入熔汤表面，进而保证电阻率要求；另一方面，改善熔汤对流，使得熔汤上表面的掺杂剂进入熔汤中后能够充分得到“搅拌”进而杂质在熔汤内分布均匀，使得放肩NG率降低。
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公开(公告)号：CN118563409A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410645015.7
申请日：2024-05-23
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善终端产品电性均匀性的热场及拉晶方法，涉及重掺单晶硅拉晶技术领域，通过在所述降温上部断热材的下部设置空心层，所述降温热屏部位于所述石英坩埚的上方，所述降温上部断热材位于所述断热材部的上方，所述降温热屏部的上端与所述降温上部断热材的上方搭接，所述降温上部断热材与所述断热材部组装，以改善热场温度梯度，以使温度梯度增大，进而在拉晶过程中，晶棒在800℃‑1100℃的停留时间缩短，缺陷生长周期减短，避免已均质成核和异质成核借着过饱和析出而聚结形成的微缺陷，从而降低微缺陷密度，使得终端产品性能均匀性提高。
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公开(公告)号：CN118305657A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410614488.0
申请日：2024-05-17
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种晶棒滚磨装置及滚磨方法，包括第一夹持部、第二夹持部、清洗机构、磨削机构、开槽机构；第一夹持部、第二夹持部可将晶棒夹持固定且能带动晶棒沿其轴线周向转动；磨削机构包括可沿晶棒轴向方向移动的支架、以及设于支架上的磨削砂轮、第一出水管、第二出水管；第一出水管上设有与第一出水管形成夹角的第一喷头，第二出水管上设有与第二出水管形成夹角的第二喷头；开槽机构包括可沿晶棒轴向方向移动的固定架、以及设于固定架上的开槽砂轮、第三出水管；第三出水管上设有与第三出水管形成夹角的第三喷头；清洗机构设于晶棒的正上方。本发明可使加工中的晶棒表面保持干净，有效的带走磨屑和热量，降低了晶棒表面的粗糙度和减少了晶棒的损伤层。
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公开(公告)号：CN118007229A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410347030.3
申请日：2024-03-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种重掺单晶引晶放肩的拉晶方法，属于单晶炉提拉法生长单晶技术领域，在引晶时根据第一预定引晶直径、第一预定引晶温度曲线、第一预定拉速曲线进行引晶，使得引晶直径、拉速、温度相互匹配，使得引晶质量提高，进而引放次数降低，引晶结束后，根据预设的不同放肩高度的放肩肩型夹角的角度设定值得到放肩直径D；根据放肩直径D、第二预定放肩功率曲线、第二预定拉速曲线、第二预定拉速上限曲线、第二预定拉速曲线下限曲线进行放肩，以在不同阶段拉制不同放肩肩型夹角的肩型，使得引晶带来的温度差被消弭且放肩过程以预定的生长状态生长，使得单晶结构不被破坏，使得引晶、放肩过程中NG率显著降低。
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公开(公告)号：CN117568919A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311553200.5
申请日：2023-11-21
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种提高掺硼单晶硅BMD的方法及单晶晶棒，涉及单晶硅拉晶技术领域，在等径拉晶过程中，降低拉速为预定值进行拉晶，以延长BMD形成的时间，使得BMD有充足的时间成核、生长，使得掺硼单晶硅的BMD增加达到1E9 ea/cm3以上，达到规格要求，提高良率。
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