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公开(公告)号：CN112233984B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202010466810.1
申请日：2020-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 凡卡塔·史瑞帕西·沙珊卡·普雷塔帕 , 陈俊宏 , 郑文豪
Abstract: 本公开描述了用于管理形成在半导体晶圆上的部件的平坦化的技术。所公开的技术通过调整在晶圆表面上的各个区域内形成的微凸块的图案密度来实现在晶圆表面上形成的微凸块结构的相对平坦化。可以增大或减小在给定晶圆表面区域内形成的微凸块的表面面积尺寸，以改变图案密度。可以将伪微凸块插入给定晶圆表面区域以增加图案密度。本发明的实施例还涉及形成半导体器件的方法以及系统。
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公开(公告)号：CN116193847A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310366031.8
申请日：2018-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B10/00 , H01L21/8238
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底；第一鳍结构，突出于半导体衬底；第二鳍结构，突出于所述半导体衬底；碳阻挡区，设置在所述半导体衬底的位于所述第一鳍结构和所述第二鳍结构之间的区域；第一p型阱区，设置在所述第一鳍结构下面的所述半导体衬底中；以及第一n型阱区，设置在所述第二鳍结构下面的所述半导体衬底中，其中，所述第一p型阱区包括下p型阱区和设置在所述下p型阱区域上方的上p型阱区，并且所述碳阻挡区设置在所述下p型阱区和所述第一n型阱区的边界区域。
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公开(公告)号：CN114220786A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111305467.3
申请日：2021-11-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及半导体结构、有机中介层及其形成方法。该有机中介层包括互连级介电材料层、至少一介电覆盖层、接合级介电层以及双层电感结构。互连级介电材料层内埋重分布互连结构。所述至少一介电覆盖层覆于最顶层互连级介电材料层之上。接合级介电层覆盖于所述至少一介电覆盖层之上。双层电感结构可包括下导电线圈、导电通孔结构以及上导电线圈。下导电线圈内埋于最顶层互连级介电材料层内。导电通孔结构垂直地延伸通过所述至少一介电覆盖层。上导电线圈内埋于接合级介电层内，并包括铜。
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公开(公告)号：CN109848839B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201810768065.9
申请日：2018-07-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 对晶圆实施平坦化工艺。在各个实施例中，平坦化工艺可以包括化学机械抛光(CMP)工艺。收集并分析由平坦化工艺产生的副产物。基于分析，实施用于平坦化工艺的一种或多种工艺控制。在一些实施例中，工艺控制包括(但不限于)工艺终点检测或基于检测与平坦化工艺相关联的错误而停止平坦化工艺。本发明还提供了平坦化工艺控制的实施方法及集成电路制造系统。
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公开(公告)号：CN110729198A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910639113.9
申请日：2019-07-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 本发明实施例涉及半导体装置制造方法及相关半导体裸片。本发明实施例涉及一种半导体装置制造方法，其包含：通过根据与各形成位点相关的环境密度调整形成因数来使多个导电凸块同时分别形成于多个形成位点上；其中所述多个导电凸块包含小于一值的凸块间高度均匀性，且所述环境密度由预定范围内各形成位点周围的相邻形成位点的数目确定。
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公开(公告)号：CN110648973A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201811318540.9
申请日：2018-11-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8244 , H01L27/11 , H01L21/8238
Abstract: 一种制造半导体器件的方法，在半导体衬底中形成第一导电类型注入区，并且在第一导电类型注入区的侧边界区处形成碳注入区。本发明实施例涉及制造半导体器件的方法以及半导体器件。
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公开(公告)号：CN106791757B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201510815762.1
申请日：2015-11-23
Applicant: 创意电子股份有限公司 , 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H04N9/73
CPC classification number: H04N1/60 , G06K9/6202 , H04N1/6086
Abstract: 本发明揭露一种影像校正系统及其方法。影像校正系统包含储存装置以及处理器。储存装置储存多个参考图形，且每一参考图形对应于一色温，处理器用以执行以下操作：接收输入影像，将输入影像转换成对应的多个输入色域点；依据输入色域点的分布产生输入图形，且输入图形包围此多个输入色域点；将输入图形与多个参考图形进行比对，据以产生比对结果；以及依据比对结果，估算输入影像对应的色温，进而为输入影像进行调整。
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公开(公告)号：CN108214283A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201710811366.0
申请日：2017-09-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B24B37/26 , B24B37/005 , B24B37/10 , B24B37/22 , B24B37/24 , B24B49/12 , B24B53/017 , B24B37/107
Abstract: 一种研磨垫，包含第一区域，第一区域具有第一几何性质及第一材料性质。研磨垫还包含第二区域，第二区域具有第二几何性质及第二材料性质，其中第二区域比第一区域更靠近研磨垫的边缘。第一几何性质不同于第二几何性质、或第一材料性质不同于第二材料性质。
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公开(公告)号：CN102456665B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201110312112.7
申请日：2011-10-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L27/08 , H01L21/768 , H01L21/02
CPC classification number: H01G4/005 , H01L23/5223 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , Y10T29/43 , H01L2924/00
Abstract: 用于金属-氧化物-金属电容器的保护结构，一种电容器结构包括第一组电极、第二组电极以及多个线插头。第一组电极具有第一电极和第二电极，第一电极和第二电极形成在多个金属化层中的第一金属化层中，其中，第一电极和第二电极通过绝缘材料间隔开。第二组电极具有第三电极和第四电极，第三电极和第四电极形成在多个金属化层中的第二金属化层中，其中，第三电极和第四电极通过绝缘材料间隔开。多个线插头将第二组电极连接到第一组电极。
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公开(公告)号：CN101320681B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200710165144.2
申请日：2007-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L21/8242 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L29/7833
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构的制造方法，包括：在一基材的一晶体管区与一电容器区中形成一介电层；在该介电层上形成一导电层；形成一光刻层以覆盖该导电层位于该晶体管区中的一第一区，并暴露出该导电层位于该电容器区中的一第二区；注入掺杂质以穿过未被该光刻层覆盖的位于该电容器区中的该第二区的该介电层和该导电层，以在该电容器区中形成一底部电极；以及图案化该介电层和该导电层以在该电容器区中形成一上方电极和一电容器介电层，并在该晶体管区中形成一栅极和一栅介电层。
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