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公开(公告)号:CN110660440A
公开(公告)日:2020-01-07
申请号:CN201910451961.7
申请日:2019-05-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种写入线电路包括:电源节点,被配置为承载电源电压电平;参考节点,被配置为承载参考电压电平;第一输入节点,被配置为接收第一数据信号;第二输入节点,被配置为接收第二数据信号;第三输入节点,被配置为接收控制信号;和输出节点。所述写入线电路被配置为响应于所述第一数据信号、所述第二数据信号和所述控制信号而在所述输出节点上输出所述电源电压电平或所述参考电压电平中的一个,或使所述输出节点浮置。本发明的实施例还提供了浮置数据线电路及其方法。
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公开(公告)号:CN113176872B
公开(公告)日:2024-03-26
申请号:CN202011635161.X
申请日:2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种存储器器件包括多个位线、多个字线和存储器单元阵列,该存储器单元阵列包括耦合到位线和字线的多个位单元。位单元中的每一个配置为在位线上呈现初始逻辑状态。电源端子耦合到存储器单元阵列。控制器耦合到字线和位线,并且配置为在RNG阶段期间将位线预充电到低于第一电压电平的第二电压电平,并且确定多个位单元的初始逻辑状态以生成随机数。第一电压电平是用于在SRAM阶段期间操作存储器单元阵列的电压电平。本发明的实施例还涉及随机数发生器及其操作方法。
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公开(公告)号:CN113782080B
公开(公告)日:2023-08-25
申请号:CN202110476757.8
申请日:2021-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/418
Abstract: 一种存储器件包括:多个存储器单元;字线,连接到多个存储器单元中的一个,字线被配置为提供第一WL脉冲,第一WL脉冲具有限定第一WL脉冲的脉冲宽度的上升沿和下降沿;第一跟踪WL,形成为与存储器单元相邻,第一跟踪WL被配置为通过物理地或可操作地耦合到被配置为将逻辑状态写入存储器单元的位线(BL)而提供具有上升沿的第二WL脉冲,上升沿具有减小的斜率;以及第一跟踪BL,被配置为模拟BL,第一跟踪BL耦合到第一跟踪WL,使得基于第二WL脉冲的上升沿的减小的斜率而增加第一WL脉冲的脉冲宽度。本发明的实施例还涉及操作存储器件的方法。
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公开(公告)号:CN109215695B
公开(公告)日:2020-11-06
申请号:CN201810584360.9
申请日:2018-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C5/14
Abstract: 电子器件包括内部电源导轨;多个第一主接头开关,用于将内部电源导轨耦合到第一电源;多个第二主接头开关,用于将内部电源导轨耦合到第二电源;辅助电路,包括用于将内部电源导轨耦合到第一电源的第一辅助接头开关和用于将内部电源导轨耦合到第二电源的第二辅助接头开关;反馈电路,反馈电路跟踪第一和第二主接头开关的状态;以及控制电路,控制电路响应于开关控制信号和反馈电路的输出来控制第一主接头开关、第二主接头开关以及第一和第二辅助接头开关。本发明提供了用于电子器件的电源转换方法及存储器件。
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公开(公告)号:CN111048132A
公开(公告)日:2020-04-21
申请号:CN201910963803.X
申请日:2019-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/412 , G11C11/417 , G11C5/14 , H03K17/687
Abstract: 电源开关控制电路包括配置为向存储器阵列供电的电源轨。第一头部开关将电源轨耦合到与第一电源域对应的第一电源。第二头部开关将电源轨耦合到与第二电源域对应的第二电源。控制电路配置为接收选择信号和关闭信号,并且响应于选择信号和关闭信号向第一头部开关和第二头部开关输出控制信号以选择性地将第一头部开关和第二头部开关分别耦合到第一电源和第二电源。控制电路配置为响应于关闭信号并且不考虑选择信号,将控制信号输出到第一头部开关和第二头部开关,以将第一头部开关和第二头部开关与第一电源和第二电源断开。本发明的实施例还涉及存储器器件和控制电源开关的方法。
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公开(公告)号:CN113190071B
公开(公告)日:2022-10-18
申请号:CN202110126509.0
申请日:2021-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种用于调节电源电压的集成电路。在一个方面,集成电路包括金属轨,金属轨,包括连接第一功能电路的第一点和连接第二功能电路的第二点。在一个方面,集成电路包括耦合在金属轨的第一点和金属轨的第二点之间的电压调节器。在一个方面,电压调节器感测金属轨的第二点处的电压,根据在金属轨的第二点处感测的电压,调节金属轨的第一点处的电源电压。本发明的实施例还涉及一种调节电源电压的方法。
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公开(公告)号:CN114649025A
公开(公告)日:2022-06-21
申请号:CN202210006129.8
申请日:2022-01-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/41 , G11C11/413 , G11C5/14
Abstract: 本申请涉及用于存储器设备的功率斜变顺序控制。公开了支持多个功率斜变顺序或模式的存储器设备。例如,电平移位器设备可操作地连接到存储器设备中的存储器宏。电平移位器设备接收至少一个选通信号。基于至少一个选通信号的状态,电平移位器设备输出一个或多个信号,这些信号根据一个或多个功率斜变模式引起或控制存储器宏中的或由存储器宏接收的电压信号斜升、斜降或既斜升又斜降。
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公开(公告)号:CN109215702B
公开(公告)日:2021-08-24
申请号:CN201810689927.9
申请日:2018-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C7/10
Abstract: 本发明公开了用于可配置的存储器存储系统的各个实施例。可配置的存储器从多个工作电压信号中选择性地选择工作电压信号以动态地控制各个工作参数。例如,可配置的存储器存储从多个工作电压信号中选择性地选择最大工作电压信号以最大化读取/写入速度。作为另一实例,可配置的存储器存储从多个工作电压信号中选择性地选择最小工作电压信号以控制使功耗最小化。本发明还提供了选择电路,及可配置的存储器存储系统的操作方法。
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公开(公告)号:CN109215702A
公开(公告)日:2019-01-15
申请号:CN201810689927.9
申请日:2018-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C7/10
Abstract: 本发明公开了用于可配置的存储器存储系统的各个实施例。可配置的存储器从多个工作电压信号中选择性地选择工作电压信号以动态地控制各个工作参数。例如,可配置的存储器存储从多个工作电压信号中选择性地选择最大工作电压信号以最大化读取/写入速度。作为另一实例,可配置的存储器存储从多个工作电压信号中选择性地选择最小工作电压信号以控制使功耗最小化。本发明还提供了选择电路,及可配置的存储器存储系统的操作方法。
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公开(公告)号:CN109215695A
公开(公告)日:2019-01-15
申请号:CN201810584360.9
申请日:2018-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C5/14
Abstract: 电子器件包括内部电源导轨;多个第一主接头开关,用于将内部电源导轨耦合到第一电源;多个第二主接头开关,用于将内部电源导轨耦合到第二电源;辅助电路,包括用于将内部电源导轨耦合到第一电源的第一辅助接头开关和用于将内部电源导轨耦合到第二电源的第二辅助接头开关;反馈电路,反馈电路跟踪第一和第二主接头开关的状态;以及控制电路,控制电路响应于开关控制信号和反馈电路的输出来控制第一主接头开关、第二主接头开关以及第一和第二辅助接头开关。本发明提供了用于电子器件的电源转换方法及存储器件。
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