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公开(公告)号：CN109215702A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810689927.9
申请日：2018-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C7/10
Abstract: 本发明公开了用于可配置的存储器存储系统的各个实施例。可配置的存储器从多个工作电压信号中选择性地选择工作电压信号以动态地控制各个工作参数。例如，可配置的存储器存储从多个工作电压信号中选择性地选择最大工作电压信号以最大化读取/写入速度。作为另一实例，可配置的存储器存储从多个工作电压信号中选择性地选择最小工作电压信号以控制使功耗最小化。本发明还提供了选择电路，及可配置的存储器存储系统的操作方法。
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公开(公告)号：CN109215695A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810584360.9
申请日：2018-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C5/14
Abstract: 电子器件包括内部电源导轨；多个第一主接头开关，用于将内部电源导轨耦合到第一电源；多个第二主接头开关，用于将内部电源导轨耦合到第二电源；辅助电路，包括用于将内部电源导轨耦合到第一电源的第一辅助接头开关和用于将内部电源导轨耦合到第二电源的第二辅助接头开关；反馈电路，反馈电路跟踪第一和第二主接头开关的状态；以及控制电路，控制电路响应于开关控制信号和反馈电路的输出来控制第一主接头开关、第二主接头开关以及第一和第二辅助接头开关。本发明提供了用于电子器件的电源转换方法及存储器件。
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公开(公告)号：CN102163450B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201010203849.0
申请日：2010-06-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 杨振麟
IPC: G11C7/06
CPC classification number: G11C7/08
Abstract: 存储器包括连接至数据线的存储单元。读出放大器连接至数据线。电源节点具有第一电压。第一电压被提供至读出放大器。电荷泵电路连接至读出放大器。电荷泵电路被设置成在进行读取操作时向读出放大器提供第二电压。还公开了一种使用独立读出放大器电压的存储器读取方法。
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公开(公告)号：CN102262902A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010578477.X
申请日：2010-12-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C16/10
Abstract: 本发明提供一种字符线驱动器电路，用以驱动在一内存阵列中的一字符线。此字符线驱动器电路包含一NAND电路具有一对地址输入与一输出；一输出反向器具有一反向器电源供应节点、一输入耦合至NAND电路的输出、以及用以提供一字符线信号的一输出；一电源栅极耦合在一第一电源供应节点与反向器电源供应节点之间；以及一控制电路耦合至电源栅极。控制电路控制电源栅极，以使字符线驱动器电路响应于NAND电路的输出，而处于工作模式或待机模式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113176872A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202011635161.X
申请日：2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种存储器器件包括多个位线、多个字线和存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括耦合到位线和字线的多个位单元。位单元中的每一个配置为在位线上呈现初始逻辑状态。电源端子耦合到存储器单元阵列。控制器耦合到字线和位线，并且配置为在RNG阶段期间将位线预充电到低于第一电压电平的第二电压电平，并且确定多个位单元的初始逻辑状态以生成随机数。第一电压电平是用于在SRAM阶段期间操作存储器单元阵列的电压电平。本发明的实施例还涉及随机数发生器及其操作方法。
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公开(公告)号：CN102262902B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201010578477.X
申请日：2010-12-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C16/10
Abstract: 本发明提供一种字符线驱动器电路，用以驱动在一内存阵列中的一字符线。此字符线驱动器电路包含一NAND电路具有一对地址输入与一输出；一输出反向器具有一反向器电源供应节点、一输入耦合至NAND电路的输出、以及用以提供一字符线信号的一输出；一电源栅极耦合在一第一电源供应节点与反向器电源供应节点之间；以及一控制电路耦合至电源栅极。控制电路控制电源栅极，以使字符线驱动器电路响应于NAND电路的输出，而处于工作模式或待机模式。
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公开(公告)号：CN101751976B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200910203614.9
申请日：2009-05-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C5/14 , G11C11/413 , G05F1/56
CPC classification number: G11C11/413 , G11C5/04 , G11C5/147
Abstract: 本发明涉及一种集成电路结构及应用该结构的芯片组。所述集成电路结构包括存储器。该存储器包括了第一内存宏和第二内存宏，第二内存宏和第一内存宏是相同的。第一电源模块被连接到第一内存宏且用于为第一内存宏提供一个稳定电压。第一电源模块具有一个第一输入和一个第一输出。第二电源模块被连接到第二内存宏且用于为第二内存宏提供一个稳定电压，该第二电源模块和第一电源模块是基本相同的。第二电源模块具有一个第二输入和一个第二输出。第一输入和第二输入是相连的。第一输出和第二输出是相连的。
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公开(公告)号：CN102005246A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010267494.1
申请日：2010-08-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 杨振麟
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L27/112 , H01L27/11226
Abstract: 一种只读存储器布局方法包括，接收设计只读存储器阵列的指令，产生只读存储器阵列的网表，产生表示半导体晶片上只读存储器阵列的实体布局的数据文件，以及存储数据文件于计算机可读取存储媒体。只读存储器阵列的指令定义第一元件的第一布局，其包括耦接至第一字线的第一位单元，一总线，可选择性耦接至具有第一电压电平的第一供应电源，耦接于第二字线的第二布局，以及具有绝缘装置的第三元件的第三布局，其与第二元件或其他第三元件共用一位线接点。第二元件排列于只读存储器阵列的边缘且包括具有一冗余装置。本发明中改善的只读存储器布局有助于减少布局引起的装置劣化效应以及其相关的工艺变异。
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公开(公告)号：CN101751976A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910203614.9
申请日：2009-05-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C5/14 , G11C11/413 , G05F1/56
CPC classification number: G11C11/413 , G11C5/04 , G11C5/147
Abstract: 本发明涉及一种集成电路结构及应用该结构的芯片组。所述集成电路结构包括存储器。该存储器包括了第一内存宏和第二内存宏，第二内存宏和第一内存宏是相同的。第一电源模块被连接到第一内存宏且用于为第一内存宏提供一个稳定电压。第一电源模块具有一个第一输入和一个第一输出。第二电源模块被连接到第二内存宏且用于为第二内存宏提供一个稳定电压，该第二电源模块和第一电源模块是基本相同的。第二电源模块具有一个第二输入和一个第二输出。第一输入和第二输入是相连的。第一输出和第二输出是相连的。
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