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公开(公告)号：CN116936708A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311016583.2
申请日：2023-08-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/40 , H01L33/38 , H01L33/00 , H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过设置所述第一电极和/或第二电极包括Au、Al、Ag、Ni、Be、Cr、Ti、Zn、Pt、W、Ta中的至少两种的堆叠结构。进一步地，所述第一电极和/或第二电极包括含Au层和Al层的至少两种的堆叠结构，且所述第一电极和/或第二电极的表面为Au层，通过Al层中和Au层的价格，同时表面为化学性质稳定的Au层，进而节省成本的同时提高电极的稳定性。其次，所述堆叠结构内具有若干个通孔，且各所述Au层通过嵌入所述通孔的方式形成互连；基于此，在节省成本的同时，充分利用Au良好的导电性的特点，使电极保持低内阻，进而可很好地保证电极的电流传导性能。
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公开(公告)号：CN115911213A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211643189.7
申请日：2022-12-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过所述第一电极作为LED芯片的一个控制接口，实现了呈水平结构的两接触电极(即第一电极和第二电极呈水平结构)或呈垂直结构的两接触电极(即基板和第二电极呈水平结构)。进一步地，本发明中，所述基板包括导电基板，其作为所述LED芯片的另一接触电极；该设计除了可以实现设计的灵活性，也可以通过测试所述第一电极、基板以及第二电极两两之间的伏安特性，以表征所述第一、第二型半导体的表面欧姆接触电阻率，从而为后续的芯片工艺设计提供数据参考，以获得高性能的LED产品。
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公开(公告)号：CN115663012A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211429202.9
申请日：2022-11-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种低热阻LED芯片及其制备方法、分离方法，提供了一复合衬底，所述复合衬底包括沿第一方向依次堆叠的第一衬底、第一键合层以及第二衬底；从而使外延叠层通过第二键合层键合形成于所述第二衬底背离所述第一键合层的一侧表面，进一步地，所述第二键合层和所述第二衬底具有导电性。从而，通过第二衬底的高热导率解决了LED芯片的热阻；同时，通过复合衬底的临时支撑增强了LED晶片的强度，避免了制备过程中的翘曲和破片问题；同时，通过复合衬底的临时支撑可以免除研磨工艺，保证了LED芯片厚度的一致性，并节约了成本。尤其适用于大电流密度的LED芯片。
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公开(公告)号：CN115440861A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211159679.X
申请日：2022-09-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，实现了将电流扩展层与PAD金属层集成到一起的制作方式，即形成集成金属层，用集成金属层取代电流扩展层，在制作集成金属层的过程中采用含Au金属材料，由于Au金属材料的电阻率较低，可以实现较好的电流扩展能力；另外，在PAD制作时，通过刻蚀部分所述外延叠层至绝缘层的方式，裸露出集成金属层中的部分表面，并保留边缘的外延叠层以形成独立的保护墙，该裸露部分承担PAD功能以实现与外部的电连接。通过该方式，节省了单独制作PAD金属层的工序，并同步形成了保护墙，节约了成本。同时，所形成的保护墙弥补了外延叠层刻蚀时在边角所形成的高度差，从而减少了崩边崩角的风险。
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公开(公告)号：CN113036011B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202110234520.9
申请日：2021-03-03
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于LED芯片表面的粗化方法及具粗化表面的LED芯片，本发明提供的用于LED芯片表面的粗化方法，通过将导电基板与外延结构键合后，利用腐蚀截止层作为DE刻蚀时的刻蚀截止，从而在沟槽内部ICP刻蚀气体截止，第一层胶充当粗化掩膜版，在DE刻蚀时完成对外延结构的干法粗化。相对于粗化与DE刻蚀进行分离的传统工艺，此发明将DE刻蚀与粗化相结合，在DE刻蚀的同时对图形进行粗化，可以显著提升效率。同时，对产品匀双层胶，可以通过光刻板图形以及曝光工艺对第一层胶的图形和倾斜角度进行调节，从而对最终的粗化形貌进行调整。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114242866A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111505447.0
申请日：2021-12-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，本发明提供的垂直结构LED芯片，通过在基板表面依次设置键合层、防扩散层、金属反射镜以及外延叠层；其中，所述防扩散层用于防止所述键合层的金属扩散，从而提高产品的可靠性以及外量子效率，此外，所述防扩散层层叠于所述金属反射镜的表面，亦可同步实现金属反射镜中的金属迁移；进一步地，将所述键合层设置为包括含有Sn合金的键合层，将低成本金属Sn代替贵金属Au，可明显降低LED芯片的制造成本。
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公开(公告)号：CN111564543A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010396450.2
申请日：2020-05-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直高压发光二极管芯片及其制作方法，通过垂直高压发光二极管芯片的设计，将第一芯片区处的子背面电极开孔并通过键合层与导电基板电连接，避免了水平电极结构中电极的遮光问题，进而保证了发光二极管芯片的有效发光面积较大；由于该高压发光二极管呈成垂直结构，使得高压发光二极管芯片的电流扩展较好，可避免电流的横向拥堵问题，从而提高电流耐受能力；此外，所述第k连接电极通过所述凸起台面连接第k芯片区的第一类型导电层和与第k+1芯片区接触的子背面电极，可增大金属与第一型半导体层的接触面积，从而降低接触电阻，同时可增大电流注入的面积，进一步地降低了高压发光二极管芯片的工作电压。
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公开(公告)号：CN119050235A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411370422.8
申请日：2024-09-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种高可靠性的通孔型垂直LED芯片及其制作方法，其中，高可靠性的通孔型垂直LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、绝缘结构、集成金属层、欧姆反射层以及外延叠层；其中，外延叠层朝向导电基板的一侧设有显露有源区部分表面的沟道，绝缘结构设置于外延叠层朝向导电基板的一侧，并覆盖沟道、集成金属层及外延叠层的裸露面，通过绝缘结构对沟道进行绝缘，可避免LED芯片在形成切割道时侧壁直接裸露PN结被短路造成侧壁漏电的风险，进而提高LED芯片可靠性和稳定性，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。
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公开(公告)号：CN118173676A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410358325.0
申请日：2024-03-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种LED芯片及其制作方法，其中，LED芯片在导电基板一侧设置堆叠结构，堆叠结构包括沿第一方向依次层叠的N个发光单元，各发光单元皆包括依次堆叠的第一型半导体层、有源区及第二型半导体层，第一型半导体层与所述第二型半导体层的掺杂类型相反，且两个相邻的发光单元之间的相同掺杂类型的半导体层键合电连接，并结合第一型外接电极和第二型外接电极的设置形成并联电连接，使多个发光单元叠层的LED芯片的整体面积与单个发光单元LED芯片的面积的差异相差较小，可减小LED芯片的尺寸，有利于LED芯片的集成封装，还可以在大功率工作环境中使用。
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公开(公告)号：CN117542944A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311706858.5
申请日：2023-12-13
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法，其中，通孔型垂直结构LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、防扩散结构、通孔反射结构、金属反射层、传导层、绝缘层以及外延叠层；其中，防扩散结构用于防止金属键合层的金属材料扩散至通孔反射结构与通孔反射结构形成合金或渗透到通孔反射结构的表面，而影响通孔反射结构的反射效果及产品的稳定性，可用来提高芯片的光提取效率及产品的可靠性，进而提升通孔型垂直结构LED芯片的亮度及可靠性，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。
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