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公开(公告)号：CN115663012A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211429202.9
申请日：2022-11-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种低热阻LED芯片及其制备方法、分离方法，提供了一复合衬底，所述复合衬底包括沿第一方向依次堆叠的第一衬底、第一键合层以及第二衬底；从而使外延叠层通过第二键合层键合形成于所述第二衬底背离所述第一键合层的一侧表面，进一步地，所述第二键合层和所述第二衬底具有导电性。从而，通过第二衬底的高热导率解决了LED芯片的热阻；同时，通过复合衬底的临时支撑增强了LED晶片的强度，避免了制备过程中的翘曲和破片问题；同时，通过复合衬底的临时支撑可以免除研磨工艺，保证了LED芯片厚度的一致性，并节约了成本。尤其适用于大电流密度的LED芯片。
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公开(公告)号：CN107910419B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201711103855.7
申请日：2017-11-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，其中，通过所述发光二极管制备方法制备的发光二极管通过在衬底上设置的台阶，使得相邻台阶上形成的外延结构的第一型导电层和第一方向上相邻的第二型导电层可以至少部分接触，从而可以通过后续形成的透明导电层实现相邻台阶上的外延结构的第一型导电层和第一方向上相邻的第二型导电层的电连接，通过上述方式实现的至少两个外延结构的自串联可以无需通过搭建桥接电极的方式实现，避免了桥接电极可能会出现的断裂风险，并且简化了具有多个外延结构串联的发光二极管的制备难度。
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公开(公告)号：CN107910419A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711103855.7
申请日：2017-11-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/005 , H01L33/387
Abstract: 本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，其中，通过所述发光二极管制备方法制备的发光二极管通过在衬底上设置的台阶，使得相邻台阶上形成的外延结构的第一型导电层和第一方向上相邻的第二型导电层可以至少部分接触，从而可以通过后续形成的透明导电层实现相邻台阶上的外延结构的第一型导电层和第一方向上相邻的第二型导电层的电连接，通过上述方式实现的至少两个外延结构的自串联可以无需通过搭建桥接电极的方式实现，避免了桥接电极可能会出现的断裂风险，并且简化了具有多个外延结构串联的发光二极管的制备难度。
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公开(公告)号：CN218918893U
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202223031310.9
申请日：2022-11-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种低热阻LED芯片，提供了一复合衬底，所述复合衬底包括沿第一方向依次堆叠的第一衬底、第一键合层以及第二衬底；从而使外延叠层通过第二键合层键合形成于所述第二衬底背离所述第一键合层的一侧表面，进一步地，所述第二键合层和所述第二衬底具有导电性。从而，通过第二衬底的高热导率解决了LED芯片的热阻；同时，通过复合衬底的临时支撑增强了LED晶片的强度，避免了制备过程中的翘曲和破片问题；同时，通过复合衬底的临时支撑可以免除研磨工艺，保证了LED芯片厚度的一致性，并节约了成本。尤其适用于大电流密度的LED芯片。
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