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公开(公告)号：CN107946427A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711158981.2
申请日：2017-11-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有高反射区和高导电区电极的发光二极管芯片，反射电极层的接触层由第一接触层和覆盖第一接触层的第二接触层组成，第一接触层包括多个实体区和相邻实体区之间的截断区，使得反射电极层对应实体区的区域的导电性高于对应截断区的区域的导电性为高导电区，且反射电极层对应截断区的区域的反射率高于对应实体区的区域的反射率的为高反射区，进而在保证反射电极层兼顾光提取和电流扩散的能力的同时，进一步提高光提取和电流扩散的能力。
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公开(公告)号：CN105552191B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201610071720.6
申请日：2016-02-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 陈亮 , 李俊贤 , 吴奇隆 , 魏振东 , 刘英策 , 李小平 , 邬新根 , 黄新茂 , 蔡立鹤 , 吕奇孟 , 陈凯轩 , 张永 , 林志伟 , 姜伟 , 卓祥景 , 方天足
IPC: H01L33/40
Abstract: 能增进横向电流扩散并拥有双反射表面的LED芯片电极结构，涉及LED芯片的生产技术领域。本发明包括在GaN层的表层向上依次包覆式设置由Cr层、第一Al层、至少一对TiN/Pt层、Au层、第二Al层和TiN外层组成的梯形结构电极扩展条。本发明的电极结构可以增加电流的横向扩散，并且达到光的多面反射的效果。
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公开(公告)号：CN106435508A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610770888.6
申请日：2016-08-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: C23C14/505 , C23C14/54 , G02B1/10
Abstract: 本发明公开一种折射率连续渐变的光学薄膜制备方法，包括以下步骤：一、样品台设置：提供一基底，将基底设置在通过转动轴实现转动的样品台上，且样品台的转动轴与基底表面平行，二、材料源设置：提供一蒸镀源或溅射靶材，调整蒸镀源或溅射靶材位置，使其向基底入射的方向与样品台的转动轴垂直，蒸镀源或溅射靶材入射方向与基底之间形成可变化的夹角；三、镀膜控制：蒸镀源或溅射靶材向样品台上的基底送入镀膜材料，此时不断转动样品台并控制转速，使基底与蒸镀源或溅射靶材之间的夹角在0-90°内连续变化，制得密度连续变化的光学薄膜。本发明实现蒸镀光学薄膜的折射率的连续控制，制得光学薄膜产品具有更好的光学性能，可有效增加对光的穿透或反射的控制。
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公开(公告)号：CN107946427B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201711158981.2
申请日：2017-11-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有高反射区和高导电区电极的发光二极管芯片，反射电极层的接触层由第一接触层和覆盖第一接触层的第二接触层组成，第一接触层包括多个实体区和相邻实体区之间的截断区，使得反射电极层对应实体区的区域的导电性高于对应截断区的区域的导电性为高导电区，且反射电极层对应截断区的区域的反射率高于对应实体区的区域的反射率的为高反射区，进而在保证反射电极层兼顾光提取和电流扩散的能力的同时，进一步提高光提取和电流扩散的能力。
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公开(公告)号：CN107681026A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710874072.2
申请日：2017-09-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/145 , H01L33/42
Abstract: 本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，其中，所述发光二极管在外延结构表面通过设置重掺杂第二型电流扩展层、多个电流阻挡层和透明导电层的方式，在透明导电层中形成多个电阻大小相当的电流路径，从而实现了发光二极管的立体电流扩展的目的，提升了发光二极管的电流扩展效果；并且由于所述重掺杂第二型电流扩展层和多个电流阻挡层协助所述透明导电层构成了多个电阻大小相当的电流路径，使得所述透明导电层的厚度无需设置较厚也可以实现较好的电流扩展效果，从而实现了在不吸收过多发光二极管的出射光线的前提下，为发光二极管提供良好的电流扩展效果的目的，进而达到提升发光二极管的量子效率，最终提高发光二极管的出光效率的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106025010A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610567047.5
申请日：2016-07-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 陈亮 , 李俊贤 , 吕奇孟 , 吴奇隆 , 陈凯轩 , 张永 , 刘英策 , 李小平 , 魏振东 , 周弘毅 , 黄鑫茂 , 蔡立鹤 , 林志伟 , 姜伟 , 卓祥景 , 方天足
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明公开一种基于导电DBR结构的倒装LED芯片及其制作方法，在衬底上依次生长缓冲层、N‑GaN层、有源层和P‑GaN层，有源层和P‑GaN层刻蚀形成台阶并将N‑GaN层部分裸露，在P‑GaN层台阶上依次形成DBR导电反射层和金属反射层，在N‑GaN层的裸露部分设置N金属导电层及电流扩展条，在金属反射层上方以及N金属导电层和N‑GaN层裸露部分的上方形成绝缘层；所述绝缘层上形成若干通孔，在绝缘层上分别设置P共金层和N共金层，P共金层通过通孔与金属反射层连接，N共金层通过通孔与N金属导电层连接，绝缘层将N金属导电层与P共金层隔离，将DBR导电反射层与N共金层隔离。本发明提高了发光二极管产品的发光可靠性，降低工艺难度和制作成本。
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公开(公告)号：CN110729387B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201911015317.1
申请日：2019-10-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种发光二极管芯片及发光二极管芯片的制造方法，该发光二极管芯片包括：芯片主体；设于芯片主体上的电极层；设于电极层上的钝化保护层；以及熔合保护层，熔合保护层位于电极层与钝化保护层之间，用于将钝化保护层与电极层进行隔离。以此能够改善现有技术中的发光二极管容易发生金属迁移的问题。
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公开(公告)号：CN106449924B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201610770822.7
申请日：2016-08-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开种光热电分离的倒装LED芯片,在衬底上形成缓冲层,在缓冲层上形成N‑GaN,在N‑GaN上形成有源层,在有源层上形成P‑GaN,依次部分蚀刻P‑GaN和有源层直至裸露部分N‑GaN;在P‑GaN上形成金属反射层,在裸露部分N‑GaN形成欧姆接触层,在金属反射层和欧姆接触层上形成导热绝缘层,导热绝缘层上形成导热金属层、P电极和N电极,P电极穿过导热绝缘层与金属反射层连接,N电极穿过导热绝缘层与欧姆接触层连接。本发明还公开种光热电分离的倒装LED芯片制作方法。本发明实现LED芯片光、热及电三重分离,出光面无电极挡光,取光效率高,热量由导热金属层导出,增加芯片可靠性。
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公开(公告)号：CN105789397A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610212121.1
申请日：2016-04-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
Abstract: 一种正装GaN LED芯片及其制作方法，涉及发光二极管LED的生产技术领域。先在衬底的同一侧制作外延层和透明导电层，在N电极扩展条制作区域的透明导电层上，由透明导电层向N?GaN层分别刻蚀形成若干均匀分布的N电极流出孔道；在透明导电层上蒸镀形成电流阻挡层；在P电极扩展条制作区域的电流阻挡层上，由电流阻挡层向透明导电层分别刻蚀形成若干均匀分布的P电极注入孔道；对上述N电极流出孔道上方的电流阻挡层进行延续刻蚀；制作出P电极和P电极扩展条，N电极和N电极扩展条。本发明制作工艺简单、合理、方便，可大大降低成本。
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公开(公告)号：CN105702828A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610212122.6
申请日：2016-04-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Inventor： 陈亮 , 李俊贤 , 吕奇孟 , 吴奇隆 , 陈凯轩 , 张永 , 刘英策 , 李小平 , 魏振东 , 周弘毅 , 黄新茂 , 蔡立鹤 , 林志伟 , 姜伟 , 卓祥景 , 方天足
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L33/405 , H01L31/1884 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 一种复合透明导电层的制作工艺，涉及发光二极管LED芯片、太阳能电池、光电探测器等光电半导体器件的生产技术领域。本发明先在基础材料上形成10nm～300nm的透明导电薄膜层，在所述透明导电薄膜层上蒸镀具有高反射率的金属层，然后再通过100～500℃的合金工艺，制成复合透明导电层。此纳米金属颗粒会促进电流在晶界处（晶粒与晶粒之间）的扩散，相比于常规透明导电层，该复合透明导电层将拥有更好电流扩散效果，应用于光电半导体器件中能增加半导体器件的外量子效率。
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