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公开(公告)号：CN104227168A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410417288.2
申请日：2014-08-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种四边引脚电路拆卸装置，包括热风外罩(1)与设于热风外罩(1)内的热风内罩(2)，热风外罩(1)的顶部开口呈矩形或方形，热风外罩(1)的底部设有连接孔(7)；热风内罩(2)底部封闭，顶部开口呈矩形或方形；热风外罩(1)与热风内罩(2)之间形成与电路四边引脚相对应的四边形热风口(3)；热风外罩(1)与热风内罩(2)通过连接柱(6)固定连接；所述拆卸装置还包括连接套筒(4)，连接套筒(4)的一端通过连接孔(7)与热风外罩(1)固定连接，另一端与热风枪的出风口相套接；通过热风外罩与热风内罩之间形成的四边形热风口对电路的四边引脚同时加热，方便快捷的拆除电路模块，极大地提高了电路模块拆卸的成品率。
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公开(公告)号：CN103441102A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310371881.3
申请日：2013-08-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/78
Abstract: 本发明涉及一种利用陶瓷厚膜电阻器单元修复厚膜混合集成电路的方法，包括以下步骤：（1）制作标准阻值的陶瓷厚膜电阻器单元，（2）修复厚膜混合集成电路，a.隔离不合格厚膜电阻；b.将陶瓷厚膜电阻器单元粘接于不合格的厚膜电阻上；c.将陶瓷厚膜电阻器单元与厚膜电路键合；d.激光有源微调陶瓷厚膜电阻器单元的阻值。本发明显著优点是：利用陶瓷厚膜电阻器单元能够替代直接淀积在基板上的厚膜电阻器，易于更换，能够修复激光功能微调不合格的电路，一旦微调失败，只需要更换新的陶瓷厚膜电阻器单元对电路进行修复即可，而不需要报废整只电路。能有效提高激光功能微调后的电路成品率。
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公开(公告)号：CN102420044B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110395783.4
申请日：2011-12-04
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种微型变压器线圈骨架的固定装置及线圈绕制方法，本发明固定装置由骨架固定轴、金属弹簧及钢珠、抽头固定轴、抽头固定销组、连接轴共五部分构成的线圈骨架固定装置，解决变压器骨架固定和多绕组抽头引出固定的问题，提高微型变压器绕制水平，为变压器绕制提供一条简捷高效、高可靠、适用广泛的方法；并由于该固定装置的使用，也改进了线圈绕制方法，通过安装微型变压器绕制固定装置，安装线圈骨架，绕制线圈，绕组抽头固定等步骤，使本方法提高了微型变压器绕制效率，制作成品率由原来的60%左右提高到95%以上，减少浪费，使变压器制作工艺简捷易行，制作效率提高1倍以上，适用广泛。
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公开(公告)号：CN103594402B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310589203.4
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/673
Abstract: 本发明涉及一种片式器件盛片板，其特征在于：包括平板（1），在平板（1）的一面均布一组与片式器件相对应的盛片孔（3）。本发明的优点：本装置结构简单，制造方便，节约了材料工时成本，提高了片式器件在配料、筛选、领用等环节的工作效率，杜绝错粘漏粘现象的发生，保证产品质量。
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公开(公告)号：CN104934336A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510206904.4
申请日：2015-04-28
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/58
CPC classification number: H01L24/83 , H01L2224/8309
Abstract: 本发明公开一种芯片共晶焊接方法，首先去除焊片与待焊接件的表面污物，接着裁剪焊片，之后将待焊接件、焊片与芯片放入金属容器内，再将金属容器放入可控气氛共晶炉按照工艺要求设定可控气氛共晶炉的温度曲线，对待焊接件与芯片共晶焊接；在可控气氛共晶炉升温之前排出炉内空气，升温过程中充入流量为2L/min的氮气，保证焊片熔化，降温过程中使炉内真空度≤1Pa，真空度保持时间30～60s，使得芯片与待焊接件中的气体，以及焊片熔化产生的气体，在芯片自重和高真空环境的条件下，能够被顺利抽出，最终芯片利用其自重在待焊接件上产生压力，实现与待焊接件的焊接，无需另外设置加压装置，从而保证了在焊接时芯片的表面质量，简化了焊接操作过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103594402A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310589203.4
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/673
CPC classification number: H01L21/67333
Abstract: 本发明涉及一种片式器件盛片板，其特征在于：包括平板（1），在平板（1）的一面均布一组与片式器件相对应的盛片孔（3）。本发明的优点：本装置结构简单，制造方便，节约了材料工时成本，提高了片式器件在配料、筛选、领用等环节的工作效率，杜绝错粘漏粘现象的发生，保证产品质量。
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公开(公告)号：CN103441102B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310371881.3
申请日：2013-08-23
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/78
Abstract: 本发明涉及一种利用陶瓷厚膜电阻器单元修复厚膜混合集成电路的方法，包括以下步骤：（1）、制作标准阻值的陶瓷厚膜电阻器单元，（2）、修复厚膜混合集成电路，a.隔离不合格厚膜电阻；b.将陶瓷厚膜电阻器单元粘接于不合格的厚膜电阻上；c.将陶瓷厚膜电阻器单元与厚膜电路键合；d.激光有源微调陶瓷厚膜电阻器单元的阻值。本发明显著优点是：利用陶瓷厚膜电阻器单元能够替代直接淀积在基板上的厚膜电阻器，易于更换，能够修复激光功能微调不合格的电路，一旦微调失败，只需要更换新的陶瓷厚膜电阻器单元对电路进行修复即可，而不需要报废整只电路。能有效提高激光功能微调后的电路成品率。
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公开(公告)号：CN104392969A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410535314.1
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种多芯片集成电路抗冲击封装结构，其特征在于：将裸芯片（1）和引线（2）键合区集中布置在基板（3）上，采用盖帽（8）将裸芯片（1）及引线键合区置入盖帽内部，盖帽（8）内灌封软质封装材料（10），壳体（12）内集成电路其它部分整体灌封硬质封装材料（11）。本发明的优点在于：盖帽内软质材料灌封能够保护芯片和引线键合在环境应力(尤其是温度变化应力)下不受损伤，又能发挥整体硬质灌封的抗冲击防护作用。盖帽保护结构能够有效防止硬质材料对软质材料的挤压影响和温度应力影响，使芯片和引线键合得到进一步的保护，提高了产品的组装可靠性。
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公开(公告)号：CN102915819A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210377134.6
申请日：2012-10-08
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01C17/242 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种激光有源微调承片台，其特征在于它包括一个底座（5），底座（5）上连接一个支撑筒（4），支撑筒上设有螺孔，其中设有相配合的紧定螺钉（6），设置一个面板（1），面板（1）下面连接有支柱（3），支柱（3）与支撑筒（4）的内孔间隙配合。激光微调承片台放进激光机腔内，把测试台PCB面板固定在面板（1）上，安装好待有源调阻电路。然后通过调整面板（1）中的支柱（3）高度，微调整个承片台的高度（Z轴方向），在符合激光焦距使用要求后，用紧固螺栓锁定支柱后即可开始调阻。本发明的优点：使批量调阻操作更可靠、更方便，聚焦准确，有源调阻参数更精确。
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公开(公告)号：CN102915818A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210377112.X
申请日：2012-10-08
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01C17/065 , H01L21/70
Abstract: 本发明涉及一种厚膜电阻阻值控制方法，包括以下步骤：（1）、当厚膜电阻版图设计长度方向与刮板运行方向相一致时，将厚膜电阻阻值按照设计值减小2.5%进行设计；当厚膜电阻版图设计长度方向与刮板运行方向相垂直时，将厚膜电阻阻值按照设计值增大2.5%进行设计；（2）、当周围加厚膜层厚度分别在20μm～30μm、30μm～40μm以及40μm～60μm范围时，厚膜电阻阻值按照设计值分别增大5%、10%以及15%进行设计；（3）、通过调整电阻膜厚来控制厚膜电阻阻值，按以下公式进行调整：标称方阻值/实际方阻值=实际电阻膜厚/标准电阻膜厚。本发明优点在于：一是控制住厚膜电阻一致性，保证了厚膜电阻质量；二是避免试阻样品浪费，提高了厚膜电路成膜基板加工成品率；三是节约大量试阻时间，提高了厚膜电路成膜基板生产效率。
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