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公开(公告)号：CN114242882B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111479933.X
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种红外探测器芯片的制备方法，它包括以下步骤：第一SOI硅片（1）和第二SOI硅片（3）键合，第二SOI硅片（3）的减薄，第一电阻条（4)、第二电阻条（5）和保护层（14）的制备，金属引线（13）和第二金属引线（12）的制备以及腔（11）的制备。本发明得到的红外探测器芯片，热电偶采用高塞贝克系数的双单晶硅复合结构，在保证芯片响应灵敏度的同时大幅度降低了芯片面积和红外吸收支撑层面积，提高了红外吸收支撑层的刚度，从而使芯片的整体可靠性提高。
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公开(公告)号：CN117191190A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310845604.5
申请日：2023-07-11
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开了一种集成宽波段微光机电法布里‑珀罗滤光芯片阵列及其制作方法，其器件结构包括：一系列谐振腔尺寸不同的法布里‑珀罗滤光芯片，其中每个滤光芯片单元主要包括固定镜、谐振腔、及可动镜；其中固定镜由下至上主要组成部分包括：减反膜、衬底、增反膜、驱动电极以及键合环等；可动镜由下至上主要组成部分包括键合环、驱动电极、增反膜、衬底、增透膜等；固定镜增反膜与可动镜增反膜之间利用键合环形成一系列间距不同的空气腔，用于实现不同初始波长的微光机电法布里‑珀罗滤光芯片单元，一系列具有不同初始波长的微光机电法布里‑珀罗滤光芯片单元构成宽波段微光机电法布里‑珀罗滤光芯片。本发明提供的这种宽波段微光机电法布里‑珀罗滤光芯片可用于微型光谱仪及微型光谱成像仪，具有波长覆盖范围宽、集成度高、工艺简单、成本低的优势。
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公开(公告)号：CN115893302A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211341951.6
申请日：2022-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种热隔离MEMS芯片制备方法及其结构，它包括取硅晶圆，在硅晶圆上设置第一、二隔热介质膜，在硅晶圆背面通过多步骤制备出连通的槽体和内腔，从而形成上端与第二隔热介质膜连通的变径孔，从而完成小型化MEMS隔热芯片结构的制备。提供一种开口小、内腔大的小型化MEMS热隔离芯片结构及制备方法，该结构在保持芯片面积较小的情况下，降低对加工设备能力的要求，工艺简单，适用于MEMS隔热型芯片的最终设计制造。
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公开(公告)号：CN106241731A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610715431.5
申请日：2016-08-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种平板电容MEMS器件电容间隙的控制制备方法，包括以下步骤：S1）采用双抛硅片作为衬底，通过热氧化在衬底上制作第一氧化层，然后在氧化层上利用LPCVD制备氮化硅层；S2）制备衬底容腔，在衬底容腔上制备第二氧化层；S3）通过刻蚀去除衬底容腔以外的氮化硅层，并通过BOE漂去所有的氧化层，形成平板电容式MEMS器件的电容间隙；S4）将可动结构层与制备完电容间隙的衬底硅硅键合，再通过盖帽做晶圆级封装，得到平板电容式MEMS器件；利用高温形成的氧化层厚度控制电容间隙的厚度，由于高温形成的氧化层厚度在片内及片间均有良好的一致性，因此，可以保证平板电容式MEMS器件性能、片内及片间的一致性与重复性，加工工艺比较简单，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN104355284B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410535300.X
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件双面对通介质隔离结构及制备方法，包括硅基体（1）、可动结构（5）以及盖帽（8），可动结构（5）以及盖帽（8）之间用金属粘接剂（7）连接，可动结构（5）与硅基体（1）进行硅硅键合，其特征在于：硅基体（1）中设有对通的绝缘深槽，绝缘深槽中设有填充材料二氧化硅或氮化硅或多晶硅 （3），绝缘深槽之间的硅基体（1）形成隔离电极（4），隔离电极（4）上面与可动结构（5）对应配合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104369085A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410465732.8
申请日：2014-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B24B37/00
CPC classification number: B24B37/10 , B24B37/345
Abstract: 本发明涉及一种硅片抛光粘片方法，其特征在于：抛光头（01）下表面分布着用于真空吸附的浅凹槽（03），将玻璃衬底（02）上的通孔（04）内填入固体蜡（05），加热使得玻璃衬底（02）与待抛光硅片（06）紧密粘贴，实现化学机械抛光粘片的目的。本发明具有如下优点：采用待抛光硅片和玻璃片直接贴合，由于表面光滑，直接贴合后形成范德瓦尔斯力，在加压过程中不易产生相对移动，保证了贴合后待抛光硅片的均匀性和一致性；采用硅片粘合区域仅在玻璃片通孔区域，缩短了溶化后的液态蜡充分浸透的时间，提高化学机械抛光粘片效率；这种方法一致性和可靠性高，工艺易于实现。
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公开(公告)号：CN104355285A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410535317.5
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件的真空封装结构，由SOI硅片制成的衬底层（3）、结构层（2）、盖帽层（1）组成，其特征在于：引线孔（6a）开设在衬底层（3）上，金属电极（6）设置在衬底层（3）中引线孔位置的顶层硅的电极引线（3b）上，盖帽层（1）粘贴在管壳（8）上。本发明与现有的MEMS器件封装结构相比具有如下优点：（1）本结构采用在器件的衬底层上开孔，将电极从背面引出，形成倒挂式器件结构，降低热应力对器件的影响。（2）本结构通过连线设计可以实现三层电极引出，可以根据器件需求，选择电极引出层次。（3）本结构的实现方法采用业界比较成熟的工艺技术，适宜于产业化应用。
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公开(公告)号：CN103600287A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310589123.9
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B24B37/34
Abstract: 机电设备管线固定装置，其特征在于它包括：底座（1），立柱（2）、横梁（3）、锁紧螺母（4）、转子座（5）、固定销（7）、转子（8）、挂钩（9），立柱下端连接在底座上，上侧与横梁配合，锁紧螺母分别将它们固定锁紧，转子座固定在横梁的一侧，转子与转子座配合，挂钩连接在转子上。由于采用了上述技术方案，使得本发明结构简单，解决了加工过程中因管线无法固定造成的影响，具有方便加工和操作，提高工作效率等优点。
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公开(公告)号：CN103558740A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310505575.4
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS圆片双面步进光刻方法，其特征在于包括以下步骤：a.晶圆片在投影步进光刻机进行正面光刻，制作出对准标记（a、a）以及器件结构；b.在双面光刻机中，将晶圆片背面制作出相应的对准标记（b,b）；c.在投影步进光刻机中，对准晶圆片背面的对准标记（b,b），在晶圆片背面光刻制作对应的器件结构。本发明是结合双面光刻技术，在投影步进光刻工艺加工中实现双面结构制作，采用双面光刻机在背面制作一个对准标记，圆片正反两面使用投影步进光刻机进行较高精度套刻工艺制作。
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公开(公告)号：CN103557853A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310505577.3
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01C19/56
CPC classification number: G01C19/56
Abstract: 本发明涉及一种抗高过载的MEMS陀螺，硅片中设有质量块（6），它通过连接梁（1）固支于锚点（7），在质量块（6）的四周对称分布着带有防撞凸点（4）的固定块（3），质量块（6）中心掏空区域设置有带防撞凸点（5）的中心固定块（2），其特征在于：所述质量块（6）上设有一组网格空腔（6a）。本发明具有如下优点：网格空腔质量块的侧壁在碰撞过程中起到了弹性过载保护面的作用，它和防撞凸点共同作用可以释放高冲击产生的高冲击力，有效保护器件敏感结构，提高了器件抗高过载能力。本发明结构简单，采用单晶硅片材料，提高了MEMS陀螺产品的一致性和可靠性，加工工艺比较简单，适合大批量生产。
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