公开(公告)号：CN112271187A

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202011026600.7

申请日：2020-09-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 赵建强 ,  张伟 ,  丁继洪 ,  陈洁 ,  刘中梦雪 ,  刘庆飞 ,  陈计学

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148

Abstract: 本发明涉及一种背照式EMCCD背面结构及其制作方法，高阻外延硅层（8）背面设有P+层（13），并蒸镀一层增透膜（14）；在P+层（13）上制有硼离子注入的P+电极接触区（15b），EMCCD背面设有金属化电极（16），金属化电极与P+电极接触区接触；增透膜、P+层、高阻外延硅层的两侧，露出EMCCD正面金属引线电极（6）。本发明制作的金属化电极与P+电极接触区形成金属化欧姆接触电极，在EMCCD存储区、水平移位寄存器及倍增寄存器背面引入低阻通道，解决了背照式EMCCD低阻衬底去除后，毫米级面阵MOS单元在正面多晶硅栅电极时钟脉冲驱动下电荷转移效率降低的问题，从而提高器件探测灵敏度，同时工艺易于实现，兼容性高。

公开(公告)号：CN116121822A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211515476.X

申请日：2022-11-30

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 房立峰 ,  张伟 ,  包星晨 ,  张子文 ,  赵加乐

IPC: C25D5/08 ,  C25D17/00 ,  C25D21/14

Abstract: 本发明提供一种适用于旋转喷镀的双面电镀工装，它包括配合连接的下环体、上环体和上盖，在下环体上设有带有一组下导电梳齿片的导电环，在上环体上设有带有一组上导电梳齿片的上导电环，在上环体上还均布有一组与上盖接触的支撑筒，在支撑筒内穿设有与上导电环连接的导电柱，在上盖内置有导电盘，在导电盘上均布有一组与导电柱对应配合的导电引柱，在导电片上还设有伸出上盖的导电轴，在上盖上均布有一组穿透上盖和导电盘的电镀液交换孔。本发明结构简单、使用方便，在倾斜旋转喷镀电镀工艺腔体结构基础上，实现了晶圆双面电镀，具有双面电镀速率差异小，均匀性高，操作简单，适用性强等优点。

公开(公告)号：CN114242882A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111479933.X

申请日：2021-12-07

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 包星晨 ,  王鹏 ,  王文婧 ,  张伟 ,  刘娜娜

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/32 ,  G01J5/12

Abstract: 本发明提供一种红外探测器芯片的制备方法，它包括以下步骤：第一SOI硅片（1）和第二SOI硅片（3）键合，第二SOI硅片（3）的减薄，第一电阻条（4)、第二电阻条（5）和保护层（14）的制备，金属引线（13）和第二金属引线（12）的制备以及腔（11）的制备。本发明得到的红外探测器芯片，热电偶采用高塞贝克系数的双单晶硅复合结构，在保证芯片响应灵敏度的同时大幅度降低了芯片面积和红外吸收支撑层面积，提高了红外吸收支撑层的刚度，从而使芯片的整体可靠性提高。

公开(公告)号：CN112271229A

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202011024275.0

申请日：2020-09-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 丁继洪 ,  陈计学 ,  刘中梦雪 ,  张伟 ,  丁艳丽

IPC: H01L31/105 ,  H01L29/868 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明公开一种硅基背照PIN器件结构，包括基片，基片正面边缘注入有P+离子层，基片正面沉积有外延层，外延层表面设有氧化层；外延层设有与P+离子层相对应的P阱；外延层还设有N+保护环，P+隔离区以及N‑光敏区；氧化层上形成四象限分布的四个N‑光敏区，氧化层还设有实现器件结构自连与互连的Al引线；所述基片背面设有抗反射膜，抗反射膜外表面设有对背面光敏区进行四象限隔离的Al金属层；该PIN器件结构组件体积至少减小三分之二，实现PIN光电探测器P+与N+处于横向互连，基于背照PIN结构，完成了PIN结构光电探测器系统集成一体化，同时满足光电性能要求。

公开(公告)号：CN104988504A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510366191.8

申请日：2015-06-29

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 张伟 ,  姜淼 ,  陈计学 ,  李苏苏 ,  高博 ,  赵建强

IPC: C23F1/24

Abstract: 本发明涉及集成电路制造领域中的一种P+/P-高选择比的硅膜腐蚀溶液，其特征在于使用MOS级氢氟酸溶液、硝酸溶液和冰乙酸溶液组成混合溶液，上述三种溶液溶质的量浓度分别为40%、70%和99%，混合溶液中氢氟酸溶液、硝酸溶液、冰乙酸溶液的体积比为x：1：y，其中x大于2.4、小于4；y大于4、小于10。与现有技术相比，本发明的有益效果：本发明通过研究硅膜腐蚀的反应原理，找到了硅膜腐蚀化学反应中反应物的作用。这种混合溶液对P+的腐蚀速率远大于P-的腐蚀速率，最大腐蚀速率选择比达到350：1，满足P+/ P-自停止腐蚀的工艺要求。