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公开(公告)号：CN116121822A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211515476.X
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种适用于旋转喷镀的双面电镀工装，它包括配合连接的下环体、上环体和上盖，在下环体上设有带有一组下导电梳齿片的导电环，在上环体上设有带有一组上导电梳齿片的上导电环，在上环体上还均布有一组与上盖接触的支撑筒，在支撑筒内穿设有与上导电环连接的导电柱，在上盖内置有导电盘，在导电盘上均布有一组与导电柱对应配合的导电引柱，在导电片上还设有伸出上盖的导电轴，在上盖上均布有一组穿透上盖和导电盘的电镀液交换孔。本发明结构简单、使用方便，在倾斜旋转喷镀电镀工艺腔体结构基础上，实现了晶圆双面电镀，具有双面电镀速率差异小，均匀性高，操作简单，适用性强等优点。
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公开(公告)号：CN114242882A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111479933.X
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种红外探测器芯片的制备方法，它包括以下步骤：第一SOI硅片（1）和第二SOI硅片（3）键合，第二SOI硅片（3）的减薄，第一电阻条（4)、第二电阻条（5）和保护层（14）的制备，金属引线（13）和第二金属引线（12）的制备以及腔（11）的制备。本发明得到的红外探测器芯片，热电偶采用高塞贝克系数的双单晶硅复合结构，在保证芯片响应灵敏度的同时大幅度降低了芯片面积和红外吸收支撑层面积，提高了红外吸收支撑层的刚度，从而使芯片的整体可靠性提高。
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公开(公告)号：CN114132891A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111479847.9
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种微光机电的制备方法，包括以下步骤：在第一SOI硅片的顶层硅上形成图形化的高反膜和顶层硅电极以及检测电极；图形化的第二SOI硅片顶层硅与高反射薄膜共同形成可动滤光结构，图形化的金属支撑柱下方与顶层硅连接；将S3制备好的可动滤光结构层晶圆对准键合于S2制备好的固定滤光结构层晶圆上方，可动滤光结构中的金属支撑柱与固定滤光结构中的金属支撑柱键合形成支撑柱；取两面抛光后的标准晶圆作为盖帽层，在盖帽正面制备有金属Pad点与垂直导电引线连接；本发明的有益效果是：该制备方法兼容光学与MEMS制备工艺，可批量制造，采用该方法制备得到的微光机电系统具有集成度高、光学占空比大、静电驱动力大、易与探测器集成等优点。
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公开(公告)号：CN110702332A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910793433.X
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种评价MEMS真空封装性能的方法，包括以下步骤：S1、在真空探针台中对未封装时的MEMS产品测量在目标封装真空度P1下的Q值，记为Q11；S2、计算MEMS产品在目标气体泄漏速率下放置10年后真空腔室的真空度P2，测量在真空度P2下的Q值，记为Q21；S3、将MEMS产品真空封装，测量MEMS产品的Q值，记为Q12；S4、对比Q11与Q12，若Q12小于80%的Q11，则MEMS真空封装未达到目标真空度；S5、将真空封装的MEMS产品进行氩气加压实验，然后测量MEMS产品的Q值，记为Q22；S6、对比Q21与Q22，若Q22小于80%的Q21，则真空封装气体泄漏速率不合格。
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公开(公告)号：CN118702055A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410812767.8
申请日：2024-06-22
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种集成式MEMS真空度芯片制备方法，属于微机械电子领域。该方法通过将不同结构的晶圆使用MEMS的制备工艺将压阻结构、皮拉尼结构和硅谐振片敏感结构集成在一起，利用微尺度效应，实现不同敏感结构在不同真空度气压段工作测量，即可实现低、中、高真空段的多领域真空度测量，提升了真空度传感器的量程与精度，且该集成结构采用MEMS体硅工艺制作方法，可以实现批量一体化制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117740209A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311561066.3
申请日：2023-11-22
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01L1/20
Abstract: 本发明涉及一种三维异构集成的压力传感器，第一硅衬底（7）制有压敏电阻（3）阵列，第一硅衬底上制有的金属引线层（17）与压敏电阻和第一电极（1）连接，第一硅衬底制有阵列空腔（5），形成敏感膜片（4）；空腔四角设有的第一垂直引线柱（8）的上端与第一电极（1）相连、下端与金属支撑层（9）相连；第二硅衬底（12）中制有一组硅通孔（19），硅通孔四角分别设有的第二垂直引线柱（14）与金属电极（10）层连接，第二垂直引线柱与第二金属引线层（13）连接，第二金属引线层（13）与处理电路层（15）连接。本发明的有益效果是，阵列式压力传感器和处理电路通过多次垂直引线互连堆叠在一起，缩小了器件体积，提高封装密度，同时无金丝引线，提高传感器抗压力冲击能力。
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公开(公告)号：CN115709968A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211342032.0
申请日：2022-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS敏感结构及其制备方法，它包括在硅衬底（8）上从上到下依次包括引线层（5）、绝缘层（3）、第一氧化层（1）、压敏电阻（2）、敏感膜片（9）、第二腔体（7）、第一腔体（6）和第二氧化层（11）。本发明提供的MEMS敏感结构具有开口小的优点，有效的保持了芯片小面积，降低对加工设备能力的要求，工艺简单，适用于MEMS敏感结构芯片制造。
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公开(公告)号：CN114132888A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111479241.5
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种异构集成的芯片级光谱调谐微系统，包括：固定滤光结构层，在SOI硅片顶层硅上制作驱动电极（13）、驱动检测电极（12）、下支撑柱（14）、信号输入端（18），在信号输入端上设有导电键合层（16）；可动滤光结构层光刻可动结构（22）、上支撑柱（23），将上支撑柱、下支撑柱键合连接，由上述固定滤光结构和可动滤光结构构成法布里珀罗干涉腔；盖帽层（30）设有垂直导电柱（31）、导电金属（35）和PAD点（33）；驱动电路芯片（40）联于PAD点（41）。本发明有益效果：将静电驱动电极与复合光学薄膜结构结合于一体，提高了光学占空比，增加了驱动力，提高了滤光系统运行精度及稳定性。
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公开(公告)号：CN110683509A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910793476.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种抗干扰MEMS器件的制备方法，包括以下步骤：S1、在衬底层晶圆制备隔离槽；S2、在隔离槽内填充绝缘介质层与隔离介质层，形成垂直引线；S3、在感应电极结构层晶圆制备感应电极中心锚点及硅支撑柱；S4、将步骤S2与步骤S3得到的晶圆相键合；S5、在可动敏感结构层晶圆制备可动结构中心锚点；S6、将步骤S5与步骤S4得到的晶圆相键合，再光刻与刻蚀形成可动敏感结构以及感应电极；S7、制备盖帽；S8、将步骤S7与步骤S4得到的晶圆相键合；S9、制备接触孔；S10、在接触孔处制备用于引线键合的PAD点；本方法得到的MEMS器件能够降低外界干扰对器件性能的影响，且加工工艺简单。
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公开(公告)号：CN213517422U
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202022138255.8
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本实用新型提供一种二极管晶圆级半自动低频参数测试装置，它包括底座（1），在底座（1）上设有显微镜（3），其特征在于：在显微镜（3）一侧的底座（1）上设有探针夹持装置（5），在探针夹持装置（5）上设有测试探针（6），在底座（1）上还设有BNC测试单元（8），所述的BNC测试单元（8）通过线缆与测试探针（6）形成电信号连接配合。本实用新型结构简单、使用方便，能够避免测量不同低频参数时频繁拆装与测试仪表连接的外部测试电缆，实现半自动测试，提高测试效率。
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