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公开(公告)号：CN105980086A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480074896.6
申请日：2014-02-04
申请人： 千住金属工业株式会社
IPC分类号： B22F1/00 , B22F1/02 , B23K35/14 , B23K35/22 , B23K35/30 , C22B23/06 , C22C19/03 , C22F1/00 , C22F1/10 , C25D7/00
CPC分类号： B22F1/02 , B22F1/0048 , B22F1/0074 , B22F2301/15 , B22F2302/45 , B23K35/025 , B23K35/22 , B23K35/262 , B23K35/3033 , B23K35/3612 , B23K35/3616 , B23K35/362 , C22C1/0425 , C22C19/03 , C22F1/00 , C22F1/10 , C25D7/00
摘要： 提供耐落下冲击强且能够抑制接合不良等产生的Ni球、Ni芯球、钎焊接头、焊膏和成形焊料。电子部件(60)是通过用焊膏(12)、(42)接合半导体芯片(10)的焊料凸块(30)和印刷基板(40)的电极(41)而构成的。焊料凸块(30)是通过在半导体芯片(10)的电极(11)上接合焊料球(20)而形成的。本发明的(20)的纯度为99.9％以上且99.995％以下，球形度为0.90以上，维氏硬度为20以上且90HV以下。
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公开(公告)号：CN104994974A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201380070219.2
申请日：2013-01-11
申请人： 千住金属工业株式会社
CPC分类号： B23K35/302 , B22F1/0048 , B22F9/082 , B23K35/0244 , C22C9/00 , H01L21/4853 , H01L23/49816 , H01L23/49866 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/15311 , H05K3/3436 , H05K2201/10234 , H05K2201/10734 , Y10T403/479 , H01L2924/014
摘要： 本发明提供一种具有优异对位性的铜球。为了抑制软钎焊时的铜球的润湿不良，规定亮度作为判定球表面的氧化膜的膜厚的指标，且将亮度设为55以上。此外，铜球的球形度较高对于准确地测定亮度较好，而且为了提高球形度而将铜球的纯度设为99.995％以下。亮度为55以上时，形成于铜球的表面的氧化膜的膜厚优选为8nm以下。
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公开(公告)号：CN104801879A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510044092.8
申请日：2015-01-28
申请人： 千住金属工业株式会社
CPC分类号： C25D3/60 , B22F1/025 , B22F9/08 , B22F2301/10 , B22F2301/30 , B23K35/0222 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/30 , B23K35/302 , B23K2101/40 , C22C9/00 , C22C13/00 , C25D3/30 , C25D5/12 , C25D5/20 , F16B5/08 , H01B1/02 , H01L24/13 , H01L2224/13014 , H01L2224/13147 , H01L2224/13582 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0109 , H01L2924/01092 , H01L2924/12042 , H01L2924/15321 , H05K3/3436 , H05K2201/0218 , H05K2201/10734 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及Cu芯球、焊膏和焊料接头。提供抑制软错误的发生、设为安装处理中不成问题的表面粗糙度的低α射线量的Cu芯球。一种Cu球，作为核的Cu球的纯度为99.9％以上且99.995％以下，并且该Cu球中所含的杂质中Pb和/或Bi的总含量为1ppm以上，其球形度为0.95以上。覆盖于Cu球的焊料镀覆膜为Sn焊料镀覆膜或由以Sn作为主要成分的无铅焊料合金形成的焊料镀覆膜，U为5ppb以下的含量且Th为5ppb以下的含量。Cu球和焊料镀覆膜的综合的α射线量为0.0200cph/cm2以下，而且上述Cu芯球的表面粗糙度为0.3μm以下。
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公开(公告)号：CN109693054B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201811242303.9
申请日：2018-10-24
申请人： 千住金属工业株式会社
摘要： 芯材料和钎焊接头和凸块电极的形成方法。提供软钎料镀覆层中的Sb均匀、Sb浓度比成为规定范围内的芯材料。芯材料在芯(12)表面镀覆覆膜有包含Sn和Sb的(Sn‑Sb)系软钎料合金，软钎料镀覆层(16)中的Sb以规定范围的浓度比率分布于软钎料镀覆层中，Sb以浓度比率为70.0～125.0％的规定范围分布于软钎料镀覆层中。软钎料镀覆层中的Sb均匀，因此在包括软钎料镀覆层中的内周侧、外周侧在内其整个区域Sb浓度比率处于规定范围。因此不会产生内周侧比外周侧先熔融，在内周侧与外周侧产生体积膨胀差而芯材料被弹飞的情况。软钎料镀覆层整体几乎均匀地熔融，因此不会产生由熔融时机的偏差而认为产生的芯材料的位置偏移，没有伴随着位置偏移等的电极间的短路等的担心。
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公开(公告)号：CN110325320A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201880014631.5
申请日：2018-02-28
申请人： 千住金属工业株式会社
摘要： 本发明提供可以抑制电迁移产生的焊接材料，焊接材料具备：由Cu或Cu合金构成的球状的核2A、和覆盖核2A的焊料层3A，所述焊接材料是核球1A，其中，焊料层3A中，Cu含量为0.1质量%以上且3.0质量%以下、Bi含量为0.5质量%以上且5.0质量%以下、Ag含量为0质量%以上且4.5质量%以下、Ni含量为0质量%以上且0.1质量%以下、Sn为余量。
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公开(公告)号：CN108172523B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201711286173.4
申请日：2017-12-07
申请人： 千住金属工业株式会社
IPC分类号： H01L21/60
摘要： 提供芯材料和半导体封装体和凸块电极的形成方法。该芯材料是将包含Sn和Bi的(Sn‑Bi)系软钎料合金在芯(12)的表面形成镀覆膜而得到的芯材料，其是软钎料镀覆层(16)中的Bi以规定范围的浓度比分布在软钎料镀覆层中的芯材料，是以Bi的浓度比在91.7～106.7％的规定范围内分布于软钎料镀覆层中的芯材料。软钎料镀覆层中的Bi是均匀的。因此，不会发生如下的情况：内周侧比外周侧更早发生熔融，在内周侧与外周侧产生体积膨胀差，使芯材料被弹飞。另外，软钎料镀覆层整体大致均匀地熔融，因此不会发生被认为是因熔融时机参差不齐而发生的芯材料的位置偏移，因此不存在伴随位置偏移等的电极间短路等担心。
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公开(公告)号：CN107735212A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201680039077.7
申请日：2016-06-23
申请人： 千住金属工业株式会社
CPC分类号： B23K35/0244 , B22F1/00 , B22F1/0048 , B22F1/0085 , B22F1/02 , B22F1/025 , B23K35/0227 , B23K35/0238 , B23K35/025 , B23K35/262 , B23K35/302 , B23K35/3033 , B23K35/3046 , B23K35/3602 , B23K35/365 , C22C13/00 , G01N21/951 , G01N21/95684 , G01N2021/95646 , H01L23/49816 , H01L24/00 , H01L24/13 , H01L2224/13016 , H01L2224/13582 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2924/20105
摘要： 准确地辨别不易氧化的软钎料材料。Cu芯球具备：Cu球，其具有规定的大小，用于在半导体封装体与印刷电路基板之间确保间隔；以及，被覆铜球的软钎料层。就Cu芯球而言，在位于温度为25℃、湿度为40％的室内的150℃的恒温槽中的72小时的烘烤试验后，在L*a*b*表色系统中的亮度为62.5以上，烘烤试验前的软钎料材料在L*a*b*表色系统中的亮度为65以上且在L*a*b*表色系统中的黄色度为7.0以下。
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公开(公告)号：CN107073656A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201480083214.8
申请日：2014-11-05
申请人： 千住金属工业株式会社
CPC分类号： B23K35/262 , B22F1/00 , B22F1/02 , B22F1/025 , B22F9/08 , B22F2301/10 , B22F2301/30 , B23K35/0222 , B23K35/0233 , B23K35/025 , B23K35/26 , B23K35/302 , C22C13/00 , C22F1/00 , C22F1/08 , C25D3/60 , C25D7/00
摘要： 提供在软钎料熔融前以一定值以下管理氧化膜厚、且在软钎料熔融时及熔融后具有耐氧化性的软钎焊材料。Cu芯球(1A)具备在半导体封装体与印刷基板之间确保间隔的Cu球(2A)、和覆盖Cu球(2A)的软钎料层(3A)。软钎料层(3A)由Sn或将Sn作为主要成分的软钎料合金构成。Cu芯球(1A)在L*a*b*色度体系中的亮度为65以上，且在L*a*b*色度体系中的黄色度为7.0以下，更优选的是，亮度为70以上，且黄色度为5.1以下。
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公开(公告)号：CN105980086B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201480074896.6
申请日：2014-02-04
申请人： 千住金属工业株式会社
IPC分类号： B22F1/00 , B22F1/02 , B23K35/14 , B23K35/22 , B23K35/30 , C22B23/06 , C22C19/03 , C22F1/00 , C22F1/10 , C25D7/00
CPC分类号： B22F1/02 , B22F1/0048 , B22F1/0074 , B22F2301/15 , B22F2302/45 , B23K35/025 , B23K35/22 , B23K35/262 , B23K35/3033 , B23K35/3612 , B23K35/3616 , B23K35/362 , C22C1/0425 , C22C19/03 , C22F1/00 , C22F1/10 , C25D7/00
摘要： 提供耐落下冲击强且能够抑制接合不良等产生的Ni球、Ni芯球、钎焊接头、焊膏和成形焊料。电子部件(60)是通过用焊膏(12)、(42)接合半导体芯片(10)的焊料凸块(30)和印刷基板(40)的电极(41)而构成的。焊料凸块(30)是通过在半导体芯片(10)的电极(11)上接合Ni球(20)而形成的。本发明的Ni球(20)的纯度为99.9％以上且99.995％以下，球形度为0.90以上，维氏硬度为20以上且90HV以下。
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公开(公告)号：CN1863639A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200480029058.3
申请日：2004-10-06
申请人： 千住金属工业株式会社
IPC分类号： B23K35/26
CPC分类号： C22C13/00 , B23K35/262 , H01L2924/0002 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H01L2924/00
摘要： 本发明关于一种Sn－Ag－Cu系无铅焊球，其在BGA和CSP的电极形成焊料凸起时，表面没有变成黄色(变黄)，并且润湿性也优异，在焊锡接合部也未见空隙的发生，由Ag：1.0～4.0质量％；Cu：0.05～2.0质量％；P：0.0005～0.005质量％；剩余部由Sn组成，具体来说，对直径为0.04～0.5mm的微小焊球有效。
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