公开(公告)号：CN102414796B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201080019145.6

申请日：2010-03-01

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  株式会社光波

Inventor： 桥本信 ,  秋田胜史 ,  元木健作 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/32

CPC classification number: C23C16/0227 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/303 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供制作包含生长于氧化镓衬底上的有源层且能够提高发光强度的晶片产品的方法。在步骤S105中，在摄氏600度下，在氧化镓衬底(11)的主面(11a)上生长包含GaN、AlGaN、AlN等III族氮化物的缓冲层(13)。生长缓冲层(13)后，将包含氢气和氮气的气体G2供给至生长炉(10)中，同时在摄氏1050度下使氧化镓衬底(11)及缓冲层(13)暴露于生长炉(11)的气氛中。III族氮化物半导体层(15)的沉积，在改性后的缓冲层上进行。改性后的缓冲层例如包含空隙。III族氮化物半导体层(15)可包含GaN及AlGaN。使用这些材料形成III族氮化物半导体层(15)时，可在改性后的缓冲层(14)上得到良好的结晶质量。

公开(公告)号：CN101515700B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200910007584.4

申请日：2009-02-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  笠井仁 ,  京野孝史 ,  元木健作

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/16 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供III族氮化物发光器件及制造III族氮化物基半导体发光器件的方法。在氮化镓基半导体区域的基面上生长具有量子阱结构的有源层。该量子阱结构以具有410nm以上的发射峰值波长的方式形成。阱层的厚度为4nm以上10nm以下。该阱层由InXGa1-XN(0.15≤X＜1，其中X为应变组分)组成。所述氮化镓基半导体区域的基面关于六方晶系III族氮化物的{0001}面或{000-1}面以15度以上85度以下的范围内的倾斜角倾斜。该范围中的基面是半极性面。

公开(公告)号：CN101805928A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN201010121696.5

申请日：2007-06-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈久拓司 ,  元木健作 ,  上松康二 ,  中畑成二 ,  弘田龙 ,  井尻英幸 ,  笠井仁 ,  藤田俊介 ,  佐藤史隆 ,  松冈彻

IPC: C30B29/40

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/00 ,  C30B25/183

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体衬底，该氮化镓晶体衬底包括：第一晶体区，该第一晶体区具有晶体缺陷聚集区(H)，以及第二晶体区，该第二晶体区具有低晶体缺陷区部分(Z)和C面生长区部分(Y)。C面生长区部分(Y)的碳浓度与晶体缺陷聚集区(H)的碳浓度之比为101-105，并且C面生长区部分(Y)的碳浓度与低晶体缺陷区部分(Z)的碳浓度之比为101-105。并且，该C面生长区部分(Y)的碳浓度是1016-1020cm-3。

公开(公告)号：CN1582520B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN02822141.9

申请日：2002-10-03

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  索尼株式会社

Inventor： 朝妻庸纪 ,  冨谷茂隆 ,  玉村好司 ,  东条刚 ,  后藤修 ,  元木健作

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/02 ,  B82Y20/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4031 ,  H01S2301/173

Abstract: 一种制造半导体发光装置或者半导体装置的方法，通过在氮基III-V化合物半导体衬底上生长形成发光装置结构或装置结构的氮基III-V化合物半导体层，其中多个具有比第一平均位错密度高的第二平均位错密度的第二区域周期地排列在具有第一平均位错密度的所述第一区域中，其中装置区域定义在所述氮基III-V化合物半导体层衬底上使得第二区域大体上不包括在发光区域或有源区中。

公开(公告)号：CN101063225A

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200610105562.8

申请日：2002-09-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  中畑成二 ,  弘田龙 ,  上松康二

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/38 ,  C30B29/40

Abstract: 一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。

公开(公告)号：CN1908251A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610105961.4

申请日：2000-09-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  松本直树

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L33/0075

Abstract: 提供一种制造106cm－2以下低错位GaN单结晶的方法，其特征是气相成长的成长表面不是平面状态，形成具有三维的小面结构，保持小面结构，通过在不埋没小面结构下进行成长，可降低错位，进行单晶体氮化镓的结晶成长。

公开(公告)号：CN1896344A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610093660.4

申请日：2002-04-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  上野昌纪

IPC: C30B29/38 ,  C30B31/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/22 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B23/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207

Abstract: 本发明提供一种可以收取氧作为n型掺杂剂的氮化镓单晶的成长方法。该法采用在表面(上面)具有C面以外的面的种晶，在供给含镓原料、氮原料和掺杂必要的含氧的原料气的同时，保持C面以外的表面，使氮化镓结晶进行气相成长，通过该表面，在氮化镓结晶中掺杂氧。或者，使用表面上具有C面的种晶，在供给镓原料、氮原料和掺杂必需的含氧原料气的同时，使产生C面以外的小平面，在保住该小平面的同时使氮化镓结晶以c轴方向进行气相成长，通过小平面，在氮化镓结晶中掺杂氧。

公开(公告)号：CN1670918A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510056314.4

申请日：2005-03-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 笠井仁 ,  元木健作

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406

Abstract: 更低成本地制备具有晶体取向的偏轴GaN单晶独立式衬底，所述的晶体取向是从(0001)偏移的，而不正好是(0001)。由偏轴(111)GaAs晶片作为起始衬底，在起始衬底上气相沉积GaN，其生长倾斜相同偏轴角且与起始衬底相同方向的GaN晶体。可以通过如下方法利用错误取向的(111)GaAs基板作为起始衬底来制备错误取向的独立式GaN衬底：向起始衬底上形成具有多个开口的掩模，通过掩模沉积GaN单晶层，然后除去起始衬底。可以制备错误取向为0.1°至25°的GaN晶体。

公开(公告)号：CN1196176C

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN99108644.9

申请日：1999-06-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  松本直树 ,  西本达也

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  C30B29/60 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  Y10T428/26

Abstract: 提供一种面积大、弯曲小的独立的GaN单晶衬底，该衬底有20mm以上的直径和0.07mm以上的厚度，固有内部应力为7MPa以下，弯曲的曲率半径为600mm以上，直径为2英寸的衬底的中心处挠曲量为0.55mm以下，且衬底表面的法线方向和与衬底表面的平行度最高的低指数晶面的法线方向的夹角在衬底内为3°以下。

公开(公告)号：CN1542992A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410044554.8

申请日：1998-10-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  松本直树

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/323 ,  H01L21/20 ,  H01L29/02 ,  H01L27/04 ,  C30B25/02

CPC classification number: C30B25/02 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/00 ,  H01S2304/04 ,  Y10S117/902 ,  Y10S438/942

Abstract: 一种GaN单晶衬底的制造方法，其特征在于，包括：屏蔽层形成工序，在GaAs衬底2上，形成具有相互隔离配置的多个开口窗10的屏蔽层8；和外延层生成工序，在屏蔽层8上，生长由GaN构成的外延层12。