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公开(公告)号：CN102308370B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201080007182.5
申请日：2010-02-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社光波
IPC: H01L21/205 , C30B29/38 , H01L33/32
CPC classification number: H01L21/0242 , C30B25/18 , C30B29/16 , C30B29/403 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L33/007 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供一种氮化镓系半导体器件，其包含设置在氧化镓晶片上且具有平坦的c面的氮化镓系半导体膜。发光二极管LED包括：氧化镓支撑基体(32)，具有包含单斜晶系氧化镓的主面(32a)；和包含III族氮化物的层叠结构(33)。层叠结构(33)的半导体台面包含：低温GaN缓冲层(35)、n型GaN层(37)、量子阱结构的有源层(39)和p型氮化镓系半导体层(37)。p型氮化镓系半导体层(37)例如包含p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN接触层。氧化镓支撑基体(32)的主面(32a)相对于单斜晶系氧化镓的(100)面以2度以上且4度以下的角度倾斜。通过该倾斜，使在氧化镓支撑基体主面(32a)上外延生长的氮化镓系半导体具有平坦的表面。
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公开(公告)号：CN102414796B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201080019145.6
申请日：2010-03-01
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社光波
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/32
CPC classification number: C23C16/0227 , C23C16/0272 , C23C16/303 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供制作包含生长于氧化镓衬底上的有源层且能够提高发光强度的晶片产品的方法。在步骤S105中，在摄氏600度下，在氧化镓衬底(11)的主面(11a)上生长包含GaN、AlGaN、AlN等III族氮化物的缓冲层(13)。生长缓冲层(13)后，将包含氢气和氮气的气体G2供给至生长炉(10)中，同时在摄氏1050度下使氧化镓衬底(11)及缓冲层(13)暴露于生长炉(11)的气氛中。III族氮化物半导体层(15)的沉积，在改性后的缓冲层上进行。改性后的缓冲层例如包含空隙。III族氮化物半导体层(15)可包含GaN及AlGaN。使用这些材料形成III族氮化物半导体层(15)时，可在改性后的缓冲层(14)上得到良好的结晶质量。
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公开(公告)号：CN104022201A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410211067.X
申请日：2010-03-01
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社光波
IPC: H01L33/32
CPC classification number: C23C16/0227 , C23C16/0272 , C23C16/303 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供晶片产品及包含其的氮化镓基半导体光元件。所述晶片产品的制造方法为，在步骤S105中，在摄氏600度下，在氧化镓衬底(11)的主面(11a)上生长包含GaN、AlGaN、AlN等III族氮化物的缓冲层(13)。生长缓冲层(13)后，将包含氢气和氮气的气体G2供给至生长炉(10)中，同时在摄氏1050度下使氧化镓衬底(11)及缓冲层(13)暴露于生长炉(11)的气氛中。III族氮化物半导体层(15)的沉积，在改性后的缓冲层上进行。改性后的缓冲层例如包含空隙。III族氮化物半导体层(15)可包含GaN及AlGaN。使用这些材料形成III族氮化物半导体层(15)时，可在改性后的缓冲层(14)上得到良好的结晶质量。
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公开(公告)号：CN102326231B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201080008691.X
申请日：2010-02-10
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社光波
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/32
CPC classification number: H01L21/0262 , C30B25/02 , C30B29/16 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供可在氧化镓区域上淀积结晶质量良好的氮化镓基半导体的外延晶片的形成方法。在步骤S107中，生长AlN缓冲层(13)。在步骤S108中，在时刻t5，除氮气以外，还向生长炉(10)内供给含有氢气、三甲基铝和氨气的原料气体G1，在主面(11a)上生长AlN缓冲层(13)。AlN缓冲层(13)被称作所谓的低温缓冲层。缓冲层(13)的成膜开始后，在步骤S109中，在时刻t6开始供给氢气(H2)。在时刻t6，向生长炉(10)内供给H2、N2、TMA和NH3。在时刻t6～t7之间增加氢气的供给量，在时刻t7停止增加氢气而供给一定量的氢气。在时刻t7，向生长炉(10)内供给H2、TMA和NH3。
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公开(公告)号：CN102414796A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019145.6
申请日：2010-03-01
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社光波
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/32
CPC classification number: C23C16/0227 , C23C16/0272 , C23C16/303 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供制作包含生长于氧化镓衬底上的有源层且能够提高发光强度的晶片产品的方法。在步骤S105中，在摄氏600度下，在氧化镓衬底(11)的主面(11a)上生长包含GaN、AlGaN、AlN等III族氮化物的缓冲层(13)。生长缓冲层(13)后，将包含氢气和氮气的气体G2供给至生长炉(10)中，同时在摄氏1050度下使氧化镓衬底(11)及缓冲层(13)暴露于生长炉(11)的气氛中。III族氮化物半导体层(15)的沉积，在改性后的缓冲层上进行。改性后的缓冲层例如包含空隙。III族氮化物半导体层(15)可包含GaN及AlGaN。使用这些材料形成III族氮化物半导体层(15)时，可在改性后的缓冲层(14)上得到良好的结晶质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102326231A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201080008691.X
申请日：2010-02-10
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社光波
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/32
CPC classification number: H01L21/0262 , C30B25/02 , C30B29/16 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供可在氧化镓区域上淀积结晶质量良好的氮化镓基半导体的外延晶片的形成方法。在步骤S107中，生长AlN缓冲层(13)。在步骤S108中，在时刻t5，除氮气以外，还向生长炉(10)内供给含有氢气、三甲基铝和氨气的原料气体G1，在主面(11a)上生长AlN缓冲层(13)。AlN缓冲层(13)被称作所谓的低温缓冲层。缓冲层(13)的成膜开始后，在步骤S109中，在时刻t6开始供给氢气(H2)。在时刻t6，向生长炉(10)内供给H2、N2、TMA和NH3。在时刻t6～t7之间增加氢气的供给量，在时刻t7停止增加氢气而供给一定量的氢气。在时刻t7，向生长炉(10)内供给H2、TMA和NH3。
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公开(公告)号：CN102308370A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201080007182.5
申请日：2010-02-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社光波
IPC: H01L21/205 , C30B29/38 , H01L33/32
CPC classification number: H01L21/0242 , C30B25/18 , C30B29/16 , C30B29/403 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L33/007 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供一种氮化镓系半导体器件，其包含设置在氧化镓晶片上且具有平坦的c面的氮化镓系半导体膜。发光二极管LED包括：氧化镓支撑基体(32)，具有包含单斜晶系氧化镓的主面(32a)；和包含III族氮化物的层叠结构(33)。层叠结构(33)的半导体台面包含：低温GaN缓冲层(35)、n型GaN层(37)、量子阱结构的有源层(39)和p型氮化镓系半导体层(37)。p型氮化镓系半导体层(37)例如包含p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN接触层。氧化镓支撑基体(32)的主面(32a)相对于单斜晶系氧化镓的(100)面以2度以上且4度以下的角度倾斜。通过该倾斜，使在氧化镓支撑基体主面(32a)上外延生长的氮化镓系半导体具有平坦的表面。
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公开(公告)号：CN102077319A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200980124509.4
申请日：2009-06-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/02
CPC classification number: C23C16/303 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02658
Abstract: 本发明提供了一种膜淀积方法，所述膜淀积方法能够根据将构成待淀积薄膜的材料的晶格常数来改进界面附近的晶体特性。具体来讲，根据将构成待淀积薄膜的材料的晶格常数与构成一个主表面的材料的晶格常数，相对于沿着在其上要淀积薄膜的一个主表面的方向弯曲衬底。在衬底弯曲的情况下，在衬底的一个主表面上淀积薄膜。
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公开(公告)号：CN101842884A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200880114264.2
申请日：2008-10-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/205 , H01L21/02378 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/7787 , H01L29/872
Abstract: 本发明的III族氮化物基异质结晶体管11a中，第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N层1 5与第一Alx1Inx2Ga1-x1-x2N层13a形成异质结21。第一电极17在第一Alx1Inx2Ga1-x1-x2N层13a上形成肖特基结。第一Alx1Inx2Ga1-x1-x2N层13a及第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N层15设置于衬底23上。电极17a、18a、19a各自包含源极、栅极及漏极。第一Alx1Inx2Ga1-x1-x2N层13a的碳浓度NC13小于1×1017cm-3。第二AlY1InY2Ga1-Y1-Y2N层15的位错密度D为1×108cm-2。通过异质结21，生成二维电子气层25。由此，提供低损耗的氮化镓基电子器件。
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公开(公告)号：CN103632958A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310369936.7
申请日：2013-08-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L21/265 , H01L21/223
CPC classification number: H01L21/3242 , H01L21/3245 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L29/0619 , H01L29/0843 , H01L29/2003 , H01L29/66143 , H01L29/66666 , H01L29/66856 , H01L29/7827 , H01L29/8122 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供制作III族氮化物半导体和半导体元件的方法、III族氮化物半导体装置、进行热处理的方法。在工序S107中，进行III族氮化物半导体23的热处理，形成导电性III族氮化物半导体25。热处理包含第一热处理27a和第二热处理27b。在工序S108中，供给包含第一流量L1的还原性气体和第二流量L2的氮源气体的处理气体G1，且在第一热处理中第一流量L1大于零。第二流量L2为零以上。在工序S109中，进行第一热处理27a后，进行第二热处理27b。在第二热处理27b中，供给包含第三流量L3的还原性气体和第四流量L4的氮源气体的处理气体G2，进行III族氮化物半导体23的热处理。
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