公开(公告)号：CN102484076B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201080038234.5

申请日：2010-08-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  秋田胜史 ,  中幡英章 ,  天野浩

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7785 ,  H01L29/2003

Abstract: 本发明提供一种击穿电场强度较大且结晶缺陷较少的常关型III族氮化物半导体设备、及用于制作该III族氮化物半导体设备的III族氮化物半导体层积晶圆。III族氮化物半导体层积晶圆(10)包括：基板27，其由AlN构成且具有沿该AlN结晶的c轴的主面(27a)；第一AlX1InY1Ga1-X1-Y1N层(13)，其由含有Al的III族氮化物系半导体构成且设置在主面(27a)上；以及第二AlX2InY2Ga1-X2-Y2N层(15)，其设置在主面(27a)上，由带隙比第一AlX1InY1Ga1-X1-Y1N层(13)更大的III族氮化物系半导体构成，并且与第一AlX1InY1Ga1-X1-Y1N层(13)形成异质结。

公开(公告)号：CN103632958A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310369936.7

申请日：2013-08-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  中村孝夫 ,  天野浩

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/223

CPC classification number: H01L21/3242 ,  H01L21/3245 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66856 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/8122 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供制作III族氮化物半导体和半导体元件的方法、III族氮化物半导体装置、进行热处理的方法。在工序S107中，进行III族氮化物半导体23的热处理，形成导电性III族氮化物半导体25。热处理包含第一热处理27a和第二热处理27b。在工序S108中，供给包含第一流量L1的还原性气体和第二流量L2的氮源气体的处理气体G1，且在第一热处理中第一流量L1大于零。第二流量L2为零以上。在工序S109中，进行第一热处理27a后，进行第二热处理27b。在第二热处理27b中，供给包含第三流量L3的还原性气体和第四流量L4的氮源气体的处理气体G2，进行III族氮化物半导体23的热处理。

公开(公告)号：CN102484076A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080038234.5

申请日：2010-08-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 桥本信 ,  秋田胜史 ,  中幡英章 ,  天野浩

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7785 ,  H01L29/2003

Abstract: 本发明提供一种击穿电场强度较大且结晶缺陷较少的常关型III族氮化物半导体设备、及用于制作该III族氮化物半导体设备的III族氮化物半导体层积晶圆。III族氮化物半导体层积晶圆(10)包括：基板27，其由AlN构成且具有沿该AlN结晶的c轴的主面(27a)；第一AlX1InY1Ga1-X1-Y1N层(13)，其由含有Al的III族氮化物系半导体构成且设置在主面(27a)上；以及第二AlX2InY2Ga1-X2-Y2N层(15)，其设置在主面(27a)上，由带隙比第一AlX1InY1Ga1-X1-Y1N层(13)更大的III族氮化物系半导体构成，并且与第一AlX1InY1Ga1-X1-Y1N层(13)形成异质结。