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公开(公告)号：CN102414796B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201080019145.6
申请日：2010-03-01
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社光波
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/32
CPC classification number: C23C16/0227 , C23C16/0272 , C23C16/303 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供制作包含生长于氧化镓衬底上的有源层且能够提高发光强度的晶片产品的方法。在步骤S105中，在摄氏600度下，在氧化镓衬底(11)的主面(11a)上生长包含GaN、AlGaN、AlN等III族氮化物的缓冲层(13)。生长缓冲层(13)后，将包含氢气和氮气的气体G2供给至生长炉(10)中，同时在摄氏1050度下使氧化镓衬底(11)及缓冲层(13)暴露于生长炉(11)的气氛中。III族氮化物半导体层(15)的沉积，在改性后的缓冲层上进行。改性后的缓冲层例如包含空隙。III族氮化物半导体层(15)可包含GaN及AlGaN。使用这些材料形成III族氮化物半导体层(15)时，可在改性后的缓冲层(14)上得到良好的结晶质量。
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公开(公告)号：CN102308370B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201080007182.5
申请日：2010-02-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社光波
IPC: H01L21/205 , C30B29/38 , H01L33/32
CPC classification number: H01L21/0242 , C30B25/18 , C30B29/16 , C30B29/403 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L33/007 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供一种氮化镓系半导体器件，其包含设置在氧化镓晶片上且具有平坦的c面的氮化镓系半导体膜。发光二极管LED包括：氧化镓支撑基体(32)，具有包含单斜晶系氧化镓的主面(32a)；和包含III族氮化物的层叠结构(33)。层叠结构(33)的半导体台面包含：低温GaN缓冲层(35)、n型GaN层(37)、量子阱结构的有源层(39)和p型氮化镓系半导体层(37)。p型氮化镓系半导体层(37)例如包含p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN接触层。氧化镓支撑基体(32)的主面(32a)相对于单斜晶系氧化镓的(100)面以2度以上且4度以下的角度倾斜。通过该倾斜，使在氧化镓支撑基体主面(32a)上外延生长的氮化镓系半导体具有平坦的表面。
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公开(公告)号：CN102326231B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201080008691.X
申请日：2010-02-10
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社光波
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/32
CPC classification number: H01L21/0262 , C30B25/02 , C30B29/16 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供可在氧化镓区域上淀积结晶质量良好的氮化镓基半导体的外延晶片的形成方法。在步骤S107中，生长AlN缓冲层(13)。在步骤S108中，在时刻t5，除氮气以外，还向生长炉(10)内供给含有氢气、三甲基铝和氨气的原料气体G1，在主面(11a)上生长AlN缓冲层(13)。AlN缓冲层(13)被称作所谓的低温缓冲层。缓冲层(13)的成膜开始后，在步骤S109中，在时刻t6开始供给氢气(H2)。在时刻t6，向生长炉(10)内供给H2、N2、TMA和NH3。在时刻t6～t7之间增加氢气的供给量，在时刻t7停止增加氢气而供给一定量的氢气。在时刻t7，向生长炉(10)内供给H2、TMA和NH3。
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公开(公告)号：CN102414796A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019145.6
申请日：2010-03-01
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社光波
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/32
CPC classification number: C23C16/0227 , C23C16/0272 , C23C16/303 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供制作包含生长于氧化镓衬底上的有源层且能够提高发光强度的晶片产品的方法。在步骤S105中，在摄氏600度下，在氧化镓衬底(11)的主面(11a)上生长包含GaN、AlGaN、AlN等III族氮化物的缓冲层(13)。生长缓冲层(13)后，将包含氢气和氮气的气体G2供给至生长炉(10)中，同时在摄氏1050度下使氧化镓衬底(11)及缓冲层(13)暴露于生长炉(11)的气氛中。III族氮化物半导体层(15)的沉积，在改性后的缓冲层上进行。改性后的缓冲层例如包含空隙。III族氮化物半导体层(15)可包含GaN及AlGaN。使用这些材料形成III族氮化物半导体层(15)时，可在改性后的缓冲层(14)上得到良好的结晶质量。
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公开(公告)号：CN102326231A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201080008691.X
申请日：2010-02-10
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社光波
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/32
CPC classification number: H01L21/0262 , C30B25/02 , C30B29/16 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供可在氧化镓区域上淀积结晶质量良好的氮化镓基半导体的外延晶片的形成方法。在步骤S107中，生长AlN缓冲层(13)。在步骤S108中，在时刻t5，除氮气以外，还向生长炉(10)内供给含有氢气、三甲基铝和氨气的原料气体G1，在主面(11a)上生长AlN缓冲层(13)。AlN缓冲层(13)被称作所谓的低温缓冲层。缓冲层(13)的成膜开始后，在步骤S109中，在时刻t6开始供给氢气(H2)。在时刻t6，向生长炉(10)内供给H2、N2、TMA和NH3。在时刻t6～t7之间增加氢气的供给量，在时刻t7停止增加氢气而供给一定量的氢气。在时刻t7，向生长炉(10)内供给H2、TMA和NH3。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102308370A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201080007182.5
申请日：2010-02-04
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社光波
IPC: H01L21/205 , C30B29/38 , H01L33/32
CPC classification number: H01L21/0242 , C30B25/18 , C30B29/16 , C30B29/403 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787 , H01L33/007 , H01L33/16
Abstract: 本发明提供一种氮化镓系半导体器件，其包含设置在氧化镓晶片上且具有平坦的c面的氮化镓系半导体膜。发光二极管LED包括：氧化镓支撑基体(32)，具有包含单斜晶系氧化镓的主面(32a)；和包含III族氮化物的层叠结构(33)。层叠结构(33)的半导体台面包含：低温GaN缓冲层(35)、n型GaN层(37)、量子阱结构的有源层(39)和p型氮化镓系半导体层(37)。p型氮化镓系半导体层(37)例如包含p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN接触层。氧化镓支撑基体(32)的主面(32a)相对于单斜晶系氧化镓的(100)面以2度以上且4度以下的角度倾斜。通过该倾斜，使在氧化镓支撑基体主面(32a)上外延生长的氮化镓系半导体具有平坦的表面。
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公开(公告)号：CN104022201A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410211067.X
申请日：2010-03-01
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 株式会社光波
IPC: H01L33/32
CPC classification number: C23C16/0227 , C23C16/0272 , C23C16/303 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供晶片产品及包含其的氮化镓基半导体光元件。所述晶片产品的制造方法为，在步骤S105中，在摄氏600度下，在氧化镓衬底(11)的主面(11a)上生长包含GaN、AlGaN、AlN等III族氮化物的缓冲层(13)。生长缓冲层(13)后，将包含氢气和氮气的气体G2供给至生长炉(10)中，同时在摄氏1050度下使氧化镓衬底(11)及缓冲层(13)暴露于生长炉(11)的气氛中。III族氮化物半导体层(15)的沉积，在改性后的缓冲层上进行。改性后的缓冲层例如包含空隙。III族氮化物半导体层(15)可包含GaN及AlGaN。使用这些材料形成III族氮化物半导体层(15)时，可在改性后的缓冲层(14)上得到良好的结晶质量。
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公开(公告)号：CN113235162B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110359932.5
申请日：2017-07-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42 , C30B11/00 , H01L29/207
Abstract: 本发明涉及砷化镓晶体和砷化镓晶体基板。在砷化镓晶体中，所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。在砷化镓晶体基板中，所述砷化镓晶体基板的蚀坑密度为10个·cm‑2以上且10000个·cm‑2以下，并且所述砷化镓晶体基板的氧浓度小于7.0×1015原子·cm‑3。
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公开(公告)号：CN102959736B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180032436.3
申请日：2011-06-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/035236 , B82Y20/00 , H01L31/03046 , H01L31/18 , H01L31/1844 , Y02E10/544
Abstract: 提供了一种光电检测器及其制造方法，其中在从包括1.3μm的短波长侧到长波长侧的近红外区域上抑制灵敏度变化。该光电检测器包括在III-V族半导体衬底上包括GaAsSb层与InGaAs层的重复结构的II型多量子阱结构的吸收层，并在包括1.3μm和2.0μm波长的近红外区域中具有灵敏度。在1.3μm波长处的灵敏度与在2.0μm波长处的灵敏度的比率不小于0.5但不大于1.6。
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公开(公告)号：CN104218119A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410239477.5
申请日：2014-05-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/101
CPC classification number: H01L31/035236 , G01N23/20 , G01N2223/611 , G01N2223/615 , H01L21/02398 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02507 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/0262 , H01L22/12 , H01L27/14694 , H01L31/03046 , H01L31/184 , Y02E10/544
Abstract: 本发明涉及半导体元件及其制造方法。一种制造半导体元件的方法，包括通过MOVPE形成多量子阱的步骤，在该多量子阱中，在GaSb衬底上交替地堆叠GaSb层和InAs层，其中，在形成多量子阱的步骤中，将InSb膜形成在InAs层的下表面侧和上表面侧中的至少一个上以至与InAs层接触。
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