公开(公告)号：CN111081530A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201910847199.4

申请日：2019-09-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01J37/30 ,  H01J37/305

Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和等离子体处理装置。例示的实施方式的含硅膜的蚀刻方法，包括在等离子体处理装置的腔室主体内准备被加工物的工序。被加工物具有含硅膜和掩模。掩模设置于含硅膜上。在掩模形成有开口。蚀刻方法还包括蚀刻含硅膜的工序。在进行蚀刻的工序中，为了蚀刻含硅膜，在腔室主体内生成含有碳和七氟化碘的处理气体的等离子体。本发明能够抑制含硅膜的横向的蚀刻。

公开(公告)号：CN108511389A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810167763.3

申请日：2018-02-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中谷理子 ,  本田昌伸 ,  久松亨 ,  田端雅弘

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/67

Abstract: 提供一种半导体制造方法和等离子体处理装置，目的在于在半导体制造中防止被处理体上的导电层的腐蚀。该半导体制造方法包括：第一工序，将被处理体的导电层之上的绝缘膜蚀刻成掩模的图案，使所述导电层在所形成的所述绝缘膜的凹部露出；以及第二工序，在所述导电层露出的绝缘膜的凹部形成有机膜，其中，所述第二工序包括以下工序：将腔室的内部保持规定的压力，将台冷却至-20℃以下的极低温，并将被处理体设置在该台上；向所述腔室的内部供给包含低蒸气压材料的气体的气体；以及从所供给的所述包含低蒸气压材料的气体的气体生成等离子体，通过该等离子体将从所述低蒸气压材料生成的前驱体堆积于所述绝缘膜的凹部来形成所述有机膜。

公开(公告)号：CN105316639B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201510455789.4

申请日：2015-07-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木原嘉英 ,  本田昌伸 ,  久松亨

IPC: C23C14/38 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34

CPC classification number: C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/0694 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3435 ,  C23C14/345 ,  C23C16/30 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3432 ,  H01J37/3438 ,  H01J37/3491

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。目的在于在腔室内的电极上形成作为靶发挥功能的膜并对所形成的膜进行溅射。在该等离子体处理装置中，载置基板的第一电极与同上述第一电极相向地配置的第二电极以隔开规定的间隙的方式相向地配置，该等离子体处理装置具有：第一高频电源，其向上述第二电极供给第一高频电力；直流电源，其向上述第二电极供给直流电力；以及气体供给源，其向腔室内供给气体，上述第二电极具有利用通过供给第一气体和上述第一高频电力而生成的等离子体形成的反应产物的膜，上述第二电极成为利用通过供给第二气体、上述第一高频电力以及上述直流电力而生成的等离子体对上述反应产物的膜进行溅射的靶。

公开(公告)号：CN108028196A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680043730.7

申请日：2016-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小川秀平 ,  朴玩哉 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/00 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H05H1/46

Abstract: 一种等离子体处理方法，其利用等离子体对依次层叠有有机膜、掩模膜和抗蚀剂膜的被处理体进行处理，包括：向放入了在抗蚀剂膜上形成有规定的图案的被处理体的腔室内供给改性气体的步骤，所述改性气体为H2气体、卤化氢气体、包含稀有气体和H2气体的混合气体或者包含稀有气体和卤化氢气体的混合气体；和改性步骤，在‑20℃的处理温度下，利用改性气体的等离子体对被处理体的抗蚀剂膜进行改性。

公开(公告)号：CN107078050A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580060311.X

申请日：2015-11-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  胜沼隆幸 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H05H1/46

Abstract: 一个实施方式的方法包括：执行1次以上的流程的步骤；和使通过执行1次以上的流程形成的含碳氟化合物膜的膜厚减小的步骤。1次以上的流程中的每个流程包括：通过生成包含碳氟气体但不包含氧气的处理气体的等离子体，在被处理体上形成含碳氟化合物膜的步骤；和利用含碳氟化合物膜所包含的碳氟化合物的自由基对第一区域进行蚀刻的步骤。在该方法中，交替反复执行1次以上的流程和使含碳氟化合物膜的膜厚减小的步骤。

公开(公告)号：CN103928285B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410016335.2

申请日：2014-01-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 胜沼隆幸 ,  本田昌伸 ,  市川裕展

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32477

Abstract: 本发明提供能够提高与构件的温度相对应的膜厚的控制性的等离子体处理方法和等离子体处理装置。该等离子体处理方法包括成膜工序、等离子体处理工序以及去除工序。在成膜工序中，将配置在腔室的内部的第一构件的温度调整为低于其他构件的温度，并利用不含有氧的含硅气体的等离子体在第一构件的表面上形成氧化硅膜。在等离子体处理工序中，在第一构件的表面上形成氧化硅膜之后，利用处理气体的等离子体对输入到腔室的内部的被处理体进行等离子体处理。在去除工序中，在将经等离子体处理过的被处理体输出到腔室的外部之后，利用含氟气体的等离子体自第一构件的表面去除氧化硅膜。

公开(公告)号：CN104081502B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201380007751.X

申请日：2013-02-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川又诚也 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，其对形成于衬底上的相对介电常数不同的第一膜和第二膜交替层叠而形成的多层膜，以多层膜上的光致抗蚀剂层(PR)为掩模，利用等离子体进行蚀刻，将多层膜形成为阶梯形状，该半导体器件的制造方法反复进行如下工序：以光致抗蚀剂层为掩模对第一膜进行蚀刻的第一工序；将处理室内的压力设定为6～30Torr，对下部电极施加等离子体生成用的高频电力和偏置用的高频电力，利用由此生成的等离子体，对光致抗蚀剂层进行蚀刻的第二工序；以光致抗蚀剂层和第一膜为掩模对第二膜进行蚀刻的第三工序。

公开(公告)号：CN102683247B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201210072681.3

申请日：2012-03-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久保田和宏 ,  斋藤祐介 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C23C16/4585 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32642 ,  H01J2237/3343 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68721 ,  H01L22/26

Abstract: 本发明提供一种等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法，其为如下所述的技术：在基板的等离子体蚀刻中，对于蚀刻，能获得较高的面内均匀性。预先把握能对形成在晶圆(W)上的多层膜(7)的各膜进行面内均匀性较高的蚀刻的、适当的聚焦环(3)的温度，并作为设定温度反映在处理制程程序(64)中，并且针对被连续蚀刻的各膜、使聚焦环(3)的温度处于包括聚焦环(3)的设定温度的适当的温度范围内的方式控制加热机构及冷却机构。另外，作为聚焦环(3)的加热机构，利用由激光产生的热辐射。另外，在聚焦环(3)的冷却中，不借助作为热介质的加热器而是构成为使聚焦环(3)的热量向支承台(2)散发掉，使加热机构与冷却机构相互独立并分开。

公开(公告)号：CN104716025A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410663832.1

申请日：2014-11-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  渡边光 ,  小林史弥 ,  久保田和宏 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76813

Abstract: 本发明提供一种通过隔着硬掩模蚀刻氧化硅膜而在被处理体上形成具有50以上的深宽比的空间的蚀刻方法。该蚀刻方法包括以下工序：(a)第1工序，在具有构成下部电极的载置台和上部电极的电容耦合型的等离子体处理装置的处理容器内，将被处理体暴露于碳氟化合物系的气体的等离子体；以及(b)第2工序，在具有构成下部电极的载置台和上部电极的电容耦合型的等离子体处理装置的处理容器内，进一步将被处理体暴露于碳氟化合物系的气体的等离子体。在该蚀刻方法中，第2工序中的载置台和上部电极之间的距离被设定为第1工序中的载置台和上部电极之间的距离的5/3倍以上。

公开(公告)号：CN102194664A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110059111.6

申请日：2011-03-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 八重樫英民 ,  本田昌伸 ,  清水昭贵

IPC: H01L21/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明提供一种等离子蚀刻方法及等离子蚀刻装置，在蚀刻含有无机膜与有机膜的积层遮罩膜而形成线部时，或者蚀刻遮罩膜而形成邻接线部的间隔不同的多种线部时，可以独立控制晶片面内的线部的线宽及高度的分布。所述等离子蚀刻方法通过对基板(W)照射含有荷电粒子与中性粒子的等离子，而对基板(W)进行等离子蚀刻，通过调整支撑部(105)支撑的基板(W)面内的温度分布，来控制基板(W)面内的基板(W)与中性粒子反应的反应量的分布，并且通过调整支撑部(105)支撑的基板(W)、和以与支撑部(105)对向的方式设置的电极(120)的间隔，来控制基板(W)面内的荷电粒子的照射量的分布。