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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103928285B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410016335.2
申请日：2014-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32477
Abstract: 本发明提供能够提高与构件的温度相对应的膜厚的控制性的等离子体处理方法和等离子体处理装置。该等离子体处理方法包括成膜工序、等离子体处理工序以及去除工序。在成膜工序中，将配置在腔室的内部的第一构件的温度调整为低于其他构件的温度，并利用不含有氧的含硅气体的等离子体在第一构件的表面上形成氧化硅膜。在等离子体处理工序中，在第一构件的表面上形成氧化硅膜之后，利用处理气体的等离子体对输入到腔室的内部的被处理体进行等离子体处理。在去除工序中，在将经等离子体处理过的被处理体输出到腔室的外部之后，利用含氟气体的等离子体自第一构件的表面去除氧化硅膜。
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公开(公告)号：CN103928285A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410016335.2
申请日：2014-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32477
Abstract: 本发明提供能够提高与构件的温度相对应的膜厚的控制性的等离子体处理方法和等离子体处理装置。该等离子体处理方法包括成膜工序、等离子体处理工序以及去除工序。在成膜工序中，将配置在腔室的内部的第一构件的温度调整为低于其他构件的温度，并利用不含有氧的含硅气体的等离子体在第一构件的表面上形成氧化硅膜。在等离子体处理工序中，在第一构件的表面上形成氧化硅膜之后，利用处理气体的等离子体对输入到腔室的内部的被处理体进行等离子体处理。在去除工序中，在将经等离子体处理过的被处理体输出到腔室的外部之后，利用含氟气体的等离子体自第一构件的表面去除氧化硅膜。
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公开(公告)号：CN101625966A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910159324.9
申请日：2009-07-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，在处理对象基板的掩模膜或中间膜上形成满足半导体装置小型化要求的尺寸的用于对蚀刻对象膜进行转印的开口部。该基板处理方法具有开口宽度缩小步骤，在硅基材(50)上依次层叠有非晶碳膜(51)、SiON膜(52)、反射防止膜(53)和光致抗蚀剂层(54)，且光致抗蚀剂层(54)具有使反射防止膜(53)的一部分露出的开口部(55)的晶片(Q)中，通过由作为气体附着系数S为S＝0.1～1.0的沉积性气体的CHF 3 生成的等离子体，使沉积物(66)堆积到光致抗蚀剂膜(54)的开口部(55)的侧壁面上，将开口部(55)的开口宽度缩小至规定宽度。
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公开(公告)号：CN103400761B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201310240746.5
申请日：2009-07-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/36 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/0338 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/3127
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，在处理对象基板的掩模膜或中间膜上形成满足半导体装置小型化要求的尺寸的用于对蚀刻对象膜进行转印的开口部。该基板处理方法具有开口宽度缩小步骤，在硅基材（50）上依次层叠有非晶碳膜（51）、SiON膜（52）、反射防止膜（53）和光致抗蚀剂层（54），且光致抗蚀剂层（54）具有使反射防止膜（53）的一部分露出的开口部（55）的晶片（Q）中，通过由作为气体附着系数S为S＝0.1～1.0的沉积性气体的CHF3生成的等离子体，使沉积物（66）堆积到光致抗蚀剂膜（54）的开口部（55）的侧壁面上，将开口部（55）的开口宽度缩小至规定宽度。
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公开(公告)号：CN103400761A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310240746.5
申请日：2009-07-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , G03F7/36
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/0338 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/3127
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，在处理对象基板的掩模膜或中间膜上形成满足半导体装置小型化要求的尺寸的用于对蚀刻对象膜进行转印的开口部。该基板处理方法具有开口宽度缩小步骤，在硅基材（50）上依次层叠有非晶碳膜（51）、SiON膜（52）、反射防止膜（53）和光致抗蚀剂层（54），且光致抗蚀剂层（54）具有使反射防止膜（53）的一部分露出的开口部（55）的晶片（Q）中，通过由作为气体附着系数S为S＝0.1～1.0的沉积性气体的CHF3生成的等离子体，使沉积物（66）堆积到光致抗蚀剂膜（54）的开口部（55）的侧壁面上，将开口部（55）的开口宽度缩小至规定宽度。
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