公开(公告)号：CN101897016A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200980101317.1

申请日：2009-01-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 松本贤治 ,  伊藤仁 ,  佐藤浩 ,  小池淳一 ,  根石浩司

IPC: H01L21/768 ,  C23C16/40 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/40 ,  C23C28/00 ,  C23C28/322 ,  C23C28/345 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844

Abstract: 本发明提供如下的半导体装置的制造方法，即，在基板上的形成了凹部的层间绝缘膜的露出面形成屏蔽膜，在凹部内形成与下层侧的金属配线电连接的金属配线时，可以形成阶梯覆盖性良好的屏蔽膜，而且可以抑制配线电阻的上升。在将向形成于层间绝缘膜的凹部的底面露出的下层侧的铜配线的表面的氧化膜还原或蚀刻，除去该铜配线的表面的氧后，通过供给含有锰而不含有氧的有机金属化合物，而在凹部的侧壁及层间绝缘膜的表面等含有氧的部位选择性地生成作为自形成屏蔽膜的氧化锰，另一方面，在铜配线的表面不生成该氧化锰。其后，向该凹部中嵌入铜。

公开(公告)号：CN101765680A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200880101144.9

申请日：2008-08-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本贤治 ,  伊藤仁

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/448 ,  C23C16/45561 ,  Y10T137/7837 ,  Y10T137/8593

Abstract: 本发明提供处理气体供给系统及处理装置。处理气体供给系统(2)向气体使用系统(4)供给利用稀释气体稀释后的处理气体。处理气体供给系统(2)包括：处理气体罐(10)、稀释气体罐(12)、连接处理气体罐(10)和气体使用系统(4)的主气体通道(14)、将稀释气体罐(12)与主气体通道连接的稀释气体通道。在主气体通道(14)及稀释气体通道上，分别设置有流量控制器(FC1、FC2、FC5)。稀释气体通道在多个流量控制器当中的除最下游侧的流量控制器以外的流量控制器所紧邻的下游侧与主气体通道连接。还设有剩余气体排出通道(24)，其在流量控制器当中的除最上游侧的流量控制器以外的流量控制器所紧邻的上游侧与主气体通道连接，排出剩余的稀释后的处理气体。

公开(公告)号：CN101910459B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200880123403.8

申请日：2008-12-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 军司勋男 ,  三好秀典 ,  伊藤仁

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/4488 ,  C23C18/08 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/288

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，具有：使二价的羧酸金属盐与羧酸反应而生成一价的羧酸金属盐气体的工序；向基板(1)上供给一价的羧酸金属盐气体而沉积一价的羧酸金属盐膜(2)的工序；以及对沉积有一价的羧酸金属盐膜(2)的基板(1)提供能量，将一价的羧酸金属盐膜(2)分解，形成金属膜(3)的工序。

公开(公告)号：CN102306627A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201110272097.8

申请日：2008-06-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 松本贤治 ,  伊藤仁 ,  根石浩司 ,  小池淳一

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  C23C16/18 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/408 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。使用含Mn原料气体和含Cu原料气体以及含氧气体(例如水蒸气)作为处理气体，通过热处理(CVD或ALD)在被处理体的表面形成含CuMn合金膜薄膜。由此，能够在形成于被处理体表面的微细凹部内以高阶梯覆盖形成含CuMn合金膜薄膜。

公开(公告)号：CN101911266A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200980101621.6

申请日：2009-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤浩 ,  伊藤仁 ,  松本贤治

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/02 ,  C23C16/40 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于，含有如下工序：在形成于基板表面的层间绝缘膜，形成用于嵌入与下层侧导电路电连接的以铜作为主成分的上层侧导电路的凹部的工序；供给含有锰的有机化合物的气体，以覆盖层间绝缘膜的露出面的方式，形成用于抑制铜向所述层间绝缘膜扩散的由锰化合物构成的屏蔽层的工序；在形成所述屏蔽层后，为了提高构成屏蔽层的锰化合物中的锰的比率而向该屏蔽层供给有机酸的工序；在有机酸供给工序之后，在所述屏蔽层的表面形成以铜作为主成分的种子层的工序；在种子层形成工序之后，为了使屏蔽层的表面或层中的锰向种子层的表面析出而将所述基板加热处理的工序；为了除去因加热而在种子层的表面析出的锰而向该种子层供给清洗液的工序；在清洗液供给工序之后，在所述凹部内形成以铜作为主成分的上层侧导电路的工序。

公开(公告)号：CN101910459A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880123403.8

申请日：2008-12-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 军司勋男 ,  三好秀典 ,  伊藤仁

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/16 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/4488 ,  C23C18/08 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/288

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，具有：使二价的羧酸金属盐与羧酸反应而生成一价的羧酸金属盐气体的工序；向基板(1)上供给一价的羧酸金属盐气体而沉积一价的羧酸金属盐膜(2)的工序；以及对沉积有一价的羧酸金属盐膜(2)的基板(1)提供能量，将一价的羧酸金属盐膜(2)分解，形成金属膜(3)的工序。

公开(公告)号：CN103392387A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201280010392.9

申请日：2012-02-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 清水正裕 ,  伊藤仁

IPC: H05K3/22 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H05K3/10 ,  H01L21/288

CPC classification number: B05D7/02 ,  H01B19/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6776 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0097 ,  H05K3/10 ,  H05K3/1283 ,  H05K2203/102 ,  Y02E10/549

Abstract: 在塑料基板上涂布包含膜成分的涂布组合物而形成涂布膜，对该涂布膜照射电磁波而将涂布膜干燥和/或改性，形成膜。作为膜，可以举出导电体膜、半导体膜、电介质膜，在形成导电体膜时使用包含金属纳米颗粒的涂布组合物，在形成半导体膜时使用有机半导体材料作为涂布组合物，在形成电介质膜时使用有机电介质材料作为涂布组合物。

公开(公告)号：CN101652501B

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN200880011143.5

申请日：2008-03-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 伊藤仁

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/18 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45593 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供成膜方法、成膜装置和存储介质。该成膜方法，在向基板供给使固体原料升华而得到的金属原料络合物例如醋酸铜的气体作为原料气体，通过该原料气体的化学反应在基板上形成金属铜的膜时，能够大幅抑制原料气体的消耗量。向处理容器内供给使固体原料升华而得到的原料气体，使原料作为固体吸附在处理容器内的吸附脱离部件上。接着停止原料气体的供给和排气，使处理容器为密闭空间。之后，对基板进行加热，并且使原料从吸附脱离部件脱离，使该原料在基板上进行化学反应，在基板上形成薄膜。