公开(公告)号：CN111218671A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201911173253.8

申请日：2019-11-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤里敏章 ,  望月隆 ,  鸟屋大辅 ,  铃木公贵 ,  鲁和俊

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50

Abstract: 本发明提供基板保持机构和成膜装置。该基板保持机构能够在利用等离子CVD或等离子ALD成膜导电性膜时静电吸附被处理基板，该成膜装置使用了该基板保持机构。基板保持机构包括：载物台，其由电介质构成，用于支承被处理基板；吸附电极，其设于载物台内；以及加热器，其加热载物台，利用约翰逊·拉别克力将被处理基板静电吸附于载物台的表面，载物台具有：密合区域，其呈环状，位于载物台的表面的与被处理基板的外周相对应的位置，与被处理基板密合，而具有阻止用于成膜导电性膜的原料气体迂回到所述被处理基板的背面侧的功能；以及槽部，其呈环状设于载物台的表面的比密合区域靠外侧的部分，能够累积由原料气体生成的导电性沉积膜。

公开(公告)号：CN101903980B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200980100768.3

申请日：2009-03-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 鸟屋大辅 ,  山本弘彦

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68792 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67115

Abstract: 本发明提供载置台构造以及热处理装置，能防止在载置台的中心部产生冷却点，防止该载置台本身破损，并且能够提高对被处理体的热处理的面内均匀性。设置在热处理装置的处理容器(22)内，用于载置作为应进行热处理的被处理体的半导体晶片(W)的载置台构造，具备：用于载置上述被处理体的载置台(52)；和与上述载置台下表面的中心部连结并支承上述载置台的筒体状的支柱(54)。在上述支柱内的上部设有接近上述载置台的下表面设置的热反射部(56)。利用热反射部(56)阻止在载置台(54)的中心部产生冷却点。

公开(公告)号：CN101584036A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200880002521.3

申请日：2008-01-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小松智仁 ,  山本弘彦 ,  鸟屋大辅

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C16/4586

Abstract: 在陶瓷制的载置台主体(72)的内部埋设有被馈电导体部(94、96)。在载置台主体(72)的表面形成有凹部形态的连接孔(112)，由与被馈电导体部电接合的高熔点金属、其合金或其化合物构成的连接端子(110)从该连接孔(112)的内部露出。为了向被馈电导体部进行馈电将设置在馈电用线路部件的前端的馈电用连接器部(114)插入到连接孔内。将应力缓和部件(116)设置在连接端子和馈电用连接器部之间。应力缓和部件和连接端子利用钎料(120)而接合。应力缓和部件由不含钴和镍的金属或其合金构成。因此，能够防止在连接端子和馈电用连接器部的接合部中发生金属元件的热扩散，防止接合强度的恶化。

公开(公告)号：CN113451198B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202110266661.9

申请日：2021-03-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 津田荣之辅 ,  鸟屋大辅 ,  米仓总史 ,  武田聪 ,  福留誉司 ,  池田恭子

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  C23C16/54

Abstract: 本发明提供恰当地控制用于载置基板的载置面的温度的基板载置台及基板处理装置。该基板载置台具有：载置台主体，在该载置台主体的内部具有被冷却面；以及供给流路形成构件，该供给流路形成构件由导热性较所述载置台主体低的材料形成，且具有朝向所述被冷却面喷射制冷剂的冷却喷嘴。

公开(公告)号：CN111508869B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202010078725.8

申请日：2020-02-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 鸟屋大辅 ,  古屋雄一 ,  藤里敏章

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/16 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

Abstract: 本发明提供一种恰当地控制传热气体的供给的基板处理装置的控制方法和基板处理装置。具备用于在主体容器内载置基板的载置台、环状构件、气体导入部、排气部、以及向背面空间供给传热气体或将传热气体排出的传热气体供给排气部的基板处理装置的控制方法包括以下工序：将基板载置于载置台，将环状构件载置于基板进行按压；在传热气体供给排气部中，准备向背面空间供给的传热气体的压力；从传热气体供给排气部向背面空间供给传热气体；从气体导入部向主体容器内导入气体来对基板实施处理；第一排气工序，经由节流孔从背面空间排出传热气体；以及第二排气工序，在第一排气工序之后，从背面空间排出传热气体；以及从基板拆卸环状构件。

公开(公告)号：CN110931388B

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN201910874896.9

申请日：2019-09-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤耕一 ,  藤里敏章 ,  鸟屋大辅

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/205 ,  B08B5/02

Abstract: 本发明提供减少微粒的载置单元和处理装置。载置单元包括：载物台，其载置基板；支承构件，其自载置基板的载置面的背面侧支承载物台；调温构件，其能够调整温度，具有自下表面固定载物台的板部、自板部向下方延伸的轴部以及自板部贯穿轴部且收容支承构件的孔部；隔热构件，其配置于载物台与调温构件之间；以及抵接构件，其与载置于载物台的基板抵接，载物台具有：气体流路，其具有喷出气体的至少一个开口部；载置凹部，其收容并载置基板；以及至少一个深掘部，其形成于比载置凹部靠外周侧的位置，与载置凹部连通，自开口部喷出的气体穿过在基板的侧面和深掘部的侧面之间形成的空间，气体在载物台与抵接构件之间的空间内向半径外侧流动。

公开(公告)号：CN111417742A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201880074074.6

申请日：2018-10-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤里敏章 ,  石坂忠大 ,  望月隆 ,  鸟屋大辅

IPC: C23C16/458 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31 ,  H01L21/683

Abstract: 在未形成等离子体的气氛下对基板进行处理时，能够可靠性较高地对该基板进行吸附，在基板的面内进行均匀性较高的处理。构成具备以下构件的装置：直流电源(35)，其正极侧与静电卡盘(3)的电极(32)和导电构件(4)中的一者连接，负极侧与静电卡盘(3)的电极(32)和导电构件(4)中的另一者连接，用于在处理容器(11)内未形成等离子体的状态下向位于与基板(W)相接的处理位置的导电构件(4)和电极(32)之间施加电压，利用由此产生的静电吸附力使基板(W)吸附于静电卡盘(3)的电介质层(31)；以及处理气体供给部(28)，在使基板(W)吸附于电介质层(31)的状态下，向该基板(W)供给处理气体并进行处理。

公开(公告)号：CN110931388A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910874896.9

申请日：2019-09-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤耕一 ,  藤里敏章 ,  鸟屋大辅

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/205 ,  B08B5/02

Abstract: 本发明提供减少微粒的载置单元和处理装置。载置单元包括：载物台，其载置基板；支承构件，其自载置基板的载置面的背面侧支承载物台；调温构件，其能够调整温度，具有自下表面固定载物台的板部、自板部向下方延伸的轴部以及自板部贯穿轴部且收容支承构件的孔部；隔热构件，其配置于载物台与调温构件之间；以及抵接构件，其与载置于载物台的基板抵接，载物台具有：气体流路，其具有喷出气体的至少一个开口部；载置凹部，其收容并载置基板；以及至少一个深掘部，其形成于比载置凹部靠外周侧的位置，与载置凹部连通，自开口部喷出的气体穿过在基板的侧面和深掘部的侧面之间形成的空间，气体在载物台与抵接构件之间的空间内向半径外侧流动。

公开(公告)号：CN105164307B

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201480024289.9

申请日：2014-02-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成嶋健索 ,  鸟屋大辅 ,  朝仓贤太朗 ,  村上诚志

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明提供一种易于进行组装、维护等且能够抑制反应气体进入到波纹管内的成膜装置。配置于在真空氛围下向基板(W)的表面供给反应气体而进行成膜处理的处理容器(1)内的升降轴(23)以自下表面侧支承着用于载置基板(W)的载置台(2)的状态沿上下方向延伸地设置，该升降轴(23)穿过被设于处理容器(1)的贯通口(15)而与外部的升降机构相连接。波纹管(231)自侧方覆盖升降轴(23)的周围而将处理容器(1)内保持为真空气氛，盖构件(41)以包围升降轴(23)的方式配置，吹扫气体供给部(63b)向波纹管(231)内供给吹扫气体，以便形成经由升降轴(23)与盖构件(41)之间的间隙向处理容器(1)流动的气体的流动。

公开(公告)号：CN301901949S

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201130327097.4

申请日：2011-09-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Designer： 铃木公贵 ,  鸟屋大辅 ,  山崎幸一

Abstract: 1.外观设计产品的名称：等离子体处理装置的衬里。2.外观设计产品的用途：本产品是设置在使用等离子体对基板进行蚀刻等处理的等离子体处理装置内壁上的衬里，用于防止处理容器的构成材料等造成金属污染。3.外观设计的设计要点：本外观设计的设计要点在于产品的形状。4.指定的图片或照片：立体图。