公开(公告)号：CN102341902A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201080010695.1

申请日：2010-03-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五味淳 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  原正道 ,  山本薰 ,  多贺敏 ,  安室千晃

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/458 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68785 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明涉及为了在能够真空排气的处理容器内，使用包含有机金属化合物的原料的原料气体在被处理体的表面形成薄膜而载置该被处理体的载置台结构。根据本发明的载置台结构，其特征在于，具备：载置台主体，载置被处理体并且在内部设置有加热器；和基台，以包围上述载置台主体的侧面和底面的状态支撑上述载置台主体，并且在内部设置有流通致冷剂的致冷剂通路，维持在低于原料气体的分解温度且在原料气体的凝固温度或液化温度以上的温度范围。

公开(公告)号：CN101802257B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200880106580.5

申请日：2008-09-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原正道 ,  五味淳 ,  前川伸次 ,  多贺敏

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4586 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68742

Abstract: 本发明涉及一种载置有被处理基板的基板载置机构，具备：加热板(21)，其具有被处理基板载置面(21a)，埋设有将被处理基板(W)加热至膜堆积的成膜温度的加热体，并具备具有宽径部(94b)和窄径部(94a)的第一升降销插通孔(81a)；调温套，其被形成为至少覆盖被处理基板载置面(21a)以外的表面的，温度为不足成膜温度的非成膜温度，具备具有宽径部(92b)和窄径部(92a)的第二升降销插通孔(81c)；具备能够插通宽径部(94b)的盖部(93b)和能够插通宽径部(94b)和窄径部(94a)双方的轴部(93a)的第一升降销(24b-1)；具备能够插通宽径部(92b)的盖部(91b)和能够插通宽径部(92b)和窄径部(92a)双方的轴部(91a)的第二升降销(24b-2)。

公开(公告)号：CN113832438A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202110652860.3

申请日：2021-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 竹内淳史 ,  北田亨 ,  中村贯人 ,  五味淳

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/50 ,  C23C14/54 ,  C23C14/16 ,  C23C14/52

Abstract: 本发明提供成膜装置和成膜方法。不用事先对靶进行加工，就能够判断靶的更换时刻。一种成膜装置，其利用磁控溅射法在基板上形成膜，其中，该成膜装置具有：基板保持部，其保持基板；保持件，其以强磁性材料的靶朝向所述基板保持部的方式保持该靶；磁体单元，其设于所述保持件的与所述基板保持部相反的一侧，向被所述保持件保持的所述靶的所述基板保持部侧泄漏磁场；以及磁场强度测量部件，其测量所述磁场的强度。

公开(公告)号：CN104350174B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201380028671.2

申请日：2013-04-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 古川真司 ,  五味淳 ,  宫下哲也 ,  北田亨 ,  中村贯人

IPC: C23C14/58 ,  C23C14/02 ,  C23C14/08 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/12

CPC classification number: C23C14/5853 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/352 ,  C23C14/564 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3447 ,  H01J2237/3322 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供一种在基板上形成金属氧化膜时、使基板间金属氧化膜的电阻值稳定的处理装置和处理方法。在能够进行等离子体溅射处理的真空容器(2)内部配置有由用于吸收氧的构件构成的靶(31a)和由金属构成的靶(31b)，将基板(S)搬入真空容器(2)内部。利用盖板(43)遮蔽基板(S)，对靶(31a)进行溅射而在真空容器(2)内部成膜，由该膜吸附真空容器(2)内部的氧。之后，使盖板(43)从基板(S)上方移开，对靶(31b)进行溅射而在基板(S)上形成金属膜。从再次移动到基板(S)上方的盖板(43)供给所需量的氧，将金属膜氧化成金属氧化膜。之后，对靶(31a)进行溅射而吸附真空容器(2)内部的氧，之后将形成有金属氧化膜的基板(S)从真空容器(2)内部搬出。

公开(公告)号：CN101082125B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200610140313.2

申请日：2006-11-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 李一成 ,  石坂忠大 ,  山本薰 ,  五味淳 ,  原正道 ,  藤里敏章 ,  雅克·法盖特 ,  水泽宁

IPC: C23C16/513 ,  C23C16/52 ,  C23C16/06

CPC classification number: C23C16/45517 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32522

Abstract: 本发明涉及一种用于在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质和系统，包括：将气相沉积系统的第一组件保持在第一温度；将气相沉积系统的第二组件保持在低于第一温度的降低的温度；将衬底布置在第一组件的处理空间中，所述处理空间与第二组件的转移空间真空隔离；以及将材料沉积在衬底上。因此，所述系统包括第一组件，其具有配置来便于材料沉积的处理空间；第二组件，其被耦合到第一组件，并且具有便于将衬底转入或者转出沉积系统的转移空间；衬底台，其连接到所述第二组件，并且配置来支撑衬底；以及密封部件，其被配置来将处理空间与转移空间隔离。第一组件被配置为保持在第一温度下，第二组件被配置为保持在低于第一温度的降低温度下。

公开(公告)号：CN101542016B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200880000148.8

申请日：2008-02-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五味淳 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  原正道 ,  横山敦 ,  多贺敏

IPC: C23C16/16

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76873

Abstract: 本发明涉及一种成膜方法，其通过向被处理基板的表面上供给羰基金属原料的气相分子，在所述被处理基板表面附近使其分解，而在所述被处理基板的表面上堆积金属膜，设置有在所述被处理基板表面堆积金属层时，使与所述被处理基板外周部分邻接的区域中的所述羰基金属原料优先分解的工序，使得在所述被处理基板外周部附近的气氛中CO浓度局部增大，抑制金属膜在所述外周部的堆积。

公开(公告)号：CN102112206A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980130242.X

申请日：2009-08-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原正道 ,  五味淳 ,  波多野达夫

IPC: B01D53/64 ,  B01D53/62 ,  C23C16/44 ,  F27D17/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3065

CPC classification number: F27D17/004 ,  B01D53/005 ,  B01D53/04 ,  B01D53/75 ,  B01D53/864 ,  B01D53/8668 ,  B01D53/869 ,  B01D2251/102 ,  B01D2255/20 ,  B01D2255/2045 ,  B01D2255/2047 ,  B01D2255/2073 ,  B01D2257/502 ,  B01D2257/706 ,  B01D2258/0216 ,  C23C16/16 ,  C23C16/18 ,  C23C16/4412 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/28556 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 一种金属回收装置(66)，其从用由有机金属化合物原料形成的原料气体而在被处理体的表面上形成薄膜的处理容器(10)所排出的排气气体中回收金属成分，将排气气体进行除害。金属回收装置具有：捕集单元(80)，其具有捕集部件，所述捕集部件构成为，加热所述排气气体，使排气气体中含有的未反应的原料气体热分解，将原料气体中含有的金属成分附着；除害单元(82)，其具有氧化通过捕集单元的排气气体中含有的有害气体成分而进行除害的催化剂(100)。

公开(公告)号：CN101084327B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200580043869.3

申请日：2005-12-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石坂忠大 ,  五味淳 ,  若林哲

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C23C16/4404 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，该成膜方法利用下述成膜装置，该成膜装置包括：处理容器，其内部具备保持被处理基板的保持台；和喷头部，向上述处理容器内供给用于成膜的处理气体，向该处理容器内施加用于激发等离子体的高频电力。该成膜方法的特征在于，包括：成膜工序，在上述被处理基板上形成含有金属的薄膜；和保护膜形成工序，在上述成膜工序之前，在上述喷头部形成含有其它金属的保护膜。

公开(公告)号：CN101802976A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880106639.0

申请日：2008-09-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 原正道 ,  五味淳 ,  前川伸次 ,  多贺敏 ,  山本薰

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种基板载置机构、基板处理装置、抑制在基板载置机构上堆积膜的方法和存储介质。基板载置机构载置被处理基板，包括：加热器板21，其具有被处理基板载置面21a，并且埋设有将被处理基板W加热至堆积形成膜的成膜温度的加热体21b；和调温护套22，其以至少覆盖加热器板21的被处理基板载置面21a以外的表面的方式形成，并且其温度为低于成膜温度的非成膜温度。

公开(公告)号：CN101205605A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200610168334.5

申请日：2006-12-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 李一成 ,  石坂忠大 ,  山本薰 ,  五味淳 ,  原正道 ,  藤里敏章 ,  雅克·法盖特 ,  水泽宁

IPC: C23C16/46 ,  C23C16/513 ,  C23C16/52 ,  C23C16/06 ,  C23C16/22

Abstract: 本发明公开了在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质以及系统：将衬底布置在处理系统的处理空间中，处理空间与处理系统的传递空间真空隔离；在处理空间中的第一位置或第二位置对衬底进行处理，同时保持与传递空间的真空隔离；在第一位置或第二位置在所述衬底上沉积材料。同样，该系统包括第一组件，第一组件设置有便于材料沉积的处理空间；第二组件，连接到第一组件并具有便于将衬底传递进出沉积系统的传递空间；衬底载台，连接到第二组件并设置为支撑衬底以及将衬底在传递空间中的第一位置到处理空间中的第二位置之间进行平移。该系统包括密封组件，密封组件设置为在衬底在处理空间中平移的过程中阻挡气体在处理空间与传递空间之间的流动。