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公开(公告)号：CN114414971B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111530294.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法，包括第一步，选取2只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为A组、B组，第二步，对A组的CMOS图像传感器进行70MeV质子辐照试验；第三步，对A组CMOS图像传感器进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，计算出位移损伤剂量；第五步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，根据位移损伤剂量计算出对应的中子注量Fni；第六步，对B组的CMOS图像传感器进行反应堆中子辐照试验；第七步，计算空间质子电离损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第八步，拟合△μi‑Fpi的变化曲线。本发明消除位移损伤的影响、定量评价质子电离损伤，精准预判器件在轨性能退化趋势，提前做好防护措施，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114414971A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111530294.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法，包括第一步，选取2只同晶圆批的CMOS图像传感器，分为A组、B组，第二步，对A组的CMOS图像传感器进行70MeV质子辐照试验；第三步，对A组CMOS图像传感器进行结构分析；第四步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，计算出位移损伤剂量；第五步，采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损，根据位移损伤剂量计算出对应的中子注量Fni；第六步，对B组的CMOS图像传感器进行反应堆中子辐照试验；第七步，计算空间质子电离损伤△μi，△μi＝μAi‑μBi；第八步，拟合△μi‑Fpi的变化曲线。本发明消除位移损伤的影响、定量评价质子电离损伤，精准预判器件在轨性能退化趋势，提前做好防护措施，对航天器在轨安全运行具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114408309A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111536195.8
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种带交联乙烯‑四氟乙烯导线的组件的防腐蚀包装方法，其特征在于，其包括以下步骤：S1、导线前处理：包括将剪好的导线放入烘箱中进行热处理；S2、导线组件包装：包括将热处理过的导线组装成导线组件后进行单元包装，所述单元包装采用自封袋打孔包装或者真空干燥包装。本发明通过对X‑ETFE导线进行前处理将氟元素提前释放，并通过采用自封袋打孔的包装方法，使得包装内含氟物质通过打孔向外散发，从而降低电连接器金属零件的腐蚀速率；或者采用真空干燥包装方法，除去空气中的水气，以有利于延长贮存时间，有效解决了腐蚀的问题。
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公开(公告)号：CN111474465A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010341888.0
申请日：2020-04-27
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/311 , G01R1/04
Abstract: 本发明涉及用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法，夹具包括PCB基板、排针、底座、底座插针、簧片阵列、压杆和杆套；底座设置在PCB基板上；底座上设有两列所述簧片阵列；杆套设置在PCB基板上，压杆与杆套连接；待分析扁平封装半导体器件置于底座上，器件两侧的两管脚阵列分别与两列簧片阵列对接，压杆一端部紧压在器件的边框上，使器件管脚阵列与簧片阵列压紧连接；PCB基板上排布有微带引线，簧片阵列通过底座插针与微带引线连接，微带引线与排针连接。本发明的用于EMMI分析的扁平封装半导体器件夹具及分析方法，既能保证扁平封装半导体器件管脚与夹具良好连接，又能使扁平封装半导体器件的芯片充分暴露。
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公开(公告)号：CN117810668A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311797555.9
申请日：2023-12-26
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提出一种可3D集成毫米波双腔滤波装置和耦合方法。与现有技术相比，本发明解决了传统开放式传输线构建的毫米波器件在自由空间内易辐射和损耗高的问题；同时基于将二维电路堆叠成三维滤波装置的方法，与传统金属波导滤波装置相比较，降低了制备成本，准圆波导谐振腔的可调谐参数更丰富，适用于灵活构建耦合窗口。采用了多种隔离方法来降低高密度SIP集成中的电磁波互耦合问题，激励了正交模式的准TE和TM模，构建了独立的正负耦合路径。本滤波装置的双零点灵活可调，端口适配于多种电磁波传输和耦合，既可以单独构建器件，也可用于毫米波器件的测试，或直接与SIP器件集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111060796B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201911262362.7
申请日：2019-12-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天控制技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明实施例提供了一种用于光敏三级管空间位移效应检测方法，其特征在于，包括步骤：步骤1：将辐照电路单元送入位于质子加速器束流出口处；其中，辐照电路单元包括：光电转换单元、电压采集单元、偏置电路以及至少两个光敏三级管；步骤2：加工作电压对辐照电路单元进行辐照前通电测试，确保其能正常工作；步骤3：开始质子辐照试验，试验过程中通过路径选通切换单元实时记录采样电压；步骤4：改变试验条件，测试光敏三级管质子辐射下的测试数据。
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公开(公告)号：CN111999626A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010764233.4
申请日：2020-08-02
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种可配置的半导体器件I-V特性测试装置及其测试方法，由PCB基板、电源端口、悬空端口、接地端口、第一夹具、第二夹具、单刀三掷开关组和单刀双掷开关组组成；电源端口、悬空端口和接地端口通过PCB基板引出，所述电源端口连接图示仪的电源端；接地端口连接图示仪的接地端；第一夹具和第二夹具分别用于安装失效器件和正常器件。本发明采用通用的双列直插夹具，可以较为简单地实现双列直插封装的半导体器件I-V特性测试，同样能够针对可转换为双列直插的其它形式封装半导体器件的I-V特性进行测试；通过单刀三掷开关切换选择需要进行I-V特性测试的管脚，通过双掷开关组实现失效器件和正常器件的I-V特性曲线快速对比。
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公开(公告)号：CN111273164A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010165155.6
申请日：2020-03-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/311 , G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种电压调整器动态EMMI分析系统及分析方法,包括：EMMI平台、PCB基板、外部电源、信号发生器、V-I源。PCB基板置于EMMI平台上，PCB基板上通过插针安装有夹具一和夹具二，PCB基板包括信号端、电源端、公共地、负载端4个端口，4个端口分别与信号发生器、外部电源、系统地、V-I源相连，夹具一和夹具二分别用以安装失效电压调器和正常电压调整器。通过包含外部电源、信号发生器、V-I源在内的动态EMMI分析系统，能够使电压调整器内部器件进入工作状态，从而有效激发能够被微光显微镜获所取的缺陷。将失效电压调整器和正常电压调整器进行相同方式的加电，并且通过开关进行统一切换，能够快速实现动态EMMI图像的对比。
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公开(公告)号：CN111007078A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911091011.4
申请日：2019-11-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明涉及片式钽电容器及其阴极二氧化锰层质量控制方法，包括对样品进行剖面制样，再对制样剖面镜检；剖面镜检中对阴极二氧化锰层质量进行检查，检查是否满足如下要求：阴极二氧化锰层内无尺寸大于钽芯短边1/4的局部分层或空洞；对于A壳或B壳尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/6的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边；对于C壳及以上尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/8的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边。本发明增加阴极二氧化锰层质量控制要求，避免存在类似“固有局部电应力集中”的片式钽电容器用于产品，保证产品装机后的可靠性。
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公开(公告)号：CN110333432A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910613866.2
申请日：2019-07-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种氮化镓微波功率器件结温测定方法，包括如下步骤：S1、计算氮化镓微波功率管的管芯热分布；S2、器件衬底和管壳温度校准；S3、利用微区拉曼法进行氮化镓层温度测量；S4、利用热反射成像法进行栅极金属温度测量；S5、利用有限元分析方法分层计算氮化镓层的最高结温和三维温度分布。本发明可以获取氮化镓微波功率器件的工作状态下的最高结温位置点、沟道温度分布和三维温度分布。通过仿真和实验测量数据结合的方法可以校验测试的数据有效性，最大可能避免因意外因素产生的测量误差和真实结温外推误差，采用上下边界条件来计算拟合氮化镓器件的结温，具有更准确的结温的有益效果。
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