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公开(公告)号：CN117723921A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311508010.1
申请日：2023-11-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明的基于栅源电压表征SiC MOSFET功率器件结温和热阻的方法，其步骤包括：设计SiC MOSFET器件瞬态热阻测试电路，使漏极电流Id和漏源电压Vds维持恒定值。通过恒温油槽使SiC MOSFET器件升温，在热稳态下校准其栅源电压Vgs和结温Tj关系曲线。通过恒定的漏电流Id和漏源电压Vds使SiC MOSFET器件升温，实时监测栅源电压Vgs曲线，结合栅源电压Vgs‑结温Tj关系公式，反推结温Tj曲线。对SiC MOSFET器件结温曲线Tj进行变换，得到瞬态热阻曲线Zth(t)。对SiC MOSFET器件瞬态热阻曲线Zth(t)进行变换，得到微分结构函数曲线，提取各封装结构单元热阻参数。针对SiC基和Si基器件的差异，本发明设计了适用电路，构建了栅源电压Vgs和结温Tj的对应关系，解决了无法通过寄生二极管电压降实时监测SiC MOSFET器件结温的不足。
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公开(公告)号：CN117176156A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311048405.8
申请日：2023-08-18
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: H03M1/10
Abstract: 一种数模模数转换器单粒子瞬态效应测试装置及其方法，所述装置主要由程控电源、信号发生器、示波器、测试电路板、电流表组成、待测器件DUT和可编程门阵列FPGA模块组成。待测器件DUT焊接在测试电路板上，程控电源为测试电路板和待测器件提供正常工作需要的电流。程控电源的正极通过电线连接电流表输入端口，经过电流表的输出端口连接至电路板，以此来观察器件工作电流的变化情况。信号发生器通过同轴电缆连接测试电路板的SMA接口，为待测器件提供输入信号，输入信号为方波或者正弦波。待测器件的输出信号通过测试电路板的SMA接口利用同轴电缆连接到示波器，来显示输出的数字或模拟信号。FPGA模块同样焊接在测试电路板上，通过电路板上的金属布线与待测器件连接。
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公开(公告)号：CN116702461A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310629411.6
申请日：2023-05-30
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G06F30/20 , G06F119/02 , G06F119/04 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供一种基于温‑湿度交互作用的元器件加速寿命预测方法，包括如下步骤：S1、进行加速寿命试验，获取性能退化数据；S2、基于Wiener过程进行产品性能退化建模；S3、温‑湿度交互作用加速寿命模型参数估计；S4、进行寿命和可靠性评估；S5、加速寿命模型有效性评估。本发明不但考虑了温度和湿度的影响，还充分考虑了二者的交互作用，更符合元器件在复杂环境下的实际应用情况，为元器件寿命预测和可靠性评估提供了一种新的可行的加速寿命模型。
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公开(公告)号：CN114894838B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202210477014.7
申请日：2022-05-02
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明的定量评估NMOS晶体管焊料层孔隙安全分布区域的方法包括：制备一系列焊料层孔隙率相同、孔隙分布位置不同的标定样品；通过超声波扫描显微镜验证各标定样品焊料层孔隙分布情况；采用瞬态热阻法获得孔隙位置与热阻参数的关系；根据孔隙位置与热阻参数的关系，确定焊料层孔隙的安全分布范围。本发明根据焊料孔隙‑芯片焊盘中心点间距，定量确定焊料层孔隙的安全分布区域，剔除含有显著影响散热性能孔隙的器件，保留含有不显著影响散热性能孔隙的器件，减少NMOS晶体管不必要的批退、返厂和报废，提升NMOS晶体管的利用率，解决了传统方法无法定量评估焊料孔隙位置对NMOS晶体管散热性能影响程度的不足。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118393245A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410348251.2
申请日：2024-03-26
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明公开了一种光电探测器光、热、电综合应力下寿命考核试验装置，包括：光源、拆换法兰盘、导光筒、高温试验箱、隔热玻璃、滑轨、遮光板、测试子板、子母板连接线、测试母板、操作台、电控柜、环境控制装置、氮气瓶，高温试验箱内部底座上安装滑轨，测试子板与滑轨相连接，遮光板能实现测试过程中高温试验箱光场的均匀、可控，隔热玻璃密封安装在高温试验箱左侧，导光筒通过拆换法兰盘安装光源。本发明解决了高温试验条件下，温度导致的光源性能漂移，以及传统测试装置难以实现对光电探测器件试验过程中实际受到的光源辐照量进行标定和控制的问题，创新性设计了能为光电探测器实现光、热、电综合应力试验环境的装置。
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公开(公告)号：CN115900985A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211113585.9
申请日：2022-09-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种结构差异法获取LED荧光胶最高温度的方法，其特征在于，包括下述步骤：S1，制备三种封装结构的LED器件，LED器件I芯片裸露，LED器件II芯片表面覆盖硅胶，LED器件III芯片表面覆盖荧光胶；S2，与三种器件对应分别建立三种光学和热学结构不同的模型；S3，积分球分别测试LED器件II和LED器件III的光辐射功率，分别获得LED器件III的芯片发热功率和荧光胶发热功率；S4：使用瞬态热阻法测试三种器件的芯片结温和芯片PN结‑环境整体热阻；S5，根据结构差异法，获得LED器件III的荧光胶最高温度。本发明获得LED器件III的荧光胶最高温度，解决了传统方法无法测试LED芯片表面荧光胶最高温度的不足，避免了荧光胶温度过高对LED发光效率和封装可靠性的影响。
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公开(公告)号：CN115824914A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211184592.8
申请日：2022-09-27
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供一种基于微分函数定量估算二极管焊料层孔隙率的方法，首先制备不同孔隙率的二极管器件作为标定样品，采用瞬态热阻测试法获得标定样品的微分函数曲线和热阻值，确定热阻和孔隙率的关系；再将未知焊料孔隙率二极管作为待测样品，测试其微分函数曲线和热阻值；最后将标定样品和待测样品的热特性信息进行对比，确定待测二极管样品的孔隙率范围。通过该方法可准确反映待测样品焊料层的孔隙率特征，提高出厂器件的可靠性和产品良率。本发明解决了现有瞬态热阻测试方法无法定量确定焊料层孔隙率范围的难题，可定量分析多个未知焊料孔隙率的待测样品，并对多个待测样品的焊料孔隙率结果进行统计分析，有助于深入分析该批次产品的焊料工艺情况。
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公开(公告)号：CN115598483A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211113580.6
申请日：2022-09-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所(CN)
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种Pt传感器实时监测加电状态下功率二极管结温的方法，其特征在于，包括：S1：在PCB覆铜板上制备Pt薄膜电阻温度传感器；S2：确定该Pt薄膜电阻温度传感器电阻和温度的换算M系数；S3：制备芯片底部有Pt薄膜电阻温度传感器的功率二极管；S6：将功率二极管接入老化电路，实时监测Pt薄膜电阻温度传感器电阻，通过Pt薄膜电阻温度传感器监测加电状态下的二极管结温。本发明相比于只能测试器件表面温度的热电偶法，测温的可重复性和均一性更好；相比于红外法，不需要考虑表面封装材料发射率的影响，测试的芯片结温更准确；相比于热阻测试法，在二极管加电测试过程中无需进行热阻测试，就可解决传统测试无法实时监测二极管结温的不足。
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公开(公告)号：CN115219870A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210746556.X
申请日：2022-06-28
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明实施例提供了一种利用荧光胶温度计算高温老化LED芯片结温的方法，包括步骤：通过热电偶测试的LED荧光胶温度校准红外法测试的LED荧光胶温度，确定校准P系数；确定LED芯片的温度敏感参数K系数；采用热电偶P系数校准后的红外法重新测定荧光胶温度，采用瞬态热阻法测试芯片结温；单独改变恒温炉温度，确定其对校准红外法荧光胶温度‑瞬态热阻法芯片结温曲线的影响；单独改变加热电流，确定其对校准红外法荧光胶温度‑瞬态热阻法芯片结温曲线的影响；将LED接入老化电路，采用校准红外法测试荧光胶温度，结合荧光胶温度‑芯片结温曲线，计算LED芯片结温。本发明无需测试荧光胶发射率，解决了传统方法不能快速精确测定高温老化LED芯片结温的不足。
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