倒装封装的GaN基LED芯片温度实时监测方法

    公开(公告)号:CN116295845A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202211184228.1

    申请日:2022-09-27

    Abstract: 本发明提供一种倒装封装的GaN基LED芯片温度实时监测方法,包括:制备倒装封装的GaN基LED器件;积分球透射法测试蓝宝石基片红外透射率;红外相机间接表征YAG:Ce3+荧光胶的红外透射状态;积分球反射计法测试GaN基LED芯片的红外发射率;特定光谱波长的锑化铟红外透射法和瞬态热阻法分别测试GaN基LED芯片温度,验证锑化铟红外透射法的测温准确性;GaN基LED器件接入老化电路,特定光谱波长的锑化铟红外透射法实时监测GaN基LED芯片温度。本发明验证了特定波长红外光在蓝宝石基片和YAG:Ce3+荧光胶的透射性,解决现有技术无法实时监测倒装封装的GaN基LED芯片温度的问题。

    光纤通信模块单粒子效应测试系统和方法

    公开(公告)号:CN114355228A

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202111512529.8

    申请日:2021-12-11

    Abstract: 本发明涉及光纤通信模块单粒子效应测试系统和方法,移动靶、重离子枪、FPGA和第二中继器均置于真空辐照室内;被测光纤通信模块安装在移动靶上;SMA接头设置在真空辐照室舱壁上;被测光纤通信模块一路通道连接至SMA接头,再连接至误码仪;被测光纤通信模块其余通道连接FPGA,FPGA通过DB9串口连接至数据采集计算机;电源为被测光纤通信模块和FPGA提供直流稳定电压;主控计算机与电源连接;主控计算机、通讯板、第一中继器依次连接,第一中继器又通过DB9串口第二中继器与被测光纤通信模块内部寄存器连接。本发明涉及光纤通信模块单粒子效应测试系统和方法,能够对光纤通信模块的单粒子效应进行测试。

    元器件在轨飞行评价验证方法

    公开(公告)号:CN111337779A

    公开(公告)日:2020-06-26

    申请号:CN202010220887.0

    申请日:2020-03-26

    Abstract: 本发明的元器件在轨飞行评价验证方法包括:1)确定被验证元器件在轨飞行评价验证阶段的工作状态;2)确定被验证元器件在轨飞行评价验证所需测试的功能及参数;3)研制开发在轨测试系统;4)对在轨测试系统进行地面标定试验;5)组装被验证元器件与在轨测试系统,并随航天器一起发射入轨;在轨期间,被验证元器件按步骤1)确定的工作状态运行,在轨测试系统在太空中对被验证元器件的功能及参数进行测试,该功能及参数即是步骤2)确定的所需测试和监测的功能及参数;6)在轨测试数据下传;7)开展被验证元器件在轨测试数据的分析和判读。

    CMOS图像传感器光谱响应空间辐射损伤的测试设备及其方法

    公开(公告)号:CN108267298A

    公开(公告)日:2018-07-10

    申请号:CN201711223104.9

    申请日:2017-11-29

    CPC classification number: G01M11/00

    Abstract: 本发明提供了一种CMOS图像传感器光谱响应空间辐射损伤的测试设备及其方法:利用溴钨灯等卤素灯光源发出光,经过积分球无数次反射后输出均匀光,均匀光通过滤波轮上不同的滤光片变成不同波长的单色光,调整放置在三维样品调整台上的待测CMOS图像传感器,使不同波长的单色光照射在光敏面上,根据所采集的图像信息得出CMOS图像传感器的光谱响应,再将CMOS图像传感器受高能粒子辐照后,再进行一次测试,得到器件的光谱响应辐射损伤。本发明能够对CMOS图像传感器光谱响应的辐射损伤进行定量的分析评价,为星用CMOS图像传感器的选型、抗辐射加固设计以及器件受辐照后光响应性能退化的机理研究提供检测手段。

    批量化光电探测器宽温域下参数原位测试装置及试验方法

    公开(公告)号:CN118209149A

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202410373385.X

    申请日:2024-03-29

    Abstract: 本发明公开了批量化光电探测器宽温域下参数原位测试装置及试验方法,测试装置包括:光源、拆换法兰盘、滤波轮、隔热玻璃、高低温试验箱、测试板、三维运动模组、Y轴伺服电机、环境控制装置、X轴伺服电机、操作台。三维运动模组安装在高低温试验箱内部底座上,X轴伺服电机和Y轴伺服电机组分别与三维运动模组连接,测试板安装在三维运动模组的平台上。本发明通过创新性试验装置的设计,实现了宽温域试验条件下的原位测试,解决了传统光电探测器在进行宽温域变化的试验项目时,需要在多台设备间转移的问题;同时实现了测试板对待测光电器件一对多的控制,降低了试验成本,并通过试验方法设计,保证了对光电探测器批量化试验中测试条件的一致性。

    一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法

    公开(公告)号:CN114414971B

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202111530294.5

    申请日:2021-12-14

    Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法,包括第一步,选取2只同晶圆批的CMOS图像传感器,分为A组、B组,第二步,对A组的CMOS图像传感器进行70MeV质子辐照试验;第三步,对A组CMOS图像传感器进行结构分析;第四步,采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损,计算出位移损伤剂量;第五步,采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损,根据位移损伤剂量计算出对应的中子注量Fni;第六步,对B组的CMOS图像传感器进行反应堆中子辐照试验;第七步,计算空间质子电离损伤△μi,△μi=μAi‑μBi;第八步,拟合△μi‑Fpi的变化曲线。本发明消除位移损伤的影响、定量评价质子电离损伤,精准预判器件在轨性能退化趋势,提前做好防护措施,对航天器在轨安全运行具有重要意义。

    一种绝缘栅极双极性晶体管环境试验的高压偏置系统

    公开(公告)号:CN117872073A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202311695083.6

    申请日:2023-12-11

    Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅极双极性晶体管环境试验的高压偏置系统,系统采用集成化设计,将开关电路控制模块,开关指令模块和保护电路模块集成于一体。实现在IGBT器件环境可靠性试验过程中对试验系统的保护;实现在线对高压偏置下受试器件的切换功能,避免了因为对受试验器件偏置切换而中环境试验,提高了功率半导体器件环境可靠性试验的效率和安全性。该技术提高了IGBT器件环境可靠性试验的效率,同时保证了IGBT器件在环境可靠性试验中高压偏置下的安全性。本发明的设计方法简单易懂,工程实现容易,对功率半导体器件环境可靠性试验偏置电路的设计具有重要的工程应用价值。

    一种数字信号处理电路辐照测试系统和辐照测试方法

    公开(公告)号:CN114966252A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202111505888.0

    申请日:2021-12-10

    Abstract: 本发明提供了一种数字信号处理电路辐照测试系统,所述数字信号处理电路辐照测试系统包括FPGA母板电路、DSP子板电路、上位机和电源模块,所述数字信号处理电路辐照测试系统置于辐照室中进行辐照测试;所述上位机通过网口与FPGA母板电路连接,上位机通过控制FPGA母板电路来控制DSP子板电路的偏置状态;所述电源模块对FPGA母板电路和DSP子板电路进行供电,所述电源模块采用TPS54310芯片,输入电压为5V,输出电压在0.9V‑3.3V之间调节。本发明通过字母板的设计方案,可以同时对两块DSP进行配置,提高了辐射实验的效率,并且能够进行动态偏置和静态偏置两种偏置实验。

    一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法

    公开(公告)号:CN114414971A

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202111530294.5

    申请日:2021-12-14

    Abstract: 本发明提供了一种基于CMOS图像传感器暗电流来定量质子电离损伤的方法,包括第一步,选取2只同晶圆批的CMOS图像传感器,分为A组、B组,第二步,对A组的CMOS图像传感器进行70MeV质子辐照试验;第三步,对A组CMOS图像传感器进行结构分析;第四步,采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损,计算出位移损伤剂量;第五步,采用粒子输运软件Geant4计算非电离能损,根据位移损伤剂量计算出对应的中子注量Fni;第六步,对B组的CMOS图像传感器进行反应堆中子辐照试验;第七步,计算空间质子电离损伤△μi,△μi=μAi‑μBi;第八步,拟合△μi‑Fpi的变化曲线。本发明消除位移损伤的影响、定量评价质子电离损伤,精准预判器件在轨性能退化趋势,提前做好防护措施,对航天器在轨安全运行具有重要意义。

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