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公开(公告)号：CN111273164A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010165155.6
申请日：2020-03-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/311 , G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种电压调整器动态EMMI分析系统及分析方法,包括：EMMI平台、PCB基板、外部电源、信号发生器、V-I源。PCB基板置于EMMI平台上，PCB基板上通过插针安装有夹具一和夹具二，PCB基板包括信号端、电源端、公共地、负载端4个端口，4个端口分别与信号发生器、外部电源、系统地、V-I源相连，夹具一和夹具二分别用以安装失效电压调器和正常电压调整器。通过包含外部电源、信号发生器、V-I源在内的动态EMMI分析系统，能够使电压调整器内部器件进入工作状态，从而有效激发能够被微光显微镜获所取的缺陷。将失效电压调整器和正常电压调整器进行相同方式的加电，并且通过开关进行统一切换，能够快速实现动态EMMI图像的对比。
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公开(公告)号：CN111007078A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911091011.4
申请日：2019-11-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明涉及片式钽电容器及其阴极二氧化锰层质量控制方法，包括对样品进行剖面制样，再对制样剖面镜检；剖面镜检中对阴极二氧化锰层质量进行检查，检查是否满足如下要求：阴极二氧化锰层内无尺寸大于钽芯短边1/4的局部分层或空洞；对于A壳或B壳尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/6的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边；对于C壳及以上尺寸产品，阴极二氧化锰层内尺寸小于钽芯短边1/4、大于钽芯短边1/8的局部分层或空洞的数量＜4，且不集中在一边。本发明增加阴极二氧化锰层质量控制要求，避免存在类似“固有局部电应力集中”的片式钽电容器用于产品，保证产品装机后的可靠性。
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公开(公告)号：CN110333432A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910613866.2
申请日：2019-07-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种氮化镓微波功率器件结温测定方法，包括如下步骤：S1、计算氮化镓微波功率管的管芯热分布；S2、器件衬底和管壳温度校准；S3、利用微区拉曼法进行氮化镓层温度测量；S4、利用热反射成像法进行栅极金属温度测量；S5、利用有限元分析方法分层计算氮化镓层的最高结温和三维温度分布。本发明可以获取氮化镓微波功率器件的工作状态下的最高结温位置点、沟道温度分布和三维温度分布。通过仿真和实验测量数据结合的方法可以校验测试的数据有效性，最大可能避免因意外因素产生的测量误差和真实结温外推误差，采用上下边界条件来计算拟合氮化镓器件的结温，具有更准确的结温的有益效果。
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公开(公告)号：CN114408309B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202111536195.8
申请日：2021-12-14
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种带交联乙烯‑四氟乙烯导线的组件的防腐蚀包装方法，其特征在于，其包括以下步骤：S1、导线前处理：包括将剪好的导线放入烘箱中进行热处理；S2、导线组件包装：包括将热处理过的导线组装成导线组件后进行单元包装，所述单元包装采用自封袋打孔包装或者真空干燥包装。本发明通过对X‑ETFE导线进行前处理将氟元素提前释放，并通过采用自封袋打孔的包装方法，使得包装内含氟物质通过打孔向外散发，从而降低电连接器金属零件的腐蚀速率；或者采用真空干燥包装方法，除去空气中的水气，以有利于延长贮存时间，有效解决了腐蚀的问题。
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公开(公告)号：CN115273958A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210644934.3
申请日：2022-06-08
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于T5385ES测试设备的测试接口装置，其特征在于，其只由一块母板测试板组成，包括测试设备接口、POGO PIN接口，所述POGOPIN接口与测试设备接口采用PCB走线进行连接，所述测试设备接口采用同轴接口模块与T5385ES测试设备硬件资源连接，所述POGO PIN接口与测试接口子板连接，为被测器件DUT提供电源及输入输出信号。本发明提供的T5385ES测试设备改进型接口母板设计，用POGO PIN连接器替代传统的矩形电连接器、印制板电连接器，用印制板走线替代低频线缆、数据线缆，使测试设备接口装置更加小巧、轻薄，更节约空间，简化装配流程，易于维修，而且传输速率更快，更好的发挥T5385ES性能，满足高速存储器测试需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111579956B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202010267509.8
申请日：2020-04-08
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明涉及可调节表贴封装半导体器件夹具及测试方法，夹具包括第一PCB基板、第二PCB基板、可调节连接组件、底座、簧片、底座插针、插针和弹力带；第一PCB基板和第二PCB基板上均排布有微带线；第一PCB基板和所述第二PCB基板上各设置一底座；两底座上均设有簧片，簧片通过底座插针与微带线连接，微带线与插针连接；第一PCB基板通过所述可调节连接组件与第二PCB基板连接，调节可调节连接组件改变第一PCB基板与第二PCB基板之间的相对位置，从而改变两底座之间的相对位置；待测表贴封装半导体器件两侧的管脚分别与两底座上的簧片接触，并通过弹力带将待测表贴封装半导体器件绑定在两底座上，使管脚与簧片紧压。
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公开(公告)号：CN114355228A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111512529.8
申请日：2021-12-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所
IPC: G01R31/40
Abstract: 本发明涉及光纤通信模块单粒子效应测试系统和方法，移动靶、重离子枪、FPGA和第二中继器均置于真空辐照室内；被测光纤通信模块安装在移动靶上；SMA接头设置在真空辐照室舱壁上；被测光纤通信模块一路通道连接至SMA接头，再连接至误码仪；被测光纤通信模块其余通道连接FPGA，FPGA通过DB9串口连接至数据采集计算机；电源为被测光纤通信模块和FPGA提供直流稳定电压；主控计算机与电源连接；主控计算机、通讯板、第一中继器依次连接，第一中继器又通过DB9串口第二中继器与被测光纤通信模块内部寄存器连接。本发明涉及光纤通信模块单粒子效应测试系统和方法，能够对光纤通信模块的单粒子效应进行测试。
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公开(公告)号：CN110333432B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201910613866.2
申请日：2019-07-09
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明提供一种氮化镓微波功率器件结温测定方法，包括如下步骤：S1、计算氮化镓微波功率管的管芯热分布；S2、器件衬底和管壳温度校准；S3、利用微区拉曼法进行氮化镓层温度测量；S4、利用热反射成像法进行栅极金属温度测量；S5、利用有限元分析方法分层计算氮化镓层的最高结温和三维温度分布。本发明可以获取氮化镓微波功率器件的工作状态下的最高结温位置点、沟道温度分布和三维温度分布。通过仿真和实验测量数据结合的方法可以校验测试的数据有效性，最大可能避免因意外因素产生的测量误差和真实结温外推误差，采用上下边界条件来计算拟合氮化镓器件的结温，具有更准确的结温的有益效果。
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公开(公告)号：CN109580305B
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201811509557.2
申请日：2018-12-11
Applicant: 上海精密计量测试研究所 , 上海航天信息研究所
IPC: G01N1/28
Abstract: 一种横向元器件制样研磨的方法，该方法步骤如下：步骤一、根据元器件的高度首先确定样品高度，并在制样前于模具内侧标记第一高度，以及第二高度，确保元器件位于样品高度上的中心；步骤二、按要求配置环氧树脂，并将环氧树脂加至模具内的第一高度处；步骤三、待环氧树脂固化后，将元器件横向置于其表面的正中心处；步骤四、再次将环氧树脂加至第二高度，此时元器件位于样品高度上的中心；步骤五、固化后完成制样，新方法与传统制样方法相比，样品体积会有效减小；步骤六、粗磨；步骤七、精磨：使用细砂纸进行精磨，直至形貌达到最佳观测效果；步骤八、抛光：用抛光液及相匹配的抛光布抛光，直至形貌达到最佳观测效果。
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公开(公告)号：CN111579956A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010267509.8
申请日：2020-04-08
Applicant: 上海精密计量测试研究所
Abstract: 本发明涉及可调节表贴封装半导体器件夹具及测试方法，夹具包括第一PCB基板、第二PCB基板、可调节连接组件、底座、簧片、底座插针、插针和弹力带；第一PCB基板和第二PCB基板上均排布有微带线；第一PCB基板和所述第二PCB基板上各设置一底座；两底座上均设有簧片，簧片通过底座插针与微带线连接，微带线与插针连接；第一PCB基板通过所述可调节连接组件与第二PCB基板连接，调节可调节连接组件改变第一PCB基板与第二PCB基板之间的相对位置，从而改变两底座之间的相对位置；待测表贴封装半导体器件两侧的管脚分别与两底座上的簧片接触，并通过弹力带将待测表贴封装半导体器件绑定在两底座上，使管脚与簧片紧压。
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