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公开(公告)号:CN117374044A
公开(公告)日:2024-01-09
申请号:CN202310831969.2
申请日:2023-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/492 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体封装,包括:衬底以及第一芯片结构和第二芯片结构,衬底包括:重分布构件,该重分布构件具有彼此相对的第一表面和第二表面,并且包括设置在第一表面上的焊盘结构和电连接到焊盘结构的重分布层;互连芯片,设置在重分布构件的第二表面上,并且包括电连接到重分布层的互连电路;过孔结构,设置在互连芯片周围,并且电连接到重分布层;密封剂,密封互连芯片和过孔结构中的每一个的至少一部分;以及凸块结构,设置在密封剂上,第一芯片结构和第二芯片结构设置在重分布构件的第一表面上,并且电连接到焊盘结构。
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公开(公告)号:CN111725148A
公开(公告)日:2020-09-29
申请号:CN201910914319.8
申请日:2019-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/492 , H01L23/522
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:半导体芯片,具有位于所述半导体芯片的一个表面上的连接焊盘;第一包封剂,覆盖所述半导体芯片的至少一部分;连接结构,设置在所述半导体芯片的所述一个表面上并且包括电连接到所述连接焊盘的一个或更多个重新分布层。布线结构设置在所述第一包封剂的一个表面上,所述第一包封剂的一个表面与所述第一包封剂的面向所述连接结构的另一表面相对。所述布线结构具有嵌在所述布线结构中的无源组件并且包括电连接到所述无源组件的一个或更多个布线层。所述一个或更多个重新分布层和所述一个或更多个布线层彼此电连接。
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公开(公告)号:CN107785333B
公开(公告)日:2020-08-04
申请号:CN201710059796.1
申请日:2017-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31
Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件,所述扇出型半导体封装件包括:第一连接构件,具有通孔;半导体芯片,设置在通孔中,并具有有效表面和无效表面,所述有效表面上设置有连接焊盘,所述无效表面与有效表面背对;包封件,包封第一连接构件和半导体芯片的无效表面的至少一部分;第二连接构件,设置在第一连接构件和半导体芯片的有效表面上;树脂层,设置在包封件上;背重新分布层,嵌在包封件中,使得背重新分布层的一个表面通过包封件暴露,其中,树脂层覆盖背重新分布层的所述暴露的一个表面的至少一部分,且背重新分布层通过形成在贯穿树脂层和包封件的第一开口中的连接构件电连接到第一连接构件的重新分布层。
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公开(公告)号:CN111180413A
公开(公告)日:2020-05-19
申请号:CN201911093547.X
申请日:2019-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/495
Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件,所述扇出型半导体封装件包括:框架,具有凹入部;以及半导体芯片,具有其上设置有连接垫的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面,所述半导体芯片设置在所述凹入部中。一个或更多个贯通槽设置在所述凹入部的周围并且各自贯穿所述框架的至少一部分以各自沿着所述半导体芯片的相应的侧表面在相应的方向上延伸。金属层设置在所述一个或更多个贯通槽的侧壁上,并且包封剂覆盖所述框架以及所述半导体芯片中的每个的至少一部分并填充所述凹入部的至少一部分。连接结构设置在所述框架以及所述半导体芯片的所述有效表面上,并包括电连接到所述连接垫的重新分布层。
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公开(公告)号:CN111146177A
公开(公告)日:2020-05-12
申请号:CN201910843672.1
申请日:2019-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/498 , H01L23/552 , H01L23/31 , H01L25/16 , H05K1/18
Abstract: 本公开提供了一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:连接结构,包括绝缘层、设置在所述绝缘层上的重新分布层以及贯穿所述绝缘层并且连接到所述重新分布层的连接过孔;框架,设置在所述连接结构上并且具有通孔;半导体芯片,设置在所述通孔中,位于所述连接结构上并且具有被设置为面对所述连接结构的连接焊盘;以及无源组件,设置在所述框架上。
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公开(公告)号:CN111199945B
公开(公告)日:2024-07-12
申请号:CN201911093452.8
申请日:2019-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/495
Abstract: 本公开提供一种扇出型半导体封装件,所述扇出型半导体封装件包括:框架,包括彼此电连接的多个布线层,并且具有凹入部,所述凹入部的底表面上设置有阻挡层;半导体芯片,具有其上设置有连接垫的有效表面和与所述有效表面背对的无效表面,所述无效表面设置在所述凹入部中以面对所述阻挡层;包封剂,覆盖所述框架的至少一部分以及所述半导体芯片的至少一部分,所述包封剂设置在所述凹入部的至少一部分中;以及连接结构,设置在所述框架和所述有效表面上,并且包括重新分布层,所述重新分布层电连接到所述多个布线层和所述连接垫。所述阻挡层的厚度大于所述多个布线层中的每者的厚度。
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公开(公告)号:CN111128906B
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN201910949683.8
申请日:2019-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/522 , H01L23/552 , H01Q1/38
Abstract: 本公开提供了半导体封装件和包括该半导体封装件的天线模块。所述半导体封装件包括:芯结构,具有第一通孔并包括具有开口的框架、设置在开口中的无源组件、覆盖框架和无源组件的第一包封剂、设置在第一通孔的内表面上的第一金属层以及设置在开口的内表面上的第二金属层;第一半导体芯片,设置在第一通孔中并具有第一连接垫;第二包封剂,覆盖芯结构和第一半导体芯片;连接结构,设置在芯结构和第一半导体芯片上并包括重新分布层;以及金属图案层,设置在第二包封剂上。第一金属层和第二金属层通过具有彼此不同的高度的第一金属过孔和第二金属过孔连接到金属图案层。
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公开(公告)号:CN111725148B
公开(公告)日:2024-05-24
申请号:CN201910914319.8
申请日:2019-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/492 , H01L23/522
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:半导体芯片,具有位于所述半导体芯片的一个表面上的连接焊盘;第一包封剂,覆盖所述半导体芯片的至少一部分;连接结构,设置在所述半导体芯片的所述一个表面上并且包括电连接到所述连接焊盘的一个或更多个重新分布层。布线结构设置在所述第一包封剂的一个表面上,所述第一包封剂的一个表面与所述第一包封剂的面向所述连接结构的另一表面相对。所述布线结构具有嵌在所述布线结构中的无源组件并且包括电连接到所述无源组件的一个或更多个布线层。所述一个或更多个重新分布层和所述一个或更多个布线层彼此电连接。
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公开(公告)号:CN111293108B
公开(公告)日:2024-05-14
申请号:CN201911217424.2
申请日:2019-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B80/00 , H01L23/498
Abstract: 本公开提供一种中介体及包括其的半导体封装件,所述半导体封装件包括具有多个连接结构和钝化层的中介体,多个连接结构均包括彼此电连接的重新分布层,钝化层覆盖连接结构中的每个的至少一部分,并填充连接结构之间的空间。第一半导体芯片设置在中介体上并具有第一连接垫,并且第二半导体芯片在中介体上与第一半导体芯片相邻设置并具第二连接垫。连接结构独立地被布置为均在第一半导体芯片和第二半导体芯片在中介体上的堆叠方向上与第一半导体芯片和第二半导体芯片中的一者或两者至少部分地叠置。连接结构中的每个的重新分布层经由凸块下金属电连接到第一连接垫和第二连接垫中的至少一个。
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公开(公告)号:CN111199950B
公开(公告)日:2024-04-26
申请号:CN201911132469.X
申请日:2019-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供一种扇出型半导体封装件,所述扇出型半导体封装件包括:第一连接结构,具有第一表面和第二表面;第一半导体芯片,设置在第一表面上;第一包封剂,设置在第一表面上并覆盖第一半导体芯片的至少一部分;第二半导体芯片,设置在第二表面上;一个或更多个第一金属构件,设置在第二表面上;一个或更多个第二金属构件,设置在第二表面上;第二包封剂,设置在第二表面上,并分别覆盖第二半导体芯片的至少一部分以及第一金属构件和第二金属构件的至少一部分;以及第二连接结构,设置在第二包封剂的其上设置有第一连接结构的侧的相对侧上。
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