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公开(公告)号：CN1086816C
公开(公告)日：2002-06-26
申请号：CN95120595.1
申请日：1995-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金载润
IPC: G06F7/54
CPC classification number: G06F7/5338
Abstract: 利用改进的布斯算法有选择地执行无符号数值乘法或有符号数值乘法来进行乘法操作的乘法器。它包括给各个输入端提供扩展位以便在用二进制补码格式表示的有符号数值乘法中执行无符号数值乘法的选择单元，还包括执行被符号位增强的符号数字操作的部分积生成器。它还可以包括产生和传送先行进位的先行进位加法器。
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公开(公告)号：CN103782399A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201180073264.4
申请日：2011-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种由于织构效应而具有改进的光提取效率的氮化物半导体发光元件，其包括：形成在衬底上的发光结构，其包括第一导电氮化物半导体层、第二导电氮化物半导体层以及插入在它们之间的有源层；电连接至第一导电氮化物半导体层的第一电极；电连接至第二导电氮化物半导体层的第二电极；以及具有多个通孔的光提取图案，其位于第一电极与第二电极之间并且形成为穿透发光结构的上表面和下表面。
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公开(公告)号：CN103765614A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201180073034.8
申请日：2011-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
Abstract: 根据本发明的一个方面的半导体发光元件包括：发光结构，其配备有n型半导体层、p型半导体层和布置在它们之间的有源层；第一电极，其连接至n型半导体层和p型半导体层中的一个；以及第二电极，其连接至n型半导体层和p型半导体层中没有连接第一电极的一个。第一电极配备有第一电极焊盘以及连接至第一电极焊盘的第一至第三分支电极，从而具有叉子形状，第一电极焊盘布置在所述发光结构的顶面的一侧的中央。第二电极配备有第二电极焊盘和第三电极焊盘以及连接至第二电极焊盘和第三电极焊盘的第四至第七分支电极，第二电极焊盘和第三电极焊盘彼此分开布置在与所述一侧相对的另一侧的两个角上，其中第四至第七分支电极延伸以便布置在第一至第三分支电极之间。
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公开(公告)号：CN103650178A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201180072220.X
申请日：2011-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，本发明的一个实施例提供了一种半导体发光元件，包括：n型半导体层；有源层和p型半导体层，其形成在与n型半导体层的顶部表面的一部分相对应的第一区域上；n型电极，其形成在n型半导体层的顶部表面的不同于第一区域的第二区域上并与n型半导体层电连接，并且具有n型焊盘以及第一和第二n型指状电极；以及p型电极，其形成在p型半导体层上并与p型半导体层电连接，并且具有p型焊盘和p型指状电极。n型半导体层、有源层、p型半导体层形成发光结构，当从发光结构的上部观看时，半导体发光元件具有n型指状电极和p型指状电极重叠以彼此交叉的区域。
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公开(公告)号：CN115714093A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211011520.3
申请日：2022-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种晶片缺陷测试设备、晶片缺陷测试系统和制造晶片的方法。晶片缺陷测试设备包括：晶片变量生成器，其基于接收的第一晶片的第一结构测量数据和第一工艺条件数据生成第一工艺变量和第二工艺变量，基于接收的第二晶片的第二结构测量数据和第二工艺条件数据生成第三工艺变量和第四工艺变量；异常晶片指数生成电路，其生成第一晶片向量和第二晶片向量，计算第一晶片向量和第二晶片向量之间的第一欧几里德距离和第一余弦距离，基于第一欧几里德距离和第一余弦距离的乘积生成第一晶片的第一异常晶片指数；和预测模型生成电路，其接收第一特征变量，基于第一工艺变量、第二工艺变量、第一特征变量和第一异常晶片指数通过回归生成晶片缺陷预测模型。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108183155B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201711274926.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体发光器件包括发光结构，所述发光结构包括顺序层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层。连接电极位于发光结构之上。连接电极包括电连接到第一半导体层和第二半导体层中的至少一个的连接金属层。凸块下金属图案在连接电极上。连接端子位于凸块下金属图案上。连接金属层包括第一金属元素。第一金属元素的导热率高于金(Au)的导热率。连接端子包括第二金属元素。第一金属元素与第二金属元素的第一反应率低于金(Au)与第二金属元素的第二反应率。
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公开(公告)号：CN109427824A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201811031098.1
申请日：2018-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12
Abstract: 本申请提供一种包括分别包含多个子像素的像素的显示装置，其包括：包括多个LED单元的LED阵列，所述多个LED单元设置在所述多个子像素中，所述多个LED单元被构造为发射具有基本相同的波长的光，每个LED单元具有第一表面和第二表面；包括多个TFT单元的TFT电路，每个TFT单元布置在所述多个LED单元中的一个LED单元的第一表面上，并且包括源极区和漏极区和栅电极；布置在所述多个LED单元中的一个LED单元的第二表面上的波长转换图案，波长转换图案包括量子点的合成物和/或聚合物，量子点被构造为发射的光的颜色与从其它波长转换图案的其它量子点发射的光的颜色不同；以及光阻挡壁，其布置在所述多个子像素中的两个之间和波长转换图案之间，以将所述多个子像素分离。
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公开(公告)号：CN104008964B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410058164.X
申请日：2014-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L33/0095 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明提供了研磨衬底的方法和用该研磨衬底的方法制造半导体发光器件的方法。制备包括第一主表面和第二主表面的衬底，其中所述第一主表面上形成有半导体层，所述第二主表面与所述第一主表面彼此相对。使用胶合物将支撑膜贴合至所述第一主表面。所述衬底的第二主表面被研磨，使得所述衬底的厚度减少。通过在非横向方向上将力施加至所述支撑膜来从所述第一主表面去除所述支撑膜。
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公开(公告)号：CN102456799B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110301262.8
申请日：2011-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件包括：光发射结构，其中依次地层叠有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；第一电极，形成在第一导电半导体层上；绝缘层，形成在第二导电半导体层上并由透明材料制成；反射单元，形成在绝缘层上并反射从有源层发射的光；第二电极，形成在反射单元上；以及透明电极，形成在第二导电半导体层上，透明电极与绝缘层和第二电极接触。
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公开(公告)号：CN102169933B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201110048129.6
申请日：2011-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/156 , H01L33/20 , H01L33/46 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件、发光模块和照明设备。所述半导体发光器件包括基底、多个发光单元、连接部分和凹凸部分。发光单元布置在基底的顶表面上。每个发光单元具有顺序地堆叠在基底的顶表面上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。连接部分被形成为使发光单元串联连接、并联连接或串并联连接。凹凸部分形成在基底的底表面和发光单元之间的隔离区的顶表面的至少一个表面中。
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