公开(公告)号：CN109166836B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN201810933529.7

申请日：2013-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东权 ,  金基一

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括具有下导体侧壁的下导体、具有直接形成在下导体侧壁上的阻挡膜侧壁的阻挡膜、和形成在下导体的顶表面上的通路。阻挡膜侧壁的顶部分是凹入的，使得阻挡膜侧壁的顶表面在比下导体的顶表面低的水平。

公开(公告)号：CN108109994A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711180414.7

申请日：2017-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基一 ,  文斘敒 ,  梁光容 ,  吴怜默 ,  千雅英 ,  河承模

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L27/0886 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/775 ,  H01L27/0207 ,  H01L21/0332 ,  H01L27/108

Abstract: 本公开涉及有源图案结构及包括其的半导体器件。一种有源图案结构可以包括含有源图案阵列的衬底，有源图案阵列由包括第一沟槽至第三沟槽的多个沟槽、以及分别在第一沟槽至第三沟槽中的第一隔离图案至第三隔离图案限定。有源图案阵列可以包括在第一方向上延伸的多个第一有源图案和多个第二有源图案，第一沟槽至第三沟槽可以在第一有源图案与第二有源图案之间并且可以包括彼此不同的宽度。有源图案阵列可以包括有源图案组，其包括顺序地布置在基本上垂直于第一方向的第二方向上的所述多个第一有源图案中的第一有源图案和所述多个第二有源图案中的第二有源图案。所述多个第一有源图案和所述多个第二有源图案的每个可以具有微小的宽度。

公开(公告)号：CN107026088A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201710063704.7

申请日：2017-02-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴起宽 ,  刘庭均 ,  金基一 ,  成石铉 ,  严命允

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/823821 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括由其面对的末端之间的第一沟槽分开的第一鳍式图案和第二鳍式图案，形成填充第一沟槽的第一绝缘层，去除第一绝缘层的一部分以在第一绝缘层上形成第二沟槽，以及通过增大第二沟槽的宽度形成第三沟槽。

公开(公告)号：CN106683987A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201610962976.6

申请日：2016-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基一 ,  朴起宽 ,  刘庭均 ,  金炯东 ,  成石铉 ,  严命允

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/027

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：在衬底上形成包括真实掩模图案和伪掩模图案的多个掩模图案；去除伪掩模图案；以及利用真实掩模图案作为掩模对衬底进行蚀刻，以形成第一沟槽、第二沟槽以及由第一沟槽和第二沟槽限定的鳍式图案。接触鳍式图案的第二沟槽包括凸出并且位于第二沟槽的底表面与侧表面之间的平滑图案、位于第二沟槽的侧表面与平滑图案之间的第一凹进部分和位于凸出部分与第二沟槽的底表面之间的第二凹进部分。

公开(公告)号：CN106486483A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610791568.9

申请日：2016-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成石铉 ,  刘庭均 ,  朴起宽 ,  金基一

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/7843 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7854

Abstract: 一种集成电路器件包括：鳍型有源区，从基板突出；多个衬层，顺序地覆盖鳍型有源区的下侧壁；器件隔离层，覆盖鳍型有源区的下侧壁并且多个衬层在器件隔离层和鳍型有源区之间；以及栅绝缘层，延伸以覆盖鳍型有源区的沟道区、多个衬层和器件隔离层，并包括位于栅绝缘层的覆盖多个衬层的部分上的突起。

公开(公告)号：CN108109994B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201711180414.7

申请日：2017-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基一 ,  文斘敒 ,  梁光容 ,  吴怜默 ,  千雅英 ,  河承模

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/088 ,  H10B12/00 ,  H01L21/033

Abstract: 本公开涉及有源图案结构及包括其的半导体器件。一种有源图案结构可以包括含有源图案阵列的衬底，有源图案阵列由包括第一沟槽至第三沟槽的多个沟槽、以及分别在第一沟槽至第三沟槽中的第一隔离图案至第三隔离图案限定。有源图案阵列可以包括在第一方向上延伸的多个第一有源图案和多个第二有源图案，第一沟槽至第三沟槽可以在第一有源图案与第二有源图案之间并且可以包括彼此不同的宽度。有源图案阵列可以包括有源图案组，其包括顺序地布置在基本上垂直于第一方向的第二方向上的所述多个第一有源图案中的第一有源图案和所述多个第二有源图案中的第二有源图案。所述多个第一有源图案和所述多个第二有源图案的每个可以具有微小的宽度。

公开(公告)号：CN115377102A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210429628.8

申请日：2022-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任廷爀 ,  徐康一 ,  孙吉焕 ,  金基一

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括两个晶体管堆叠，所述两个晶体管堆叠包括具有不同阈值电压的下晶体管和具有不同阈值电压的上晶体管。下晶体管的栅极绝缘体可以具有不同的偶极子元素或偶极子元素的不同面密度，并且上晶体管可以具有不同的栅电极结构。

公开(公告)号：CN115207120A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210150941.8

申请日：2022-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔虎浚 ,  金志成 ,  吴旼哲 ,  金基一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 提供一种能够提高电特性和集成密度的半导体器件。该半导体器件包括：有源图案，从衬底突出，该有源图案包括在第一方向上延伸且在第二方向上彼此相对的长侧壁；下外延图案，位于衬底上，并覆盖有源图案的一部分；栅电极，位于下外延图案上，并沿有源图案的长侧壁延伸；以及上外延图案，位于有源图案上，并连接至有源图案的上表面。有源图案包括与有源图案的长侧壁连接的短侧壁，并且有源图案的短侧壁中的至少一个具有弯曲表面。

公开(公告)号：CN106684147A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201610545881.4

申请日：2016-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  金基一 ,  朴起宽 ,  成石铉 ,  严命允

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66795

Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括具有第一沟槽的基底、位于基底上由第一沟槽限定的第一鳍图案、位于基底上的栅电极以及位于基底上的场绝缘层。第一鳍图案包括在下部上的上部。第一鳍图案包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁。第一侧壁沿第一鳍图案的下部为凹的。第二侧壁沿第一鳍图案的下部为倾斜的。场绝缘层围绕第一鳍图案的下部。栅电极围绕第一鳍图案的上部。

公开(公告)号：CN103681550A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310378594.5

申请日：2013-08-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东权 ,  金基一

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件包括具有下导体侧壁的下导体、具有直接形成在下导体侧壁上的阻挡膜侧壁的阻挡膜、和形成在下导体的顶表面上的通路。阻挡膜侧壁的顶部分是凹入的，使得阻挡膜侧壁的顶表面在比下导体的顶表面低的水平。