半导体器件
    11.
    发明公开
    半导体器件 审中-公开

    公开(公告)号:CN112447848A

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN202010699618.7

    申请日:2020-07-20

    Abstract: 本公开提供了一种半导体器件,所述半导体器件包括:位于衬底上的层间介电层;填充所述层间介电层的第一沟槽的第一连接线,所述第一沟槽具有第一宽度;以及填充所述层间介电层的第二沟槽的第二连接线,所述第二沟槽具有大于所述第一宽度的第二宽度,并且所述第二连接线包括:覆盖所述第二沟槽的内侧壁的第一金属层,覆盖所述第二沟槽的底表面的阻挡层,以及位于所述第一金属层和所述阻挡层上的第二金属层,所述第一连接线和所述第一金属层包括第一金属,并且所述第二金属层包括不同于所述第一金属的第二金属。

    半导体器件
    12.
    发明公开
    半导体器件 审中-公开

    公开(公告)号:CN117894838A

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202311324255.9

    申请日:2023-10-12

    Abstract: 一种半导体器件包括:在衬底上的有源区;彼此间隔开的多个沟道层;在衬底上的栅极结构;在栅极结构的至少一侧的源极/漏极区;以及连接到源极/漏极区的接触插塞。接触插塞包括金属半导体化合物层和在金属半导体化合物层上的阻挡层。接触插塞包括位于金属半导体化合物层和阻挡层彼此直接接触的位置处的第一倾斜表面和第二倾斜表面。阻挡层包括朝向栅极结构突出的第一端和第二端。第一端和第二端位于比最上面的沟道层的上表面高的水平处。金属半导体化合物层的最上部位于比源极/漏极区的上表面高的水平处。

    包括层间导电接触的半导体器件及其形成方法

    公开(公告)号:CN101393904B

    公开(公告)日:2012-08-08

    申请号:CN200810176959.5

    申请日:2008-05-16

    Abstract: 本发明公开了一种包括层间导电接触的半导体器件及其形成方法,其中半导体器件包括:第一绝缘层,在半导体器件的下层接触区域上,第一绝缘层具有上表面;第一导电图案,在穿过第一绝缘层的第一开口中,第一导电图案的上部具有第一宽度,第一导电图案的上表面相对于第一绝缘层的上表面凹陷,从而第一导电图案的上表面相对于下层接触区域的高度小于第一绝缘层的上表面相对于下层接触区域的高度;以及第二导电图案,其接触第一导电图案的上表面,第二导电图案的下部具有小于第一宽度的第二宽度。

    半导体装置及其制造方法
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117810227A

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202310625143.0

    申请日:2023-05-30

    Abstract: 半导体装置包括:衬底,其包括有源图案;沟道图案和源极/漏极图案,沟道图案和源极/漏极图案位于有源图案上,其中,沟道图案连接至源极/漏极图案;栅电极,其位于沟道图案上;以及栅极接触件,其连接至栅电极的顶表面,其中,栅极接触件包括与栅电极的顶表面直接接触的封盖层和位于封盖层上的金属层,其中封盖层和金属层包括相同的金属,金属层中的氧的浓度在约2at%至约10at%之间的范围内,并且封盖层中的氧的最大浓度在约15at%至约30at%之间的范围内。

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