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公开(公告)号：CN114361174A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202110870003.0
申请日：2021-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 公开了三维半导体存储器装置以及包括三维半导体存储器装置的电子系统。所述三维半导体存储器装置包括：基底，包括单元阵列区域和延伸区域；堆叠结构，沿第一方向延伸并且包括堆叠在基底上的栅电极；垂直结构，在单元阵列区域上穿透堆叠结构；模制结构，位于延伸区域的一部分上；第一支撑结构，在堆叠结构之间沿第一方向延伸；第二支撑结构，在延伸区域上穿透堆叠结构并且在第二方向上与第一支撑结构间隔开；以及第三支撑结构，在平面图中围绕模制结构。第二支撑结构的各顶表面和第三支撑结构的顶表面比垂直结构的顶表面高。
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公开(公告)号：CN107393927B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201710307715.5
申请日：2017-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：交替地层叠在基板上的栅电极和层间绝缘层；穿过栅电极和层间绝缘层的沟道层；以及设置在栅电极和沟道层之间在沟道层的外表面上的栅电介质层。此外，沟道层包括第一区和第二区，第一区在垂直于基板的顶表面的方向上延伸，第二区在第一区的下部分中连接到第一区并且第二区在栅电介质层的底部分下面延伸。
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公开(公告)号：CN113314539A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110219013.8
申请日：2021-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 一种半导体装置，包括：衬底，其包括下水平层和上水平层，并且具有单元阵列区和连接区；电极结构，其包括堆叠在衬底上方并且从单元阵列区延伸至连接区的电极；单元阵列区上的垂直沟道结构，其贯穿电极结构，并且连接至衬底；以及连接区上的分离结构，其贯穿电极结构。下水平层具有：与分离结构的第一部分接触的第一顶表面，与分离结构的第二部分接触的第二顶表面，以及拐点，在该拐点处，下水平层的高度在第一顶表面与第二顶表面之间突然改变。
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公开(公告)号：CN112271180A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011037677.4
申请日：2018-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11565 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11524 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件包括第一栅电极，第一栅电极包括第一下电极、设置在第一下电极之上并包括第一垫区域的第一上电极、以及设置在第一下电极与第一上电极之间的一个或更多个第一中间电极。第二栅电极包括第二下电极、设置在第二下电极之上的第二上电极、以及设置在第二下电极与第二上电极之间的一个或更多个第二中间电极。第二栅电极顺序地堆叠在第一上电极之上，同时暴露第一垫区域。第一下电极在第一方向上比第一上电极更进一步延伸第一长度。第二下电极在第一方向上比第二上电极更进一步延伸不同于第一长度的第二长度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109273451A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201810784256.4
申请日：2018-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件包括第一栅电极，第一栅电极包括第一下电极、设置在第一下电极之上并包括第一垫区域的第一上电极、以及设置在第一下电极与第一上电极之间的一个或更多个第一中间电极。第二栅电极包括第二下电极、设置在第二下电极之上的第二上电极、以及设置在第二下电极与第二上电极之间的一个或更多个第二中间电极。第二栅电极顺序地堆叠在第一上电极之上，同时暴露第一垫区域。第一下电极在第一方向上比第一上电极更进一步延伸第一长度。第二下电极在第一方向上比第二上电极更进一步延伸不同于第一长度的第二长度。
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公开(公告)号：CN107393927A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710307715.5
申请日：2017-05-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11582
CPC classification number: H01L27/11582 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , H01L21/823885 , H01L21/8239 , H01L27/1157 , H01L27/11556
Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：交替地层叠在基板上的栅电极和层间绝缘层；穿过栅电极和层间绝缘层的沟道层；以及设置在栅电极和沟道层之间在沟道层的外表面上的栅电介质层。此外，沟道层包括第一区和第二区，第一区在垂直于基板的顶表面的方向上延伸，第二区在第一区的下部分中连接到第一区并且包括关于基板的顶表面倾斜的面。
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公开(公告)号：CN110504272B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201910275192.X
申请日：2019-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B41/27 , H10B41/35 , H10B41/41 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括设置在基底上的堆叠结构。堆叠结构包括多个栅电极。所述半导体装置还包括设置在基底上并穿过堆叠结构的第一结构以及设置在基底上的第二结构。第二结构设置在堆叠结构的外部，面向第一结构并与第一结构间隔开。第一结构包括穿过所述多个栅电极的至少一部分并在堆叠结构的外部延伸的多条分离线，并且第二结构由与第一结构的材料相同的材料形成。
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公开(公告)号：CN118265294A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311788077.5
申请日：2023-12-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种半导体装置和一种电子系统。该半导体装置包括：堆叠结构，其位于衬底上并且包括交替地堆叠的栅电极和绝缘层；第一穿通过孔件，其延伸通过堆叠结构；以及第二穿通过孔件，其与第一穿通过孔件间隔开，其中，第二穿通过孔件延伸通过堆叠结构，其中，第二穿通过孔件电连接到第一栅电极，第一栅电极为栅电极之中的在竖直方向上距衬底最远的栅电极，其中，栅极焊盘位于第一栅电极上并且接触第一栅电极，并且第一穿通过孔件包括：竖直图案；从竖直图案突出的第一突出部和第二突出部，其中，第一突出部在水平方向上与第一栅电极的一部分重叠；以及第二突出部，其在水平方向上与第二栅电极重叠，其中，第二栅电极与第二穿通过孔件间隔开。
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公开(公告)号：CN117295336A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310648333.4
申请日：2023-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：存储单元结构，在外围电路结构上；贯通布线区域，在外围电路结构上；以及阻挡结构，围绕贯通布线区域。存储单元结构包括：交替堆叠的栅电极和第一层间绝缘层，栅电极在第二区域上形成阶梯形状；沟道结构；以及隔离区域，贯穿栅电极。贯通布线区域包括：第二层间绝缘层和牺牲绝缘层，在第二区域上交替堆叠；以及贯通接触插塞，贯穿第二层间绝缘层和牺牲绝缘层并电连接到电路器件。牺牲绝缘层中的每一个包括凹陷部分，该凹陷部分从阻挡结构朝向牺牲绝缘层中的每一个水平地凹陷。
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