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发明公开
半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统审中-公开

公开(公告)号：CN117295336A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202310648333.4

申请日：2023-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李瑟智 , 金振赫 , 李秉一 , 李世勋 , 全珍愚

IPC: H10B43/27 , H10B43/30 , H10B41/27 , H10B41/30

Abstract: 一种半导体器件包括：存储单元结构，在外围电路结构上；贯通布线区域，在外围电路结构上；以及阻挡结构，围绕贯通布线区域。存储单元结构包括：交替堆叠的栅电极和第一层间绝缘层，栅电极在第二区域上形成阶梯形状；沟道结构；以及隔离区域，贯穿栅电极。贯通布线区域包括：第二层间绝缘层和牺牲绝缘层，在第二区域上交替堆叠；以及贯通接触插塞，贯穿第二层间绝缘层和牺牲绝缘层并电连接到电路器件。牺牲绝缘层中的每一个包括凹陷部分，该凹陷部分从阻挡结构朝向牺牲绝缘层中的每一个水平地凹陷。

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