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公开(公告)号：CN102456799B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110301262.8
申请日：2011-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件包括：光发射结构，其中依次地层叠有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；第一电极，形成在第一导电半导体层上；绝缘层，形成在第二导电半导体层上并由透明材料制成；反射单元，形成在绝缘层上并反射从有源层发射的光；第二电极，形成在反射单元上；以及透明电极，形成在第二导电半导体层上，透明电极与绝缘层和第二电极接触。
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公开(公告)号：CN103794686A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310513215.9
申请日：2013-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/0075 , H01L33/10 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了半导体发光器件及其制造方法，其中的一种制造半导体发光器件的方法包括在半导体单晶生长衬底上形成隔离图案。在半导体单晶生长衬底上由隔离图案限定的一个芯片单元区域中顺序生长第一导电型半导体层、有源层、和第二导电型半导体层，并且形成反射金属层以覆盖发光结构和隔离图案。在反射金属层上形成支撑衬底，并且从发光结构上去除半导体单晶生长衬底。然后将支撑衬底切割为单独的发光器件。
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公开(公告)号：CN103180975A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201180051281.8
申请日：2011-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L24/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15788 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的一个方面提供了一种半导体发光二极管芯片和一种半导体发光器件。所述半导体发光二极管芯片包括：透光衬底；以及在所述透光衬底的上表面上顺序地形成的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。所述半导体发光器件包括：后反射型叠层，其形成在透光衬底的下表面上并且具有辅助光学层和金属反射层，所述辅助光学层由具有预定折射率的材料制成，所述金属反射层形成在所述辅助光学层的下表面上；接合金属层，其设置在所述后反射型叠层的下表面上并且由共晶金属制成；以及接合叠层，其具有被形成为防止所述接合金属层与所述金属反射层之间的元素扩散的扩散屏障。
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公开(公告)号：CN118448547A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410126584.0
申请日：2024-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层，其布置在第一导电类型半导体层上；有源层；电极层，其形成在第二导电类型半导体层的顶表面上；反射层，其形成在电极层的顶表面的一部分上；接合焊盘，其形成在反射层的顶表面上；绝缘层，其形成在电极层的顶表面的另一部分上；以及绝缘间隔件，其沿着衬底的表面共形地形成。反射层包括不被水溶液蚀刻的材料，水溶液包括四甲基氢氧化铵(TMAH)、KOH、NaOH和NH4OH中的一种，并且接合焊盘具有外壳形状，该外壳形状包括其宽度随着其远离反射层而逐渐减小的部分。
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公开(公告)号：CN106449936A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610635483.1
申请日：2016-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2924/181 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L33/48 , H01L33/005
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件和一种制造半导体发光器件的方法。所述半导体发光器件包括半导体堆叠、绝缘层、电流扩散层以及第一指形电极和第二指形电极。半导体堆叠包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层；位于第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的有源层；以及穿过第二导电类型半导体层和有源层以暴露第一导电类型半导体层的一部分的沟槽。第一绝缘层设置在沟槽的内侧壁上。电流扩散层设置在第二导电类型半导体层上。第一指形电极设置在第一导电类型半导体层的暴露部分上。第二绝缘层设置在第一导电类型半导体层的暴露部分上，以覆盖第一指形电极。第二指形电极设置在沟槽中并且连接至电流扩散层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104241486A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410267670.X
申请日：2014-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/005 , H01L33/26 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。所述器件还可包括：第一电极，其连接至第一导电类型半导体层；和第二电极，其连接至第二导电类型半导体层并具有焊盘区和在一个方向上从焊盘区延伸的指区。第二电极可包括：透明电极部件，其布置在第二导电类型半导体层上，并在其中包括至少一个开口；至少一个反射部件，其在所述开口中与透明电极部件分隔开，并且设置在焊盘区和指区中；以及接合部件，其布置在反射部件的至少一部分上，并包括在指区中彼此分隔开的多个接合指部件和设置在焊盘区中的接合焊盘部件。
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公开(公告)号：CN103782399A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201180073264.4
申请日：2011-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种由于织构效应而具有改进的光提取效率的氮化物半导体发光元件，其包括：形成在衬底上的发光结构，其包括第一导电氮化物半导体层、第二导电氮化物半导体层以及插入在它们之间的有源层；电连接至第一导电氮化物半导体层的第一电极；电连接至第二导电氮化物半导体层的第二电极；以及具有多个通孔的光提取图案，其位于第一电极与第二电极之间并且形成为穿透发光结构的上表面和下表面。
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公开(公告)号：CN103765614A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201180073034.8
申请日：2011-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
Abstract: 根据本发明的一个方面的半导体发光元件包括：发光结构，其配备有n型半导体层、p型半导体层和布置在它们之间的有源层；第一电极，其连接至n型半导体层和p型半导体层中的一个；以及第二电极，其连接至n型半导体层和p型半导体层中没有连接第一电极的一个。第一电极配备有第一电极焊盘以及连接至第一电极焊盘的第一至第三分支电极，从而具有叉子形状，第一电极焊盘布置在所述发光结构的顶面的一侧的中央。第二电极配备有第二电极焊盘和第三电极焊盘以及连接至第二电极焊盘和第三电极焊盘的第四至第七分支电极，第二电极焊盘和第三电极焊盘彼此分开布置在与所述一侧相对的另一侧的两个角上，其中第四至第七分支电极延伸以便布置在第一至第三分支电极之间。
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公开(公告)号：CN103650178A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201180072220.X
申请日：2011-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，本发明的一个实施例提供了一种半导体发光元件，包括：n型半导体层；有源层和p型半导体层，其形成在与n型半导体层的顶部表面的一部分相对应的第一区域上；n型电极，其形成在n型半导体层的顶部表面的不同于第一区域的第二区域上并与n型半导体层电连接，并且具有n型焊盘以及第一和第二n型指状电极；以及p型电极，其形成在p型半导体层上并与p型半导体层电连接，并且具有p型焊盘和p型指状电极。n型半导体层、有源层、p型半导体层形成发光结构，当从发光结构的上部观看时，半导体发光元件具有n型指状电极和p型指状电极重叠以彼此交叉的区域。
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公开(公告)号：CN102800773A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210164736.3
申请日：2012-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。该半导体发光器件包括：发光结构，包括第一和第二导电半导体层，有源层插置在第一和第二导电半导体层之间；第一和第二接合电极，分别连接到第一和第二导电半导体层；透明电极层，形成在第二导电半导体层上；多个纳米结构，形成在透明电极层上；以及钝化层，形成为覆盖多个纳米结构，其中透明电极层、多个纳米结构和钝化层的折射率可依次减小。
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