发光装置
    1.
    发明公开
    发光装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN110660820A

    公开(公告)日:2020-01-07

    申请号:CN201910238059.7

    申请日:2019-03-27

    Abstract: 发光装置包括:衬底,其在第一方向和第二方向上延伸;第一发光结构至第四发光结构,其在第一方向和第二方向上彼此间隔开并且以矩阵形式布置在衬底上;多个第一互连层结构,其将第一发光结构连接至第二发光结构;第二互连层结构,其将第二发光结构连接至第三发光结构;以及多个第三互连层结构,其将第三发光结构连接至第四发光结构。

    半导体发光器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN104241486B

    公开(公告)日:2018-05-25

    申请号:CN201410267670.X

    申请日:2014-06-16

    CPC classification number: H01L33/42 H01L33/38 H01L33/405 H01L33/46

    Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括发光结构,所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。所述器件还可包括:第一电极,其连接至第一导电类型半导体层;和第二电极,其连接至第二导电类型半导体层并具有焊盘区和在一个方向上从焊盘区延伸的指区。第二电极可包括:透明电极部件,其布置在第二导电类型半导体层上,并在其中包括至少一个开口;至少一个反射部件,其在所述开口中与透明电极部件分隔开,并且设置在焊盘区和指区中;以及接合部件,其布置在反射部件的至少一部分上,并包括在指区中彼此分隔开的多个接合指部件和设置在焊盘区中的接合焊盘部件。

    半导体发光器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN104241486A

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201410267670.X

    申请日:2014-06-16

    Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括发光结构,所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。所述器件还可包括:第一电极,其连接至第一导电类型半导体层;和第二电极,其连接至第二导电类型半导体层并具有焊盘区和在一个方向上从焊盘区延伸的指区。第二电极可包括:透明电极部件,其布置在第二导电类型半导体层上,并在其中包括至少一个开口;至少一个反射部件,其在所述开口中与透明电极部件分隔开,并且设置在焊盘区和指区中;以及接合部件,其布置在反射部件的至少一部分上,并包括在指区中彼此分隔开的多个接合指部件和设置在焊盘区中的接合焊盘部件。

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