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公开(公告)号:CN104241486B
公开(公告)日:2018-05-25
申请号:CN201410267670.X
申请日:2014-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/46
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括发光结构,所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。所述器件还可包括:第一电极,其连接至第一导电类型半导体层;和第二电极,其连接至第二导电类型半导体层并具有焊盘区和在一个方向上从焊盘区延伸的指区。第二电极可包括:透明电极部件,其布置在第二导电类型半导体层上,并在其中包括至少一个开口;至少一个反射部件,其在所述开口中与透明电极部件分隔开,并且设置在焊盘区和指区中;以及接合部件,其布置在反射部件的至少一部分上,并包括在指区中彼此分隔开的多个接合指部件和设置在焊盘区中的接合焊盘部件。
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公开(公告)号:CN104241486A
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:CN201410267670.X
申请日:2014-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/005 , H01L33/26 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括发光结构,所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。所述器件还可包括:第一电极,其连接至第一导电类型半导体层;和第二电极,其连接至第二导电类型半导体层并具有焊盘区和在一个方向上从焊盘区延伸的指区。第二电极可包括:透明电极部件,其布置在第二导电类型半导体层上,并在其中包括至少一个开口;至少一个反射部件,其在所述开口中与透明电极部件分隔开,并且设置在焊盘区和指区中;以及接合部件,其布置在反射部件的至少一部分上,并包括在指区中彼此分隔开的多个接合指部件和设置在焊盘区中的接合焊盘部件。
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