公开(公告)号：CN108270642B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201711248070.9

申请日：2017-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权赫准 ,  尼兰詹·纳亚克·拉特纳卡 ,  李正元

IPC: H04L43/00 ,  H04L41/0803

Abstract: 一种用于参数配置的盲检测的系统和方法。描述了一种用于对接收到的信号的参数配置进行盲检测的方法、系统、设备和制造该设备的方法，在一方面，提供了一种用于用户设备(UE)对接收到的信号的参数配置进行盲检测的方法。所述方法包括：基于子载波间隔(SCS)的多个假设在时域中使所述接收到的信号中的循环前缀(CP)信号相关；基于SCS的所述多个假设在频域中测量所述接收到的信号的功率变化；并且对时域中的所述CP信号的相关性和频域中的测量的功率变化的加权结果进行组合，以确定针对所述多个假设的SCS的相应假设的所述接收到的信号的参数配置。

公开(公告)号：CN114093873A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202110798174.7

申请日：2021-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永官 ,  权赫准 ,  全在范

IPC: H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11548

Abstract: 提供了一种半导体存储元件。所述半导体存储元件包括：衬底，包括存储单元区和外围电路区；有源区，位于所述存储单元区中；栅图案，掩埋在所述有源区中；导线，设置在所述栅图案上；第一区，包括设置在所述外围电路区中的多个外围元件；虚设图案，掩埋在所述外围电路区中；以及第二区，包括所述虚设图案并且不与所述第一区重叠。

公开(公告)号：CN111292783B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN202010048328.6

申请日：2017-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泳旭 ,  权赫准 ,  韩相根 ,  元福渊

IPC: G11C7/18 ,  G11C7/12 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/4097

Abstract: 本申请提供一种存储器装置和读出放大器，读出放大器包括读出放大单元、第一隔离单元和第二隔离单元以及第一偏移消除单元和第二偏移消除单元。读出放大单元包括第一P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、第二PMOS晶体管、第一N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管和第二NMOS晶体管。在读出放大器的布局中，第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管设置在读出放大器的中部区域，第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管设置在读出放大器的彼此相对侧，第一隔离单元和第一偏移消除单元设置在第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管之间，并且第二隔离单元和第二偏移消除单元设置在第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管之间。在其他布局中，可以掉换PMOS晶体管和NMOS晶体管的位置。

公开(公告)号：CN111277260A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201910715862.5

申请日：2019-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田周鄠 ,  朴真熙 ,  权赫准

IPC: H03K19/003 ,  H03K3/011 ,  H03K3/012 ,  H03K3/3565

Abstract: 公开一种保护集成电路的方法、施密特触发器和静电保护电路。提供一种具有可变的施密特触发器特性的静电保护电路。所述静电保护电路使用施密特触发器电路保护集成电路免受过电压影响。施密特触发器电路包括：第一分支和第二分支，桥接在电源轨与接地轨之间。施密特触发器电路在第二分支并联连接到第一分支时以窄滞回宽度进行操作，并且在第二分支不并联连接到第一分支时以宽滞回宽度进行操作。所述静电保护电路在弱过电压被施加到电源轨时，使用窄滞回宽度释放电源轨的过电压，并且在强过电压被施加到电源轨时，使用宽滞回宽度释放电源轨的过电压。

公开(公告)号：CN109935259A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201811213200.X

申请日：2018-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元福渊 ,  权赫准

IPC: G11C11/4097

Abstract: 半导体存储器器件中的位线感测放大器的布局结构包括：第一位线感测放大器，其连接到第一位线和第一互补位线，并且是经由第一控制线和第二控制线来控制的。第一控制线连接到第一位线感测放大器的第一节点，第二控制线连接到第一位线感测放大器的第二节点，第一位线感测放大器包括至少一对晶体管，该至少一对晶体管被配置为共享与第一节点相对应的第一有源区域和与第二节点相对应的第二有源区域中的任何一个有源区域。

公开(公告)号：CN108282191A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201711307727.4

申请日：2017-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李林波 ,  权赫准

IPC: H04B5/02 ,  H04W4/80 ,  H04L27/12 ,  H04L1/00

CPC classification number: H04W56/001 ,  H04W4/80 ,  Y02D70/00 ,  Y02D70/10 ,  Y02D70/1224 ,  Y02D70/1242 ,  Y02D70/1262 ,  Y02D70/1264 ,  Y02D70/14 ,  Y02D70/142 ,  Y02D70/144 ,  Y02D70/164 ,  Y02D70/166 ,  Y02D70/21 ,  H04B5/02 ,  H04L1/0009 ,  H04L1/0023 ,  H04L1/0036 ,  H04L27/12

Abstract: 提供了一种为远程低功耗蓝牙提供加权模式解映射器的系统和方法。所述方法包括：从收发器接收信号，对编码在信号内的比特模式进行解映射，基于解映射后的比特模式来检测前导码，并且使用前导码将收发器同步到接收器，其中，对比特模式进行解映射的步骤基于加权系数。

公开(公告)号：CN108206033A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201711074876.0

申请日：2017-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣柱 ,  金秀娥 ,  金洙荣 ,  元民佑 ,  元福渊 ,  权志锡 ,  金荣浩 ,  柳志学 ,  尹炫喆 ,  李硕宰 ,  韩相根 ,  姜雄大 ,  权赫准 ,  李范在

IPC: G11C5/06

CPC classification number: H01L23/5225 ,  G11C7/06 ,  G11C7/1057 ,  G11C11/4087 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4097 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/552 ,  H01L24/06 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/06159 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3025 ,  G11C5/063

Abstract: 一种包括存储器单元阵列区域的存储器件包括：形成在存储器单元阵列区域的第一列导电层中并在列方向上延伸的列选择信号线，形成在存储器单元阵列区域中与第一列导电层不同的第二列导电层中并且在列方向上延伸的全局输入输出数据线，以及形成在存储器单元阵列区域中第一列导电层和第二列导电层之间的屏蔽导电层中的电源线。通过在不同列导电层中形成列选择信号线和全局输入输出数据线并在列导电层之间的屏蔽导电层中形成电源线，可以减少信号线和电源线中的噪声，并且可以增强存储器件的性能。

公开(公告)号：CN119945844A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411515234.X

申请日：2024-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M·拉赫玛蒂 ,  权赫准 ,  裵东运

IPC: H04L25/02

Abstract: 公开了一种用于在无线通信中进行解码的系统和方法。在一些实施例中，一种方法包括：接收参考信号；基于参考信号来生成信道估计；确定信道估计的信道估计误差度量；接收传输；基于信道估计误差度量，针对传输的多个比特位置中的每一个来计算对数似然比；和基于对数似然比来对传输进行解码。计算对数似然比可以包括至少基于未校正的对数似然比来计算校正的对数似然比。

公开(公告)号：CN119517766A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411100895.6

申请日：2024-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔秦溶 ,  杨秀烈 ,  李在恩 ,  权赫准 ,  崔真源 ,  二山拓也

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/28 ,  G01B7/00 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了半导体多层结构以及半导体多层结构的测试电路的操作方法。所述半导体多层结构包括：第一半导体晶片，其包括多个第一焊盘；第二半导体晶片，其包括与所述多个第一焊盘组合的多个第二焊盘；以及测试电路，其被配置为向其中所述多个第一焊盘当中的预设第一参考焊盘与所述多个第二焊盘当中的预设第二参考焊盘组合的参考组合部分施加第一电压，并且向其中所述多个第一焊盘当中的至少一个第一焊盘与所述多个第二焊盘当中的至少一个第二焊盘组合的比较组合部分施加第二电压，其中，所述测试电路将基于所述参考组合部分与所述比较组合部分的电阻比而分布的电压与预设参考电压进行比较，以确定所述至少一个第一焊盘是否与所述至少一个第二焊盘对准。

公开(公告)号：CN118798120A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410023880.8

申请日：2024-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩智好 ,  金钟成 ,  张成柱 ,  权赫准 ,  金成勋 ,  宋来炫

IPC: G06F30/398 ,  G06F30/392 ,  G06F30/394

Abstract: 公开了一种电子装置和一种电子装置的操作方法，该电子装置包括处理器并且支持半导体装置的制造。该操作方法包括：在处理器处接收用于半导体装置的制造的电路原理图；在处理器处将电路原理图的电路部件分割到至少两个垫中；基于电连接到电路部件的有限连接元件，在处理器处针对至少两个垫中的每一个计算电路部件的放置和布线的可用性；以及当可用性指示放置和布线可用时，在处理器处执行放置和布线以生成用于半导体装置的制造的布局图像。有限连接元件包括在半导体装置的有限位置处将半导体装置的上部和下部电连接的竖直线。