公开(公告)号：CN103165505B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201210530236.7

申请日：2012-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴辰遇 ,  宋昊建 ,  李锡贤

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/561 ,  H01L23/02 ,  H01L23/04 ,  H01L23/053 ,  H01L23/055 ,  H01L23/057 ,  H01L23/08 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/34 ,  H01L23/4926 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了制造扇出晶片级封装的方法以及由该方法形成的封装。该扇出晶片级封装包括：至少两个半导体芯片；绝缘层，覆盖第一半导体芯片的部分；模制层，覆盖第二半导体芯片的部分；再分布线图案，在绝缘层中；和/或外部端子，在绝缘层上。第一半导体芯片可以相对于第二半导体芯片堆叠。再分布线图案可以电连接到该至少两个半导体芯片。外部端子可以电连接到再分布线图案。扇出晶片级封装可以包括：至少三个半导体芯片；绝缘层，覆盖第一半导体芯片的部分；模制层，覆盖第二半导体芯片的部分；再分布线图案，在绝缘层中；和/或在绝缘层上的外部端子。第一半导体芯片可以相对于第二半导体芯片堆叠。

公开(公告)号：CN118116880A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311607595.2

申请日：2023-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明成 ,  高炅焕 ,  朴辰遇 ,  李忠善 ,  陈贤骏

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/13 ,  H01L23/488 ,  H01L23/52 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/50

Abstract: 提供了半导体封装和制造该半导体封装的方法。该半导体封装包括：第一封装基板，包括第一区域；第一半导体芯片，安装在第一区域上；第二封装基板，设置在第一半导体芯片的上表面上，并且包括第二区域和贯穿第二区域的第一孔；第二半导体芯片，安装在第二区域上；连接构件，将第一封装基板和第二封装基板电连接，并且在第一封装基板和第二封装基板之间；以及模塑膜，覆盖第二封装基板上的第二半导体芯片，填充第一孔，并且覆盖第一封装基板上的第一半导体芯片和连接构件。

公开(公告)号：CN113725198A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110324901.6

申请日：2021-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳在炅 ,  李慈娟 ,  李在银 ,  高永权 ,  朴辰遇 ,  李泽勋

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L23/467

Abstract: 公开了半导体封装。该半导体封装包括封装基板、安装在封装基板上的第一半导体芯片、安装在第一半导体芯片的顶表面上的第二半导体芯片、以及填充封装基板与第一半导体芯片之间的空间的第一底部填充层。封装基板包括在封装基板中的腔、以及从封装基板的顶表面延伸并与腔流体连通的第一通风孔。第一底部填充层沿着第一通风孔延伸以填充腔。

公开(公告)号：CN104779219A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201510017227.1

申请日：2015-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴辰遇

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/13

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/481 ,  H01L23/562 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种半导体封装件和电子器件。所述半导体封装件包括：衬底；第一半导体芯片，其设置在衬底的第一表面上，第一半导体芯片为设置在衬底的第一表面上的唯一半导体芯片或者为形成在衬底的第一表面上的最下面的半导体芯片；多个外部连接端子，其设置在与衬底的第一表面相对的衬底的第二表面上；应力缓冲层，其形成在衬底的第一表面上，以与所述多个外部连接端子中的至少一个竖直重叠，其中，应力缓冲层形成在衬底的边缘部分上并且不接触第一半导体芯片或不与第一半导体芯片竖直重叠；以及密封构件，其覆盖第一芯片和应力缓冲层。

公开(公告)号：CN102034780B

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201010502594.8

申请日：2010-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴辰遇 ,  安殷彻 ,  申东吉 ,  姜善远 ,  李种昊

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02125 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种集成电路芯片、具有该芯片的倒装芯片封装和其制造方法。在集成电路(IC)芯片、具有该芯片的倒装芯片封装中，没有设置引线线路，第一电极焊盘不接触IC芯片的焊盘区域的引线线路。因此，第一凸块结构接触第一电极焊盘而不管焊盘区域中的引线线路如何。第二电极焊盘接触IC芯片的伪焊盘区域中的引线线路。因此，伪焊盘区域中的第二凸块结构在与第二电极焊盘下面的引线线路隔开的接触点接触第二电极焊盘的上表面。

公开(公告)号：CN103165505A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210530236.7

申请日：2012-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴辰遇 ,  宋昊建 ,  李锡贤

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/561 ,  H01L23/02 ,  H01L23/04 ,  H01L23/053 ,  H01L23/055 ,  H01L23/057 ,  H01L23/08 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/34 ,  H01L23/4926 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了制造扇出晶片级封装的方法以及由该方法形成的封装。该扇出晶片级封装包括：至少两个半导体芯片；绝缘层，覆盖第一半导体芯片的部分；模制层，覆盖第二半导体芯片的部分；再分布线图案，在绝缘层中；和/或外部端子，在绝缘层上。第一半导体芯片可以相对于第二半导体芯片堆叠。再分布线图案可以电连接到该至少两个半导体芯片。外部端子可以电连接到再分布线图案。扇出晶片级封装可以包括：至少三个半导体芯片；绝缘层，覆盖第一半导体芯片的部分；模制层，覆盖第二半导体芯片的部分；再分布线图案，在绝缘层中；和/或在绝缘层上的外部端子。第一半导体芯片可以相对于第二半导体芯片堆叠。