公开(公告)号：CN111599780A

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201911070673.3

申请日：2019-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元东勳 ,  柳在炅

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件及制造半导体封装件的方法。半导体封装件包含：基底，具有硅晶体结构；以及至少一个半导体芯片，设置于基底上且具有上表面、下表面以及多个侧表面，其中多个侧表面不同于基底的解理面。

公开(公告)号：CN113725198A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110324901.6

申请日：2021-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳在炅 ,  李慈娟 ,  李在银 ,  高永权 ,  朴辰遇 ,  李泽勋

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L23/467

Abstract: 公开了半导体封装。该半导体封装包括封装基板、安装在封装基板上的第一半导体芯片、安装在第一半导体芯片的顶表面上的第二半导体芯片、以及填充封装基板与第一半导体芯片之间的空间的第一底部填充层。封装基板包括在封装基板中的腔、以及从封装基板的顶表面延伸并与腔流体连通的第一通风孔。第一底部填充层沿着第一通风孔延伸以填充腔。

公开(公告)号：CN113921477A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202011543548.2

申请日：2020-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳在炅 ,  高永权 ,  李慈娟 ,  李在银 ,  李泽勳

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L25/18

Abstract: 公开了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：基底；中介层，位于基底上；第一底部填料，位于基底与中介层之间；至少一个逻辑芯片和至少一个存储器堆叠件，位于中介层上；以及模制材料，位于中介层上，同时围绕所述至少一个逻辑芯片的侧表面和所述至少一个存储器堆叠件的侧表面。模制材料包括具有不同高度的区域。第一底部填料覆盖模制材料的一部分。