公开(公告)号：CN101388236A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810213119.1

申请日：2008-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴宰彻 ,  权奇元 ,  朴永洙 ,  李承勋 ,  安承彦

IPC: G11C5/02 ,  G11C8/10

Abstract: 本发明提供一种多层存储装置。所述多层存储装置包括两个或更多的存储单元和布置在所述两个或更多的存储单元中的每个之间的有源电路单元。有源电路单元包括解码器。每个存储单元包括一个或更多的存储层。每个存储层包括存储阵列。

公开(公告)号：CN100462823C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200310124902.8

申请日：2003-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金道映 ,  朴玩濬 ,  朴永洙 ,  李俊冀 ,  闵约赛 ,  权章渊 ,  徐顺爱 ,  崔荣敏 ,  蔡洙杜

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78603 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/136227 ,  G02F2201/50 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L29/66757 ,  H01L51/5253 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种在柔性基底上实现的薄膜半导体器件、使用该器件的电子器件、及其制造方法。该薄膜半导体器件包括一柔性基底、一形成在柔性基底上的半导体芯片、一密封该半导体芯片的保护盖层、以及一形成在该保护盖层上的绝缘区。该电子器件包括一柔性基底和形成在柔性基底上的半导体芯片，还包括密封半导体芯片的保护盖层和形成在该保护盖层上的绝缘区。由于使用了保护盖层，提高了薄膜半导体器件抵抗基底弯曲所产生的应力的耐用性。

公开(公告)号：CN101335301A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810088615.9

申请日：2008-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善日 ,  宋利宪 ,  朴永洙 ,  姜东勋 ,  金昌桢 ,  朴宰撤

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/26 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种用于薄膜晶体管的沟道层、一种薄膜晶体管和它们的制造方法。用于薄膜晶体管的沟道层可以包含掺杂有过渡金属的IZO(氧化铟锌)。薄膜层晶体管可以包括：栅电极和沟道层，形成在基底上；栅绝缘层，形成在栅电极和沟道层之间；源电极和漏电极，接触沟道层的端部。

公开(公告)号：CN101086968A

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN200610166770.9

申请日：2006-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林赫 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭 ,  车映官

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78678 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了一种制造底栅薄膜晶体管的方法，其中相对简单容易地形成具有大的晶粒尺寸的多晶硅沟道区。该方法包括：在衬底上形成底栅电极；在所述衬底上形成栅极绝缘层以覆盖所述底栅电极；在所述栅极绝缘层上依次形成非晶半导体层、N型半导体层和电极层；依次蚀刻形成在所述底栅电极上的电极区和N型半导体层区以暴露非晶半导体层区；使用激光退火法熔化所述非晶半导体层区；和结晶所述熔化的非晶半导体层区以形成侧向生长的多晶硅沟道区。

公开(公告)号：CN101034590A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710087705.1

申请日：2007-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴祥珍 ,  朴永洙 ,  申尚旻 ,  车映官

IPC: G11C16/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/792

CPC classification number: G11C16/0416 ,  B82Y10/00 ,  G11C2216/06 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明提供一种存储器件及其操作方法。示范性方法涉及对存储器件进行存储操作的方法，且可以包括在存储器件的编程操作期间对存储器件施加负偏压且在存储器件的擦除操作期间对存储器件施加正偏压。示范性存储器件包括基板和形成于基板上的栅极结构，该栅极结构表现出在负偏压下比在正偏压下更快的平带电压偏移，该栅极结构在存储器件的编程期间接收负偏压，且在存储器件的擦除操作期间接收正偏压。

公开(公告)号：CN101017853A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200610126357.X

申请日：2006-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴祥珍 ,  车映官 ,  朴永洙 ,  李正贤 ,  崔石镐

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7882 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种具有电荷俘获层的非易失性存储器件，所述电荷俘获层包括其中压倒性发生空穴俘获的第一俘获层和其中压倒性发生电子俘获的第二俘获层。该非易失性存储器件可根据应用的偏压产生大的平带电压间隔，因为平带电压范围一致地分布在正和负电压上。因此，可以实现非常稳定的多电平单元。

公开(公告)号：CN1314087C

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN03127833.7

申请日：2003-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李容均 ,  朴永洙 ,  李俊冀

IPC: H01L21/316 ,  C01B13/14 ,  C01G29/00 ,  H01L27/10

CPC classification number: C04B35/6264 ,  C01G23/002 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/491 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/483 ,  H01L21/31691

Abstract: 本发明提供一种形成铁电薄膜的组合物，利用该组合物形成的铁电薄膜，及形成该铁电薄膜的方法。该组合物包含PZT溶胶-凝胶溶液和Bi2SiO5溶胶-凝胶溶液。PZT溶胶-凝胶溶液包括铅(Pb)前体的全部或部分水解产物及Pb前体的全部或部分水解和缩聚的产物中的至少一种；锆(Zr)前体的全部或部分水解产物，Zr前体的全部或部分水解和缩聚的产物，及具有至少一个羟基离子和至少一个不可水解配体的Zr络合物中的至少一种；以及钛(Ti)前体的全部或部分水解产物，Ti前体的全部或部分水解和缩聚的产物，及具有至少一个羟基离子和至少一个不可水解配体的Ti络合物中的至少一种。Bi2SiO5溶胶-凝胶溶液包括硅(Si)前体的全部或部分水解产物及Si前体的全部或部分水解和缩聚的产物中的至少一种；及通过回流铋(Bi)前体三苯基铋(Bi(Ph)3)或Bi(tmhd)3与C1-C10烷氧基醇而得到的产物，其中tmhd为2，2，6，6-四甲基庚烷-3，5-二酮化物(dionate)。

公开(公告)号：CN1728399A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200410103884.X

申请日：2004-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申尚旻 ,  金锡必 ,  朴永洙 ,  李正贤 ,  具俊谟

IPC: H01L29/00 ,  H01L27/10 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/82 ,  H01G4/33 ,  H01G4/008 ,  H01G4/08

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65 ,  Y10T29/417

Abstract: 一种铁电电容器，其中包括：包含Ir和Ru合金的第一电极；设置在第一电极上的铁电层；以及设置在铁电层上的第二电极。一种铁电存储器，包括基底和基底上设置的多个存储器单元。每一存储器单元包括：含有Ir和Ru合金的第一电极；设置在第一电极上的铁电层；以及设置在铁电层上的第二电极。

公开(公告)号：CN1674284A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200410103753.1

申请日：2004-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲜于文旭 ,  野口隆 ,  柳寅儆 ,  朴永洙

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8239 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11507 ,  H01L21/84 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种电子器件和一种制造该种电子器件的方法。该电子器件包括第一衬底、在第一衬底上提供的第一下电容器、在第一下电容器上提供的第一下开关元件和在第一下开关元件上提供的第二衬底。该电子器件还包括与所述第一下电容器不接触的第二下开关元件和该第二衬底上的上电容器，其中上电容器的下电极连接第二下开关元件。

公开(公告)号：CN1648283A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510006108.2

申请日：2005-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永洙 ,  尤里·托马切夫

IPC: C23C16/513 ,  C23C16/458 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/507 ,  H01L21/31612

Abstract: 本发明公开了一种等离子体化学气相沉积系统，该系统包括：腔室，该腔室配置有气体注入孔；安装于该腔室上的气体排放单元；设置在该腔室的中心区域的衬底支座，用于将衬底支撑为暴露该衬底两侧的状态；以及生成感应磁场的第一和第二线圈。该第一和第二线圈分别绕该腔室的上、下外周边设置。