公开(公告)号：CN108121153B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN201711202775.7

申请日：2017-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  宋伣在 ,  朴晟准 ,  申建旭 ,  李昌锡 ,  李东郁 ,  薛珉洙 ,  金尙元 ,  郑盛骏

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20

Abstract: 提供用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备。所述表膜可包括表膜膜片，并且所述表膜膜片可包括纳米晶体石墨烯。所述纳米晶体石墨烯可具有缺陷。所述纳米晶体石墨烯可包括多个纳米级晶粒，并且所述纳米级晶粒可包括具有芳族环结构的二维(2D)碳结构。所述纳米晶体石墨烯的缺陷可包括如下的至少一种：sp3碳原子、氧原子、氮原子、或者碳空位。

公开(公告)号：CN107768331B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201710700935.4

申请日：2017-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东郁 ,  金尚元 ,  薛珉洙 ,  郑盛骏 ,  南胜杰 ,  朴晟准 ,  申铉振

IPC: H01L23/373

Abstract: 公开了使用诸如石墨烯量子点(GQD)的纳米尺寸的石墨烯碎片的散热结构和/或制造该散热结构的方法。一种散热结构包括发热元件以及在发热元件上以将产生自发热元件的热消散至外部的散热膜。散热膜可以包括GQD。

公开(公告)号：CN105319854B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201510292394.7

申请日：2015-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚元 ,  申铉振 ,  朴晟准

IPC: G03F7/09

Abstract: 本发明涉及硬掩模组合物和通过使用该硬掩模组合物形成图案的方法。所述硬掩模组合物可包括：溶剂；和包含约0.01原子％‑约40原子％氧的2维碳纳米结构体、或其2维碳纳米结构体前体。所述2维碳纳米结构体前体中的氧的含量可低于约0.01原子％或者大于约40原子％。所述硬掩模组合物可用于形成精细图案。

公开(公告)号：CN109256328A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201810030517.3

申请日：2018-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东郁 ,  金尚元 ,  薛珉洙 ,  朴晟准 ,  申铉振 ,  李润姓 ,  郑盛骏 ,  A.郑

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033

Abstract: 提供硬掩模组合物、其制法和使用其形成图案化的层的方法。所述硬掩模组合物可包括石墨烯量子点、金属化合物、和溶剂。所述金属化合物可与所述石墨烯量子点化学键合(例如，共价键合)。所述金属化合物可包括金属氧化物、金属碳化物、或其组合。所述金属氧化物可包括如下的至少一种：锆(Zr)氧化物、钛(Ti)氧化物、钨(W)氧化物、或铝(Al)氧化物，和所述金属碳化物可包括如下的至少一种：锆(Zr)碳化物、钛(Ti)碳化物、钨(W)碳化物、或铝(Al)碳化物。所述石墨烯量子点可通过M-O-C键或M-C键与所述金属化合物键合，其中M为金属元素，O为氧，且C为碳。

公开(公告)号：CN108063145A

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201710599298.6

申请日：2017-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵常玹 ,  李载昊 ,  李殷奎 ,  朴晟准 ,  李基荣 ,  许镇盛

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/30

CPC classification number: H01L27/14667 ,  B82Y15/00 ,  H01L27/14636 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/074 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/307

Abstract: 示例实施方式涉及一种配置为实现高光电转换效率和低暗电流的图像传感器。该图像传感器包括：第一电极和第二电极、提供在第一电极与第二电极之间的多个光探测层、以及提供在光探测层之间的夹层。光探测层将入射光转换成电信号并包括半导体材料。夹层包括具有电导率各向异性的金属性材料或半金属性材料。

公开(公告)号：CN102956694B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201210305411.2

申请日：2012-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  郑现钟 ,  宋俔在 ,  朴晟准 ,  D.塞奥 ,  梁喜准

IPC: H01L29/43 ,  H03K17/56

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

Abstract: 根据示例实施方式，一种石墨烯开关装置具有可调势垒。该石墨烯开关装置可包括：栅基板；在栅基板上的栅介电层；在栅介电层上的石墨烯层；半导体层和第一电极，顺序堆叠在石墨烯层的第一区上；第二电极，在石墨烯层的第二区上。半导体层可用n型杂质和p型杂质的其中之一掺杂。半导体层可以面对栅基板，石墨烯层位于半导体层与栅基板之间。石墨烯层的第二区可以与石墨烯层的第一区分离。

公开(公告)号：CN106054533A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610028493.9

申请日：2016-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  金尚元 ,  薛珉洙 ,  朴晟准 ,  赵连柱

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/094 ,  G03F7/16 ,  G03F7/168 ,  G03F7/36 ,  G03F7/09 ,  G03F7/0017

Abstract: 本发明涉及硬掩模组合物和使用所述硬掩模组合物形成图案的方法。硬掩模组合物可包括具有在约5nm-约100nm范围内的尺寸的石墨烯纳米颗粒和溶剂。

公开(公告)号：CN105280710A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510336766.1

申请日：2015-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  金泰豪 ,  李基荣 ,  朴晟准

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/15 ,  H01L29/16

Abstract: 根据示例实施方式，电子装置包括：沟道层，包括电接触包含多个量子点的量子点层的石墨烯层；第一电极和第二电极，分别电连接到沟道层；和栅电极，构造为控制在第一电极和第二电极之间经由沟道层的电流。栅绝缘层可以在栅电极和沟道层之间。

公开(公告)号：CN104659096A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410433124.9

申请日：2014-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  卞卿溵 ,  宋俔在 ,  申铉振 ,  李珉贤 ,  柳寅敬 ,  朴晟准

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明公开了一种包括分离的结接触的石墨烯器件及其制造方法。石墨烯器件是其中石墨烯被用作沟道的场效应晶体管(FET)。源电极和漏电极不直接接触石墨烯沟道，通过掺杂半导体而形成的结接触分离地设置在石墨烯沟道和源电极之间以及石墨烯沟道和漏电极之间。因此，在其中电压不施加到栅电极的截止状态中，由于在石墨烯沟道和结接触之间的势垒，载流子不会移动。结果，石墨烯器件在截止状态可以具有低电流。

公开(公告)号：CN104103671A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410175362.4

申请日：2014-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  卞卿溵 ,  宋伣在 ,  朴晟准 ,  D·许 ,  禹轮成 ,  李东郁 ,  李载昊 ,  郑现钟 ,  许镇盛 ,  柳寅敬

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78684 ,  H01L31/028 ,  H01L31/08 ,  H01L33/34 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0504 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/057 ,  H01L51/428 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明提供石墨烯器件和包括石墨烯器件的电子设备。根据示例实施例，石墨烯器件包括：包括源极、栅极和漏极的晶体管；有源层，载流子通过其移动；以及在栅极和有源层之间的石墨烯层。石墨烯层可被配置为既作为有源层的电极又作为晶体管的沟道层。