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发明授权
用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备有权

公开(公告)号：CN108121153B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN201711202775.7

申请日：2017-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 , 宋伣在 , 朴晟准 , 申建旭 , 李昌锡 , 李东郁 , 薛珉洙 , 金尙元 , 郑盛骏

IPC: G03F1/62 , G03F7/00 , G03F7/20

Abstract: 提供用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备。所述表膜可包括表膜膜片，并且所述表膜膜片可包括纳米晶体石墨烯。所述纳米晶体石墨烯可具有缺陷。所述纳米晶体石墨烯可包括多个纳米级晶粒，并且所述纳米级晶粒可包括具有芳族环结构的二维(2D)碳结构。所述纳米晶体石墨烯的缺陷可包括如下的至少一种：sp3碳原子、氧原子、氮原子、或者碳空位。

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