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公开(公告)号：CN106479504A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610860875.8
申请日：2016-09-29
Applicant: 杭州格林达化学有限公司
IPC: C09K13/06
CPC classification number: C09K13/06
Abstract: 本发明涉及一种用于ITO-Ag-ITO导电薄膜的低黏度蚀刻液及其制备方法，其重量百分比组成如下：硝酸5～15％，硫酸5～15％，醋酸5～25％，添加剂0.01～1％，余量为水，所述添加剂为碱金属盐。该蚀刻液的制备方法为:按比例依次将电子级硫酸、电子级硝酸和电子级醋酸加入到混配釜中，然后加入添加剂和余量高纯水，搅拌循环后过滤。该蚀刻液蚀刻能力强，蚀刻精度高无残留。该蚀刻液以硫酸为原料，不含磷酸，蚀刻液黏度低，蚀刻过程中药液带出量少，蚀刻液寿命长，有利于降低蚀刻液的成本。
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公开(公告)号：CN102967686A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210455850.1
申请日：2012-11-14
Applicant: 杭州格林达化学有限公司
Abstract: 本发明提供一种在线测定和控制ITO蚀刻液中各酸浓度的方法，通过对ITO蚀刻液供应槽在线取样，样品进入自动滴定仪并溶入有机溶剂，以标定过的碱性有机标准滴定溶液为滴定液，采用动态pH滴定模式进行滴定，滴定结果及相关数据输入电脑主机，根据pH电极信号的变化曲线找到各酸在滴定终点所对应的滴定溶液的消耗体积，进而计算出样品中各种酸的浓度，然后电脑主机向控制阀发出控制信号，从预先设置的酸液调节槽内输送适量的高浓度酸进入供应槽，使蚀刻液浓度达标。本发明检测速度快，准确度和精密度俱佳，能实时反馈各酸浓度，完全可以满足在线检测和控制的要求，为准确控制蚀刻机台的蚀刻速度和蚀刻参数、最终获得高精度的蚀刻图案提供了技术保障。
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公开(公告)号：CN107357142A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710532273.4
申请日：2017-07-03
Applicant: 杭州格林达化学有限公司
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种水系光致抗蚀剂剥离液及其制备方法，其组分按重量百分比计，包括:1～20％的烷氧基烷胺，5～50％的质子性溶剂，30～80％的非质子性溶剂，10～30％的水，0.01～1％的添加剂，0.005～0.1％的长碳链脂肪醇。该蚀刻液的制备方法为：按比例依次将烷氧基烷胺，质子性溶剂，非质子性溶剂加入到混配釜中，然后加入添加剂，长碳链脂肪醇和水，搅拌循环后过滤。该剥离液剥离能力强，能有效的去除光致抗蚀剂残留物，可以用于不同金属膜层的工艺，不腐蚀下层金属配线，剥离液使用寿命长，并且对人体和环境无害。
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公开(公告)号：CN106479505A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610860973.1
申请日：2016-09-29
Applicant: 杭州格林达化学有限公司
IPC: C09K13/06
CPC classification number: C09K13/06
Abstract: 一种用于ITO导电薄膜的高精细蚀刻液及其制备方法，重量百分比组成如下：硝酸2～8％，硫酸2～12％，添加剂0.01～2％，余量水，所述添加剂为碱金属盐和有机物的混合物，有机物选用硫脲衍生物、六次甲基四胺、咪唑、苯并三氮唑和2,4,6-三羟基苯甲酸中的任意一种。本发明的蚀刻液以硝酸和硫酸为主要成分，工艺简单，酸浓度适中，对ITO导电薄膜具有优异的蚀刻性能，蚀刻速率适中，蚀刻精度高无残留，能够满足不同厚度ITO的蚀刻要求。同时采用一种碱金属盐和一种有机物作为添加剂，对下层金属Al或者Mo都具有优异的抗蚀效果，能够很好的满足技术工艺和制程要求。另外，该蚀刻液以低成本硫酸为原料，在满足技术工艺和制程要求的基础上有利于降低蚀刻液的成本。
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公开(公告)号：CN106227003A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610861011.8
申请日：2016-09-29
Applicant: 杭州格林达化学有限公司
IPC: G03F7/32
CPC classification number: G03F7/322
Abstract: 本发明涉及一种显影液，重量百分比组成如下：有机碱：0.01-60％，非离子表面活性剂：0.01-10％，两性表面活性剂：0.01-15％，有机溶剂：1-10％，余量为水。本发明应用有机强碱显影液，对光刻胶的渗透性好，显影速率快，金属含量为ppb级别，从而消除了金属离子杂质对TFT晶体管的不利影响；添加非离子表面活性剂及两性离子表面活性剂等，不仅兼顾了消泡性、分散稳定性，而且克服了现有技术显影液膜渣残留及操作温度范围窄的缺点；添加了水溶性有机溶剂，大大提高了显影使用时的持久性。该显影液在拥有优异的显影性能的同时，还具有低泡沫、对彩色光阻具有良好的分散稳定性，有效降低膜渣的形成，显影性能好，无残渣，操作温度范围宽等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103418206B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201310317812.4
申请日：2013-07-24
Applicant: 杭州格林达化学有限公司
IPC: B01D53/00
Abstract: 一种乙醇蒸汽辅助半导体/面板生产中有机废气回收装置，包括除水器、乙醇蒸发器、回收塔和乙醇吸收装置，所述回收塔自上而下依次设置除雾层、吸收液喷洒层、吸收层和回收槽，所述除水器的进口为有机废气入口，所述除水器的出口、乙醇蒸发器的出口均与所述吸收层连通，所述回收塔的上部的出气口与所述乙醇吸收装置连接，所述回收槽的底部与排出管连接，所述排出管上安装阀门。本发明提供了一种节省成本、降低能耗的乙醇蒸汽辅助半导体/面板生产中有机废气回收装置。
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公开(公告)号：CN103418206A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310317812.4
申请日：2013-07-24
Applicant: 杭州格林达化学有限公司
IPC: B01D53/00
Abstract: 一种乙醇蒸汽辅助半导体/面板生产中有机废气回收装置，包括除水器、乙醇蒸发器、回收塔和乙醇吸收装置，所述回收塔自上而下依次设置除雾层、吸收液喷洒层、吸收层和回收槽，所述除水器的进口为有机废气入口，所述除水器的出口、乙醇蒸发器的出口均与所述吸收层连通，所述回收塔的上部的出气口与所述乙醇吸收装置连接，所述回收槽的底部与排出管连接，所述排出管上安装阀门。本发明提供了一种节省成本、降低能耗的乙醇蒸汽辅助半导体/面板生产中有机废气回收装置。
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公开(公告)号：CN102929109A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210461049.8
申请日：2012-11-15
Applicant: 杭州格林达化学有限公司
Abstract: 本发明涉及一种负性光刻胶显影液及其应用，显影液组分为由碱性物质和阴离子表面活性剂构成的水溶液。其中的碱性物质为不含金属离子的有机季铵化合物，如TMAH（四甲基氢氧化铵）、TMAC(四甲基铵碳酸（氢）盐)等一种或几种；阴离子表面活性剂可为醇醚羧酸盐，醇醚磺酸盐，酚醚硫酸酯盐，和醇醚磷酸盐等。该显影液金属离子含量低，成本低，药液使用寿命长，适用于TFT-LCD行业中彩膜负性光刻胶的显影，特别是高分辨率显示屏及COA等新技术的制程。
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公开(公告)号：CN205193430U
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201520974377.7
申请日：2015-12-01
Applicant: 杭州格林达化学有限公司
Inventor： 邢攸美
IPC: G03F7/30
Abstract: 本实用新型涉及一种显影液在线回收循环利用系统，包括送料泵、用于对显影废液进行吸附脱色的吸附装置、用于对显影废液进行浓缩净化的净化浓缩装置、用于对净化浓缩装置处理显影废液后进行洗脱的洗脱装置、用于对洗脱液进行过滤除杂的过滤装置以及用于对滤过液进行复配的复配装置，所述吸附装置、净化浓缩装置、过滤装置及复配装置各至少设有一组，所述过滤装置由粗过滤器和精过滤器串联组成，所述送料泵、吸附装置、净化浓缩装置、过滤装置及复配装置依次通过带控制阀的送料管连接。本实用新型提供一种显影液在线回收循环利用装置，该装置设备成本低，操作简单，并且具有高的回收率，使四甲基氢氧化铵显影废液获得高效的综合循环利用。
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公开(公告)号：CN203433266U
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201320478076.6
申请日：2013-08-06
Applicant: 杭州格林达化学有限公司
IPC: G03F7/26
Abstract: 一种显影液中光刻胶树脂回收再利用装置，包括废液槽、第一过滤装置、溶解槽、第二过滤装置、纳滤装置和浓缩装置，废液槽包括沉淀剂进口和显影液废液进口，废液槽的出口通过连接管与第一过滤装置的进口连接，第一过滤装置的上部出口与溶解槽的第一进口连通，第一过滤装置的下部出口为TMAH废液出口，溶解槽的第二进口为溶剂进口，溶解槽的出口与第二过滤装置的进口连通，第二过滤装置的上部出口为残渣出口，第二过滤装置的下部出口与纳滤装置的入口连通，纳滤装置的第一出口为树脂出口，纳滤装置的第二出口为杂质出口，纳滤装置的第一出口与浓缩装置的入口连通，浓缩装置包括光刻胶树脂出口和溶剂出口。本实用新型降低成本、环保性良好。
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