公开(公告)号：CN105908188A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610342582.0

申请日：2016-05-23

Applicant: 杭州格林达化学有限公司

Inventor： 洪明卫 ,  邢攸美 ,  李盈盈 ,  高立江

IPC: C23F1/44 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26

CPC classification number: C23F1/44 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管铜钼层叠膜蚀刻技术领域，具体涉及一种TFT铜钼层叠膜蚀刻液组合物,对于组合物的总重量，由以下组分组成：1?30%重量的过氧化氢；0.01?8%重量的过氧化氢稳定剂；0.5?8%重量的磷酸盐类；0.1?8%重量的无机酸；1?10%重量的金属螯合剂；0.01?5%重量的金属缓蚀剂；余量为水。本发明的蚀刻液组成物无含氟化合物，不会对玻璃基板或硅板产生腐蚀，对环境无污染，反应温和易于控制；金属螯合剂可以螯合产生的铜钼离子，避免双氧水的分解而降低寿命和产线的危险性；使用磷酸盐通过原电池反应自我调节铜钼的蚀刻速率，配合金属缓蚀剂，避免了铜缩进或者钼缩进，蚀刻过程稳定，蚀刻速率适中，蚀刻角度稳定在30~60°，临界尺寸损失小，改善后期铜制程性能。

公开(公告)号：CN106479504A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610860875.8

申请日：2016-09-29

Applicant: 杭州格林达化学有限公司

Inventor： 胡涛 ,  倪芸岚 ,  高立江 ,  邢攸美 ,  龚升 ,  尹云舰 ,  方伟华

IPC: C09K13/06

CPC classification number: C09K13/06

Abstract: 本发明涉及一种用于ITO-Ag-ITO导电薄膜的低黏度蚀刻液及其制备方法，其重量百分比组成如下：硝酸5～15％，硫酸5～15％，醋酸5～25％，添加剂0.01～1％，余量为水，所述添加剂为碱金属盐。该蚀刻液的制备方法为:按比例依次将电子级硫酸、电子级硝酸和电子级醋酸加入到混配釜中，然后加入添加剂和余量高纯水，搅拌循环后过滤。该蚀刻液蚀刻能力强，蚀刻精度高无残留。该蚀刻液以硫酸为原料，不含磷酸，蚀刻液黏度低，蚀刻过程中药液带出量少，蚀刻液寿命长，有利于降低蚀刻液的成本。

公开(公告)号：CN107357142A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710532273.4

申请日：2017-07-03

Applicant: 杭州格林达化学有限公司

Inventor： 高立江 ,  胡涛 ,  王太刚 ,  陈海刚 ,  倪芸岚

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种水系光致抗蚀剂剥离液及其制备方法，其组分按重量百分比计，包括:1～20％的烷氧基烷胺，5～50％的质子性溶剂，30～80％的非质子性溶剂，10～30％的水，0.01～1％的添加剂，0.005～0.1％的长碳链脂肪醇。该蚀刻液的制备方法为：按比例依次将烷氧基烷胺，质子性溶剂，非质子性溶剂加入到混配釜中，然后加入添加剂，长碳链脂肪醇和水，搅拌循环后过滤。该剥离液剥离能力强，能有效的去除光致抗蚀剂残留物，可以用于不同金属膜层的工艺，不腐蚀下层金属配线，剥离液使用寿命长，并且对人体和环境无害。

公开(公告)号：CN203545915U

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201320478080.2

申请日：2013-08-06

Applicant: 杭州格林达化学有限公司

Inventor： 梁小朝 ,  黄源 ,  尹云舰 ,  高立江 ,  胡叔铭

IPC: C07C211/63 ,  C07C209/84 ,  B01D61/44 ,  C02F9/06

Abstract: 一种四甲基氢氧化铵提浓装置，包括废液槽、过滤装置和电渗析装置，所述废液槽包括吸附剂进口和废液进口，所述废液槽的出口通过连接管与所述过滤装置的进口连接，所述过滤装置的上部设有吸附剂出口，所述过滤装置的底部设有液体出口，所述电渗析装置包括外壳，所述外壳内配置成对的阴阳离子交换膜，所述成对的阴阳离子交换膜之间的腔室为浓缩腔体，所述浓缩腔体相邻的两侧均为进液腔体，所述液体出口与所述进液腔体连通，所述浓缩腔体与提浓液储槽连通。本实用新型提供了一种降低能耗、提浓同时回收再生水的四甲基氢氧化铵提浓装置。