公开(公告)号：CN106479504A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610860875.8

申请日：2016-09-29

Applicant: 杭州格林达化学有限公司

Inventor： 胡涛 ,  倪芸岚 ,  高立江 ,  邢攸美 ,  龚升 ,  尹云舰 ,  方伟华

IPC: C09K13/06

CPC classification number: C09K13/06

Abstract: 本发明涉及一种用于ITO-Ag-ITO导电薄膜的低黏度蚀刻液及其制备方法，其重量百分比组成如下：硝酸5～15％，硫酸5～15％，醋酸5～25％，添加剂0.01～1％，余量为水，所述添加剂为碱金属盐。该蚀刻液的制备方法为:按比例依次将电子级硫酸、电子级硝酸和电子级醋酸加入到混配釜中，然后加入添加剂和余量高纯水，搅拌循环后过滤。该蚀刻液蚀刻能力强，蚀刻精度高无残留。该蚀刻液以硫酸为原料，不含磷酸，蚀刻液黏度低，蚀刻过程中药液带出量少，蚀刻液寿命长，有利于降低蚀刻液的成本。